存儲(chǔ)芯片因?yàn)槠鋺?yīng)用的廣泛性和重要性，是電子產(chǎn)品必不可少的一種重要半導(dǎo)體元件，近些年隨著大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)等發(fā)展，其在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈中扮演的角色將更加重要。過(guò)去，我國(guó)的存儲(chǔ)芯片基本依賴(lài)于進(jìn)口，三星、東芝、SK海力士、美光等美日韓企業(yè)占據(jù)主要市場(chǎng)份額。自2014年我國(guó)頒布了《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，經(jīng)過(guò)政府和企業(yè)近幾年潛心的努力和投入，已形成包括發(fā)展NAND Flash的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、專(zhuān)注移動(dòng)式內(nèi)存的合肥長(zhǎng)鑫以及致力于利基型內(nèi)存的福建晉華三大陣營(yíng)。這三大存儲(chǔ)芯片基地分別在當(dāng)?shù)丶泳o建設(shè)存儲(chǔ)芯片工廠(chǎng)，合肥長(zhǎng)鑫8Gb LPDDR4正式投片，成為我國(guó)國(guó)產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個(gè)里程碑。既然2018年將成為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片主流化發(fā)展的元年，那么這三大領(lǐng)頭羊研發(fā)和投產(chǎn)進(jìn)展如何？

長(zhǎng)江存儲(chǔ)

2016年12月，以長(zhǎng)江存儲(chǔ)為主體的國(guó)家存儲(chǔ)器基地正式開(kāi)工建設(shè)，其中包括3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠(chǎng)房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，核心廠(chǎng)區(qū)占地面積約1717畝，預(yù)計(jì)項(xiàng)目建成后總產(chǎn)能將達(dá)到30萬(wàn)片/月，年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元。經(jīng)過(guò)一年多的布局，目前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)在武漢、北京、上海、臺(tái)北、東京、硅谷均設(shè)有研發(fā)基地。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)以武漢新芯現(xiàn)有的12英寸先進(jìn)集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ)，采取自主研發(fā)與國(guó)際合作雙輪驅(qū)動(dòng)的方式，已于2017年研制成功了中國(guó)第一顆3D NAND閃存芯片，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。

2018年4月，由紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設(shè)的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)正式進(jìn)場(chǎng)安裝，這標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠(chǎng)房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段。同時(shí)紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁暨長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)高啟全更是披露了一個(gè)振奮人心的好消息：長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D NAND閃存已經(jīng)獲得第一筆訂單，總計(jì)10776顆芯片，將用于8GB USD存儲(chǔ)卡產(chǎn)品。

在CITE2018展會(huì)上開(kāi)幕式上，紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)宣布，紫長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層64G 3D NAND Flash存儲(chǔ)器將會(huì)在2018年達(dá)成小規(guī)模量產(chǎn)的目標(biāo)，2019年64層128G 3DNAND Flash儲(chǔ)器則將會(huì)進(jìn)入規(guī)模研發(fā)的階段。

2018年5月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)購(gòu)買(mǎi)自荷蘭ASML的光刻機(jī)運(yùn)抵武漢天河機(jī)場(chǎng)。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)的首臺(tái)光刻機(jī)，不過(guò)這臺(tái)機(jī)器并不是最新的EUV光刻機(jī)，而是193nm沉浸式光刻機(jī)，可用于產(chǎn)20-14nm工藝的3D NAND閃存晶圓，新的光刻機(jī)的進(jìn)廠(chǎng)，也標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層3D NAND Flash即將進(jìn)入量產(chǎn)。

合肥長(zhǎng)鑫

合肥長(zhǎng)鑫集成電路有限責(zé)任公司是由合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股（集團(tuán)）有限公司和合肥產(chǎn)投新興戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)發(fā)展合伙企業(yè)（有限合伙）投資建立的。公司成立于2016年，由中芯國(guó)際前CEO王寧國(guó)主導(dǎo)。

2017年5月，長(zhǎng)鑫宣布，預(yù)計(jì)由合肥長(zhǎng)鑫投資72億美元，興建12寸晶圓廠(chǎng)以發(fā)展DRAM產(chǎn)品，預(yù)計(jì)最大月產(chǎn)將高達(dá)12.5萬(wàn)片規(guī)模。

2017年10月，合肥長(zhǎng)鑫與兆易創(chuàng)新合作開(kāi)展工藝制程19nm存儲(chǔ)器的12英寸晶圓存儲(chǔ)器（含DRAM等）研發(fā)項(xiàng)目。項(xiàng)目?jī)?nèi)容為在合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)空港經(jīng)濟(jì)示范區(qū)內(nèi)開(kāi)展工藝制程19nm 存儲(chǔ)器的 12 英寸晶圓存儲(chǔ)器（含 DRAM 等）的研發(fā)，目標(biāo)是在 2018 年12 月 31 日前研發(fā)成功，即實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品良率（測(cè)試電性良好的芯片占整個(gè)晶圓的比例）不低于 10%。目前雙方合作非常順利。

2018年4月份，王寧國(guó)出席合肥舉辦的“國(guó)家集成電路重大專(zhuān)項(xiàng)走進(jìn)安徽活動(dòng)”表示，合肥長(zhǎng)鑫的一廠(chǎng)廠(chǎng)房已經(jīng)于2018年1月建設(shè)完成，設(shè)備也開(kāi)始安裝。根據(jù)計(jì)劃，長(zhǎng)鑫將于2018年年底推出8Gb DDR4工程樣品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產(chǎn)能將達(dá)到2萬(wàn)片一個(gè)月。從2020年開(kāi)始，公司則開(kāi)始規(guī)劃二廠(chǎng)，2021年則完成17nn的研發(fā)。

2018年7月，合肥長(zhǎng)鑫8Gb LPDDR4正式投片，完全在上述投產(chǎn)時(shí)間計(jì)劃之內(nèi)。在短短兩年的發(fā)展中，合肥長(zhǎng)鑫在元件、設(shè)計(jì)、光罩、制造和測(cè)試領(lǐng)域都做了不少的積累。截至2017年底，已申請(qǐng)專(zhuān)利354件，2018年計(jì)劃申請(qǐng)專(zhuān)利1155件：其中計(jì)劃申請(qǐng)?jiān)?zhuān)利126件、設(shè)計(jì)專(zhuān)利144件、成像專(zhuān)利224件。計(jì)劃至2018年底，申請(qǐng)專(zhuān)利數(shù)量總計(jì)達(dá)到1509件。

福建晉華

2016年2月，福建省電子信息集團(tuán)、晉江能源投資集團(tuán)有限公司等共同出資設(shè)立福建晉華集成電路有限公司。2016年5月，福建晉華與***聯(lián)華電子簽署技術(shù)合作協(xié)議，投資56.5億美元，在福建省晉江市建設(shè)12寸內(nèi)存晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)線(xiàn)，開(kāi)發(fā)先進(jìn)存儲(chǔ)器技術(shù)和制程工藝，并開(kāi)展相關(guān)產(chǎn)品的制造和銷(xiāo)售。

福建晉華集成電路公司的生產(chǎn)線(xiàn)設(shè)備安裝將于2018年7月底完成，為三季度的大規(guī)模量產(chǎn)鋪平了道路。到2018年年底投產(chǎn)后，將形成月處理6萬(wàn)片12英寸晶圓的產(chǎn)能，這將填補(bǔ)中國(guó)在內(nèi)存芯片領(lǐng)域的空白。