DRV824x-Q1 系列器件是一款完全集成的 H 橋驅動器，適用于各種汽車應用。該器件可以配置為單個全橋驅動器或兩個獨立的半橋驅動器。該單片系列器件采用BiCMOS高功率工藝技術節(jié)點設計，采用電源封裝，具有出色的功率處理和熱能力，同時提供緊湊的封裝尺寸、易于布局、EMI控制、精確的電流檢測、穩(wěn)健性和診斷功能。該系列提供相同的引腳功能，具有可擴展的R 上 （電流能力）以支持不同的負載。
*附件：drv8244-q1.pdf

這些器件集成了N溝道H橋、電荷泵穩(wěn)壓器、帶穩(wěn)壓功能的高端電流檢測、電流比例輸出和保護電路。提供低功耗睡眠模式以實現(xiàn)低靜態(tài)電流。這些器件提供電壓監(jiān)控和負載診斷，以及針對過流和過溫的保護功能。故障情況在nFAULT引腳上指示。這些器件提供三種型號 - 硬連線接口：硬件 （H） 和兩種 SPI 接口型號：SPI（P） 和 SPI（S），其中 SPI （P） 用于外部供電的邏輯電源，SPI （S） 用于內部生成的邏輯電源。SPI 接口變體在器件配置和故障可觀察性方面提供了更大的靈活性。

特性

• 符合 AEC-Q100 標準，適用于汽車應用：
  • 溫度等級 1：–40°C 至 +125°C，T一個
• • 可用于幫助功能安全系統(tǒng)設計的文檔
• 4.5V 至 35V （40V abs. max） 工作范圍
• VQFN-HR封裝：R ON_LS + 右 ON_HS ：47 毫歐
• HVSSOP封裝：R ON_LS + 右 ON_HS ：60 mΩ
• 我外最大值 = 21 A
• PWM 頻率作高達 25 KHz，具有自動死區(qū)時間斷言
• 可配置的壓擺率和擴頻時鐘，實現(xiàn)低電磁干擾 （EMI）
• 集成電流檢測（消除分流電阻）
• IPROPI 引腳上的比例負載電流輸出
• 可配置的電流調節(jié)
• 具有可配置故障反應（鎖存或重試）的保護和診斷功能
  • 關斷狀態(tài)和導通狀態(tài)下的負載診斷，以檢測開路負載和短路
  • 電源電壓監(jiān)控 （VM）
  • 過流保護
  • 過溫保護
  • nFAULT引腳上的故障指示
• 支持 3.3V、5V 邏輯輸入
• 低睡眠電流 - 25°C 時典型值 1μA
• 3 種變體 - HW （H）、SPI （S） 或 SPI （P）
• 可配置的控制模式：
  • 使用 PWM 或 PH/EN 模式的單全橋
  • 兩個使用獨立模式的半橋

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?

DRV8244-Q1是德州儀器（TI）推出的AEC-Q100認證汽車級H橋驅動器，專為有刷直流電機和電磁閥設計。核心特性包括：

• ?高集成度?：內置47mΩ（VQFN-HR封裝）或60mΩ（HVSSOP封裝）MOSFET半橋，集成電流檢測、診斷功能及保護電路。
• ?寬電壓范圍?：4.5V至35V（峰值40V），兼容12V/24V汽車電池系統(tǒng)。
• ?輸出能力?：最大21A連續(xù)電流，支持高達25kHz PWM頻率。
• ?控制模式?：支持硬件（HW）或SPI接口配置，提供三種工作模式（PH/EN、PWM、獨立半橋）。

?2. 關鍵特性?

• ?電流檢測?：集成高側電流鏡像，通過IPROPI引腳輸出比例電流（比例因子4750:1），無需外部分流電阻。
• ?電流調節(jié)?：可配置ITRIP閾值實現(xiàn)PWM斬波限流（7級可調，SPI版本支持可編程關斷時間）。
• ?保護功能?：
  • 過流保護（OCP）：高側/低側獨立閾值，支持鎖存或自動重試模式。
  • 過熱保護（TSD）：關斷閾值185°C，30°C遲滯。
  • 負載診斷：支持離態(tài)（OLP）和動態(tài)（OLA，僅SPI）開路/短路檢測。
• ?低功耗?：睡眠模式電流低至1μA（典型值）。

?3. 型號與封裝?

• ?封裝選項?：
  • VQFN-HR（16引腳，3mm×6mm）：RON總阻值47mΩ。
  • HVSSOP（28引腳，3mm×7.3mm）：RON總阻值60mΩ。
• ?接口變體?：
  • ? HW（H） ?：硬件引腳配置，簡化設計。
  • ? SPI（S/P） ?：支持4線SPI通信，P變體提供外部邏輯電源（VDD）輸入以增強抗干擾。

?4. 應用場景?

• ?汽車電子?：車門模塊、雨刮器、座椅調節(jié)、轉向系統(tǒng)。
• ?工業(yè)控制?：電磁閥驅動、小型電機控制。
• ?電源管理?：車身控制模塊（BCM）、車載充電器。

?5. 功能模塊?

• ?電源管理?：
  • 集成電荷泵支持100%占空比高側驅動。
  • 內置3.3V LDO（SPI-S變體）或外接VDD（SPI-P變體）。
• ?控制邏輯?：
  • PH/EN模式：EN/IN1為PWM輸入，PH/IN2控制方向。
  • PWM模式：雙PWM輸入實現(xiàn)雙向控制。
  • 獨立模式：兩半橋獨立驅動不同負載。
• ?診斷輸出?：nFAULT引腳指示故障，SPI變體支持寄存器級詳細診斷。

?6. 保護機制?

• ?電壓監(jiān)控?：VM欠壓（4.2V）和過壓（18V/28V/33.6V可選）保護。
• ?負載診斷?：
  • 離態(tài)檢測：識別開路（>1.5kΩ）或短路（<1kΩ）。
  • 動態(tài)檢測（SPI）：高側負載活動時短路檢測。
• ?故障響應?：支持鎖存（需手動清除）或自動重試（間隔5ms）。

?7. 設計支持?

• ?典型電路?：需外接VM去耦電容（0.1μF+10μF）、IPROPI電阻（500Ω-5kΩ）。
• ?布局建議?：分離功率地（PGND）與模擬地（AGND），優(yōu)化熱焊盤設計（RθJA 42.5°C/W-VQFN）。