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?DRV8436E/P 雙H橋電機驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-10-15 11:08 ? 次閱讀
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DRV8436E/P 器件是雙 H 橋電機驅(qū)動器,適用于各種工業(yè)應(yīng)用。這些器件可用于驅(qū)動兩個直流電機或一個雙極步進電機。驅(qū)動器的輸出級由配置為兩個全H橋的N溝道功率MOSFET、電荷泵穩(wěn)壓器、電流檢測和調(diào)節(jié)以及保護電路組成。集成電流檢測采用內(nèi)部電流鏡架構(gòu),無需大型功率分流電阻,節(jié)省電路板面積并降低系統(tǒng)成本。提供低功耗睡眠模式,通過關(guān)閉大部分內(nèi)部電路來實現(xiàn)超低靜態(tài)電流消耗。為電源欠壓鎖定 (UVLO)、電荷泵欠壓 (CPUV)、輸出過流 (OCP) 和器件過熱 (OTSD) 提供內(nèi)部保護功能。DRV8436E/P 能夠驅(qū)動每個 H 橋高達(dá) 1.5A 滿量程或 1.1A rms 輸出電流(取決于 PCB 設(shè)計)。
*附件:drv8436e.pdf

特性

  • 雙 H 橋電機驅(qū)動器
    • 一個雙極步進電機
    • 雙雙向有刷直流電機
    • 四個單向有刷直流電機
  • 集成電流檢測功能
    • 無需檢測電阻
    • ±7.5% 滿量程電流精度
  • 4.5 至 48V 工作電源電壓范圍
  • 多種控制接口選項
    • 相位/啟用
    • PWM的
  • 智能調(diào)諧衰減技術(shù),固定慢速、快速和混合衰減選項
  • 低R DS(開) :900 mΩ HS + LS,24 V,25°C
  • 每橋高電流容量:峰值 2.4 A、滿量程 1.5 A、1.1 均方根
  • 可配置的關(guān)斷時間PWM斬波
    • 7、16、24 或 32 μs
  • 支持 1.8V、3.3V、5.0V 邏輯輸入
  • 低電流睡眠模式 (2 μA)
  • 用于低電磁干擾 (EMI) 的擴頻時鐘
  • 小封裝和占地面積
  • 保護功能
    • VM 欠壓鎖定 (UVLO)
    • 電荷泵欠壓 (CPUV)
    • 過流保護 (OCP)
    • 熱關(guān)斷 (OTSD)
    • 故障條件輸出 (nFAULT)

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png

?1. 核心特性?

  • ?雙H橋驅(qū)動架構(gòu)?
    • 支持驅(qū)動:1個雙極步進電機、2個雙向有刷直流電機或4個單向有刷直流電機。
    • ?集成電流檢測?:無需外置采樣電阻,全量程電流精度±7.5%。
  • ?寬電壓范圍?
    • 工作電壓4.5-48V,峰值電流2.4A(瞬態(tài)),RMS電流1.1A(持續(xù))。
  • ?智能控制技術(shù)?
    • ?Smart Tune動態(tài)衰減?:自動優(yōu)化衰減模式(慢/混合/快衰減),適應(yīng)負(fù)載變化。
    • ?可配置PWM關(guān)斷時間?:7/16/24/32μs可選。
  • ?低功耗設(shè)計?
    • 睡眠模式靜態(tài)電流僅2μA,支持1.8V/3.3V/5V邏輯輸入。

?2. 關(guān)鍵功能?

  • ?電流調(diào)節(jié)?
    • 通過VREFx引腳設(shè)置滿量程電流(IFS = VREFx/2.2)。
    • 支持非圓形半步模式(71%電流)以優(yōu)化高速扭矩。
  • ?多重保護機制?
    • 包括欠壓鎖定(UVLO)、電荷泵欠壓(CPUV)、過流保護(OCP)、熱關(guān)斷(OTSD)及故障輸出(nFAULT)。

?3. 應(yīng)用場景?

  • ?工業(yè)設(shè)備?:打印機、ATM機、紡織機械。
  • ?消費電子?:IP攝像頭、視頻會議設(shè)備。
  • ?自動化?:機器人、工廠自動化系統(tǒng)。

?4. 封裝與版本?

  • ?封裝選項?
    • HTSSOP-28(9.7mm×4.4mm)或VQFN-24(4mm×4mm)。
  • ? 版本更新(SLVSFF0B) ?
    • 2022年7月(Rev B):新增典型特性曲線,更新布局示例。
    • 2020年8月(Rev A):文檔狀態(tài)變更為“生產(chǎn)數(shù)據(jù)”。

?5. 設(shè)計要點?

  • ?電源設(shè)計?
    • VM需并聯(lián)0.01μF陶瓷電容(每引腳)和≥10μF電解電容。
    • 電荷泵電容:CPH-CPL=0.022μF,VCP-VM=0.22μF/16V。
  • ?熱管理?
    • HTSSOP封裝RθJA=31.3°C/W,VQFN封裝RθJA=41.3°C/W。
  • ?布局建議?
    • 優(yōu)先使用4層PCB,縮短電機驅(qū)動回路以降低熱阻。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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