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EVSPIN32G4-DUAL雙電機驅(qū)動演示板技術(shù)解析

科技觀察員 ? 2025-10-23 10:57 ? 次閱讀
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STMicroelectronics EVSPIN32G4-DUAL演示板基于STSPIN32G4和STDRIVE101,用于使用兩個三相無刷電機的應(yīng)用。STSPIN32G4采用系統(tǒng)級封裝,集成到9mm x 9mm VFQFPN封裝,三重高性能半橋柵極驅(qū)動器(具有豐富的可編程特性)和一個混合信號STM32G431微控制器中。STDRIVE101是一款三半橋柵極驅(qū)動器,采用緊湊型4mm x 4mm VFQPN封裝,具有600mA電流能力和嵌入式保護功能。

數(shù)據(jù)手冊:*附件:STMicroelectronics EVSPIN32G4-DUAL演示板數(shù)據(jù)手冊.pdf

兩個功率級MOSFET基于STL110N10F7功率,可同時運行高達10Arm輸出電流和74V電源。該特性提供專用溫度和總線電壓監(jiān)控、功率MOSFET漏源電壓檢測和過流保護等功能。得益于霍爾傳感器、正交編碼器或帶SSI通信接口的絕對編碼器之間每個電機專用輸入,該板可利用STSPIN32G4內(nèi)的運算放大器以及基于傳感器的控制算法實現(xiàn)無傳感器運行。

得益于集成的穩(wěn)壓器,柵極驅(qū)動器和控制邏輯電源均可從電機電源開始生成,無需專用電路。CAN總線的預(yù)處理使STMicroelectronics EVSPIN32G4-DUAL能夠輕松連接主模塊或從模塊,并構(gòu)建復(fù)雜的運動控制系統(tǒng)。

特性

  • STSPIN32G4高性能三相電機控制器,帶嵌入式MCU
    • 32位Arm? Cortex?-M4 MCU+FPU
    • 時鐘頻率高達170MHz
    • CORDIC數(shù)學(xué)硬件加速器,用于三角函數(shù)
    • 128kB閃存,具有專有代碼讀出保護 (PCROP)、安全存儲區(qū)、1KB OTP
    • 32KB SRAM存儲器,帶硬件奇偶校驗
    • 2個高級定時器,用于電機控制,16位,具有多達6個PWM通道
    • 2個ADC,12位分辨率(多達19個通道),轉(zhuǎn)換速率為4Msps
    • 4個超快軌到軌比較器
    • 3個軌到軌運算放大器,也可在PGA模式下使用
    • 內(nèi)部高精度電壓基準(zhǔn)
    • VCC降壓轉(zhuǎn)換器,電流高達200mA,具有可編程輸出和嵌入式MOSFET
    • 3.3V LDO線性穩(wěn)壓器,電流高達150mA
    • 低靜態(tài)線性穩(wěn)壓器,用于待機模式下MCU電源
    • 具有一整套保護功能的穩(wěn)壓器;包括熱關(guān)斷、短路和過載保護
    • 75V額定柵極驅(qū)動器,具有1A灌/拉電流和嵌入式自舉二極管
    • 每個功率MOSFET的漏源電壓檢測
    • STDRIVE 101三半橋柵極驅(qū)動器:
    • 75V額定柵極驅(qū)動器,具有600mA灌/拉電流和嵌入式自舉二極管
    • 兩種輸入策略:ENx/INx(可調(diào)節(jié)死區(qū)生成)或INHx/INLx(聯(lián)鎖)
    • 超短傳播延遲:40ns(通道間匹配)
    • 12V LDO線性穩(wěn)壓器,電流高達50mA
    • 每個功率MOSFET的漏源電壓檢測
    • 過流比較器
    • UVLO和熱關(guān)斷保護
    • 待機模式,實現(xiàn)低電流消耗運行
  • 兩個功率級,基于STL110N10F7功率MOSFET,輸出電流高達10Arms,在過流條件下提供保護
  • 獨立總線電壓范圍為10V至74V,具有專用監(jiān)控功能
  • 使用嵌入式運算放大器進行單分流差分電流檢測
  • 兩款電機均可提供用于速度/位置反饋輸入:
    • 數(shù)字霍爾傳感器
    • 增量正交型編碼器
    • 絕對值編碼器
  • 全套通信接口(I^2^C、SPI和UART)
  • CAN總線預(yù)處理
  • NTC傳感器,用于功率級溫度監(jiān)控

示意圖

1.png

?EVSPIN32G4-DUAL雙電機驅(qū)動演示板技術(shù)解析?

一、核心特性與硬件架構(gòu)

?1. 高性能電機控制系統(tǒng)?

  • ?主控制器?:采用STSPIN32G4系統(tǒng)級封裝,集成32位Arm Cortex-M4內(nèi)核MCU(最高170 MHz)、128 KB閃存、32 KB SRAM,支持硬件三角函數(shù)加速(CORDIC)
  • ?功率級?:兩路獨立半橋基于STL110N10F7功率MOSFET,每路持續(xù)輸出電流10 Arms,峰值電流17 A,工作電壓范圍10 V至74 V
  • ?專用驅(qū)動器?:STDRIVE101三路半橋門級驅(qū)動器,支持600 mA灌/拉電流,集成自舉二極管與40 ns級傳播延遲

?2. 完善的保護與傳感機制?

  • ?電流檢測?:通過板載運算放大器實現(xiàn)單分流電阻差分電流采樣
  • ?多重保護?:過流保護、電壓監(jiān)測(每個MOSFET的漏源電壓)、熱關(guān)斷、欠壓鎖定(UVLO)
  • ?位置反饋兼容性?:支持霍爾傳感器、增量編碼器、絕對編碼器(SSI接口

?3. 靈活供電與通信接口?

  • ?內(nèi)置電源管理?:集成Buck轉(zhuǎn)換器(200 mA)、3.3 V LDO(150 mA),可直接從電機電源生成邏輯供電
  • ?通信接口?:I2C、SPI、UART,預(yù)留CAN總線接口便于構(gòu)建多節(jié)點運動控制系統(tǒng)

二、典型應(yīng)用場景

  1. ?工業(yè)自動化?:伺服驅(qū)動器、機械臂關(guān)節(jié)控制
  2. ?家用電器?:真空機器人、烘干機、水泵
  3. ?無人機與模型?:雙無刷電機同步調(diào)速
  4. ?電動工具?:高扭矩電鉆、園林設(shè)備

三、設(shè)計要點與性能優(yōu)化

?1. 散熱管理策略?

  • 功率級在25°C環(huán)境溫度下可滿載運行,實際輸出需結(jié)合散熱設(shè)計
  • MOSFET的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))低至5 mΩ,顯著降低開關(guān)損耗

?2. 傳感器融合設(shè)計?

  • 同時支持無傳感器控制(通過反電動勢估算)與多類型位置傳感器
  • 板載NTC溫度傳感器實時監(jiān)控功率級工況

?4. 系統(tǒng)擴展性?

  • 通過CAN總線實現(xiàn)主從模塊協(xié)作,適合復(fù)雜運動控制網(wǎng)絡(luò)
  • 預(yù)留編碼器接口與PWM通道,便于集成第三方傳感器

四、技術(shù)趨勢與創(chuàng)新價值

EVSPIN32G4-DUAL體現(xiàn)了電機驅(qū)動技術(shù)向?高度集成化?與?智能化?的發(fā)展方向:

  • ?單芯片解決方案?:STSPIN32G4將MCU、門驅(qū)動器、電源管理集成于9x9 mm封裝,大幅縮小PCB面積
  • ?功能安全設(shè)計?:硬件級保護機制滿足工業(yè)設(shè)備可靠性要求
  • ?開源生態(tài)支持?:基于STM32G4的軟件庫加速算法開發(fā)
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