2025年上半年，在‘雙碳’目標(biāo)與AI浪潮的雙重驅(qū)動(dòng)下，中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)高光時(shí)刻，國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程持續(xù)推進(jìn)，但企業(yè)間的分化也在加劇。有的企業(yè)利潤(rùn)翻倍，有的卻陷入‘增收不增利’的困境。

本文通過(guò)對(duì)五家代表性企業(yè)的財(cái)報(bào)解讀，剖析其背后的業(yè)務(wù)邏輯與行業(yè)趨勢(shì)。

一、財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)對(duì)比：營(yíng)收梯隊(duì)分明，盈利表現(xiàn)分化

從營(yíng)收規(guī)模來(lái)看，五家企業(yè)呈現(xiàn)明顯梯隊(duì)分化。

——士蘭微以63.36億元營(yíng)收位居首位，同比增長(zhǎng)20.14%，主要得益于公司在汽車、新能源、大型白電等市場(chǎng)的持續(xù)深耕。

——華潤(rùn)微以52.18億元緊隨其后，同比增長(zhǎng)9.62%，增長(zhǎng)主要受益于半導(dǎo)體行業(yè)的溫和復(fù)蘇以及自身的擴(kuò)產(chǎn)提效。

——捷捷微電營(yíng)收15.78億元，同比增長(zhǎng)26.77%，主要得益于在車規(guī)級(jí)、光伏、儲(chǔ)能等新興市場(chǎng)的成功拓展，帶動(dòng)了銷售收入相較于去年同期的增長(zhǎng)。

——東微半導(dǎo)營(yíng)收6.16億元，同比增長(zhǎng)46.8%，增長(zhǎng)主引擎是數(shù)據(jù)中心、算力服務(wù)器電源等領(lǐng)域的業(yè)務(wù)保持增長(zhǎng)并穩(wěn)步提升。

——英諾賽科營(yíng)收5.53億元，同比增長(zhǎng)43.4%。這得益于其氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)拓展以及客戶需求快速增長(zhǎng)。

從利潤(rùn)方面分析，各企業(yè)表現(xiàn)分化顯著

東微半導(dǎo)扣非凈利潤(rùn)973萬(wàn)元，同比大幅增長(zhǎng)485%，得益于營(yíng)收增長(zhǎng)與毛利率提升，盈利質(zhì)量大幅改善。

士蘭微扣非凈利潤(rùn)為2.69億元，同比大幅增長(zhǎng)113.12%，顯示出較強(qiáng)的盈利質(zhì)量。

捷捷微電扣非凈利潤(rùn)2.46億元，同比增長(zhǎng)46.57%。這一成果得益于公司在成本控制、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化以及高附加值產(chǎn)品銷售增長(zhǎng)等方面的綜合努力。

華潤(rùn)微扣非凈利潤(rùn)2.73億元，同比下降3.95%，出現(xiàn)“增收不增利”現(xiàn)象。這主要受產(chǎn)品價(jià)格承壓、折舊及新品爬坡拖累。

英諾賽科經(jīng)營(yíng)虧損3.76億元，同比收窄0.68億元。雖然依舊處于虧損狀態(tài)，但經(jīng)營(yíng)狀況正在改善。

總體來(lái)說(shuō)，這5家功率半導(dǎo)體企業(yè)上半年的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)情況呈現(xiàn)顯著梯隊(duì)分化。

營(yíng)收上，士蘭微、華潤(rùn)微規(guī)模領(lǐng)先。捷捷微電、東微半導(dǎo)及英諾賽科則憑借新能源、車規(guī)、氮化鎵等新興領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)高增長(zhǎng)。東微半導(dǎo)、士蘭微和捷捷微電通過(guò)產(chǎn)品優(yōu)化與成本控制實(shí)現(xiàn)利潤(rùn)高增長(zhǎng)，華潤(rùn)微“增收不增利”，英諾賽科虧損收窄。

二、業(yè)務(wù)板塊對(duì)比：布局各異，技術(shù)路徑?jīng)Q定市場(chǎng)賽道

五家企業(yè)在業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)上呈現(xiàn)出明顯差異，反映了各自不同的發(fā)展戰(zhàn)略和定位。

東微半導(dǎo)走的是專業(yè)化技術(shù)路線，專注于高端MOSFET產(chǎn)品。

超級(jí)結(jié)MOSFET收入4.69億元，占比76%，同比增長(zhǎng)40.36%，是絕對(duì)主力產(chǎn)品。中低壓屏蔽柵MOSFET收入1.18億元，占比19%，同比增長(zhǎng)62.14%。TGBT產(chǎn)品收入2067萬(wàn)元，占比3.4%，雖然規(guī)模不大但營(yíng)收同比增長(zhǎng)88.62%。產(chǎn)品結(jié)構(gòu)相對(duì)集中但在細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)先。

華潤(rùn)微采用IDM全鏈條布局，業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)最為均衡。

從商品類型看，其"產(chǎn)品與方案"商品收入28.36億元，同比增長(zhǎng)21.09%，占比54%;"制造與服務(wù)"商品收入22.39億元，同比下降0.03%，占比43%，其他占比3%。

從合同分類看，IC設(shè)計(jì)分部營(yíng)業(yè)收入7.29億元，同比增長(zhǎng)17.58%，營(yíng)業(yè)成本5.45億元，毛利率25.2%;晶圓制造分部營(yíng)業(yè)收入14.70億元，同比增長(zhǎng)1%，營(yíng)業(yè)成本11.55億元，毛利率21.43%;封裝測(cè)試分部營(yíng)業(yè)收入7.03億元，同比增長(zhǎng)18.55%，營(yíng)業(yè)成本5.61億元，毛利率20.21%;分立器件分部營(yíng)業(yè)收入20.75億元，同比增長(zhǎng)23%，營(yíng)業(yè)成本16.59億元，毛利率20.05%。

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，公司產(chǎn)品線覆蓋全面，MOSFET、IGBT、SiC/GaN均有布局。這種全鏈條模式使公司能夠更好地控制成本和品質(zhì)，但同時(shí)也面臨更大的資本開(kāi)支壓力。

捷捷微電專注于功率半導(dǎo)體器件。

該業(yè)務(wù)收入10.74億元，同比增長(zhǎng)27.86%，占總營(yíng)收67.1%，毛利率高達(dá)40.57%。公司在中低壓溝槽MOSFET領(lǐng)域具有優(yōu)勢(shì)。同時(shí)積極拓展IGBT模塊業(yè)務(wù)。功率半導(dǎo)體芯片業(yè)務(wù)收入4.92億元，同比增長(zhǎng)23.31%，占比30.8%，但毛利率較低為21.60%;功率器件封測(cè)業(yè)務(wù)規(guī)模較小，營(yíng)收僅為1164萬(wàn)元。

士蘭微業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)最為多元化，涵蓋集成電路、分立器件和發(fā)光二極管三大板塊。

集成電路業(yè)務(wù)營(yíng)收25.58億元，同比增長(zhǎng)26%，占比40.4%，毛利率31.14%;分立器件業(yè)務(wù)營(yíng)收30.08億元，同比增長(zhǎng)25%，占比47.5%，毛利率14.01%;發(fā)光二極管業(yè)務(wù)營(yíng)收3.46億元，同比下降17%，占比5.5%。公司IPM模塊在國(guó)內(nèi)變頻空調(diào)市場(chǎng)滲透率超過(guò)60%，穩(wěn)居第一;32位MCU電路產(chǎn)品增長(zhǎng)迅速，同比增長(zhǎng)約60%。

英諾賽科專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵技術(shù)，業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單但技術(shù)含量高。

氮化鎵模組收入2.36億元，同比增長(zhǎng)121.7%，占比42.68%;氮化鎵分立器件及IC收入2.07億元，同比增長(zhǎng)49.9%，占比37.43%;氮化鎵晶圓收入1.08億元，占比19.53%，同比減少22.2%(主動(dòng)把部分晶圓轉(zhuǎn)為模組/IC 出貨)。是全球首家大規(guī)模量產(chǎn)8英寸晶圓的氮化鎵IDM企業(yè)，其電壓譜系覆蓋15V-1200V全電壓范圍。

三、市場(chǎng)趨勢(shì)：三大趨勢(shì)驅(qū)動(dòng)，功率半導(dǎo)體格局生變

5家企業(yè)各業(yè)務(wù)板塊上半年的發(fā)展動(dòng)態(tài)，透露出功率半導(dǎo)體行業(yè)正在經(jīng)歷技術(shù)變革和市場(chǎng)重構(gòu)，三大趨勢(shì)正成為行業(yè)發(fā)展的核心驅(qū)動(dòng)力。

新能源與汽車電子成為最大增量市場(chǎng)，技術(shù)門檻持續(xù)提升。

從5家企業(yè)的業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)來(lái)看，新能源相關(guān)業(yè)務(wù)已成為最主要的增長(zhǎng)引擎。東微半導(dǎo)車規(guī)收入占比已達(dá)22%，同比增長(zhǎng)90%;華潤(rùn)微泛新能源(車+光+儲(chǔ))占產(chǎn)品與方案收入的44%，市場(chǎng)規(guī)模平穩(wěn)向上，IGBT模塊在光伏、儲(chǔ)能頭部客戶份額提升;

捷捷微電車規(guī)級(jí)產(chǎn)品在中低壓MOSFET中占比達(dá)到35%;士蘭微應(yīng)用于汽車、光伏的IGBT和SiC(模塊、器件)的營(yíng)業(yè)收入同比增長(zhǎng)超80%;英諾賽科在報(bào)告期內(nèi)，應(yīng)用于激光雷達(dá)、車載充電機(jī)(OBC)等場(chǎng)景的車規(guī)級(jí)芯片交付量同比增長(zhǎng)128%。

這一趨勢(shì)背后反映出汽車電氣化進(jìn)程的加速。800V高壓平臺(tái)正在成為新一代電動(dòng)車的主流配置，對(duì)功率半導(dǎo)體提出了更高的要求。

東微半導(dǎo)的超級(jí)結(jié)MOSFET已配套800V直流樁，在新能源汽車直流充電樁領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)批量出貨;英諾賽科的1200V氮化鎵產(chǎn)品應(yīng)用于新能源汽車的800V電池平臺(tái)，主要用于提升車載充電效率、縮小體積、擴(kuò)大續(xù)航里程并降低成本;士蘭微基于V代IGBT和FRD芯片的電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊已實(shí)現(xiàn)批量供貨。

積極布局，向更大尺寸晶圓迭代。

上半年，這5家功率半導(dǎo)體企業(yè)積極布局生產(chǎn)線，共同朝向更大尺寸晶圓迭代。大尺寸晶圓的核心優(yōu)勢(shì)在于能大幅降低單個(gè)芯片的成本。邊緣浪費(fèi)比例更小，在相近的制造成本下可產(chǎn)出更多的芯片數(shù)量，極大提升了生產(chǎn)效率。

東微半導(dǎo)體超級(jí)結(jié)產(chǎn)品在12英寸晶圓生產(chǎn)線上的交付能力持續(xù)擴(kuò)大，平均測(cè)試良率顯著提升，標(biāo)志著其制造能力邁入新階段。華潤(rùn)微電子明確將產(chǎn)能擴(kuò)展重心轉(zhuǎn)向12英寸晶圓制造，其深圳及重慶12英寸產(chǎn)線正處于產(chǎn)能爬坡期，產(chǎn)品良率高，預(yù)計(jì)單位面積成本可比8英寸降低12-15%。

士蘭微已有12英寸產(chǎn)線保持滿載運(yùn)行，并計(jì)劃新建第二條12英寸線，持續(xù)擴(kuò)大先進(jìn)制程產(chǎn)能。捷捷微電子雖仍以8英寸為主，但其積極推進(jìn)“年產(chǎn)60萬(wàn)片8英寸芯片”項(xiàng)目，體現(xiàn)向高階晶圓制造過(guò)渡的意圖。

專注第三代半導(dǎo)體材料的英諾賽科，其氮化鎵器件大部分基于8英寸硅基晶圓平臺(tái)，產(chǎn)品良率高達(dá)95%，并計(jì)劃持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)至每月2萬(wàn)片。

第三代半導(dǎo)體進(jìn)入量產(chǎn)爬坡期，生態(tài)建設(shè)成為競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)。

SiC和GaN第三代半導(dǎo)體正從研發(fā)階段走向規(guī)?；慨a(chǎn)，5家企業(yè)都在加速布局。華潤(rùn)微碳化硅和氮化鎵功率器件銷售收入同比實(shí)現(xiàn)高速增長(zhǎng)，目前SiC JBS G3和SiC MOS G2均已完成產(chǎn)品系列化并量產(chǎn)，產(chǎn)品覆蓋主流系列。

英諾賽科專注于氮化鎵功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，其3.0代工藝平臺(tái)實(shí)現(xiàn)了單片晶圓芯片產(chǎn)出量提升30%以上。多款產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)全球首次量產(chǎn)，包括高壓GaN 1200V芯片、低壓雙向GaN產(chǎn)品以及100V機(jī)器人關(guān)節(jié)用芯片。此外，英諾賽科與意法半導(dǎo)體、美的、聯(lián)合汽車電子、英偉達(dá)等知名企業(yè)達(dá)成了戰(zhàn)略合作。

東微半導(dǎo)SiC MOSFET產(chǎn)品線實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)交付，第二代、第三代650V和1200V平臺(tái)產(chǎn)品穩(wěn)定出貨，1400V系列產(chǎn)品通過(guò)客戶測(cè)試并獲訂單。第四代SiC MOSFET研發(fā)成功，進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段。捷捷微電的SiC樣品已開(kāi)始送樣客戶，預(yù)計(jì)2026年將開(kāi)始貢獻(xiàn)顯著營(yíng)收。

士蘭微上半年第二代SiC-MOSFET芯片累計(jì)出貨已達(dá)2萬(wàn)顆，第四代SiC芯片與模塊已送樣客戶評(píng)估，預(yù)計(jì)下半年開(kāi)始放量。

其子公司廈門士蘭明鎵已實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)10000片6寸SiC-MOSFET芯片的生產(chǎn)能力，滿足多領(lǐng)域需求。同時(shí)，其參股公司廈門士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線首臺(tái)工藝設(shè)備搬入，預(yù)計(jì)四季度通線試產(chǎn)，規(guī)劃年產(chǎn)能42萬(wàn)片8寸SiC晶圓。

此外，AI數(shù)據(jù)中心建設(shè)也對(duì)功率半導(dǎo)體提出了新的要求——高效、高功率密度成為關(guān)鍵指標(biāo)。

上半年，英諾賽科100V 48V→12V方案規(guī)模交付，成為國(guó)內(nèi)唯一進(jìn)入英偉達(dá)800V高壓直流AI服務(wù)器方案名單的企業(yè)。華潤(rùn)微的MOSFET也在AI服務(wù)器場(chǎng)景快速放量。

四、小結(jié)

2025年上半年，這5家功率半導(dǎo)體企業(yè)在新能源、汽車、AI算力等需求拉動(dòng)下保持增長(zhǎng)，但企業(yè)間分化明顯。

展望下半年，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)將更趨激烈。功率半導(dǎo)體已經(jīng)從“國(guó)產(chǎn)替代”的“求生存”，進(jìn)入“技術(shù)領(lǐng)先”的“拼實(shí)力”階段 ——大英寸晶圓、SiC/GaN 工藝、車規(guī)認(rèn)證，缺一個(gè)都可能掉隊(duì)。未來(lái)將屬于能在技術(shù)迭代上掌握話語(yǔ)權(quán)的企業(yè)。(技術(shù)話語(yǔ)權(quán)類似的表達(dá))

你認(rèn)為這5家功率半導(dǎo)體企業(yè)，下半年誰(shuí)能在國(guó)產(chǎn)替代的賽道上取得領(lǐng)先?歡迎評(píng)論區(qū)留言討論。

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