晶圓蝕刻后的清洗是半導體制造中的關(guān)鍵步驟，旨在去除蝕刻殘留物（如光刻膠、蝕刻產(chǎn)物、污染物等），同時避免對晶圓表面或結(jié)構(gòu)造成損傷。以下是常見的清洗方法及其原理：

一、濕法清洗

1. 溶劑清洗

• 目的：去除光刻膠、有機殘留物和部分蝕刻產(chǎn)物。
• 常用溶劑：
  • 丙酮（Acetone）：溶解正性光刻膠。
  • 醋酸乙酯（Ethyl Acetate）：替代丙酮的環(huán)保溶劑。
  • N-甲基吡咯烷酮（NMP）：用于頑固光刻膠或聚合物殘留。
• 工藝：超聲輔助清洗（增強溶劑滲透和剝離效果）。

2. 酸/堿化學清洗

• 目的：去除無機蝕刻產(chǎn)物（如氧化物、金屬鹽）和顆粒。
• 常見配方：
  • SC-1液（NH?OH + H?O? + H?O）：去除有機物和顆粒，調(diào)節(jié)表面電荷。
  • SC-2液（HCl + H?O? + H?O）：去除金屬污染和氧化層。
  • 緩沖氧化物蝕刻（BOE）（HF + NH?F）：去除氧化硅殘留。
  • 硫酸-雙氧水（H?SO? + H?O?）：高溫（120℃）下氧化有機污染物，適用于重金屬污染。
• 工藝：浸泡或噴淋，配合超聲波或兆聲波（提升清洗效率）。

3. 去離子水（DI Water）沖洗

• 目的：去除化學殘留和顆粒，防止干涸后形成缺陷。
• 工藝：
  • 多點噴淋或溢流沖洗，確保晶圓表面無水滴殘留。
  • 超純水（電阻率≥18 MΩ·cm）避免引入雜質(zhì)。

二、干法清洗

1. 等離子體清洗

• 原理：通過輝光放電產(chǎn)生高能離子和自由基，與表面污染物反應生成揮發(fā)性物質(zhì)。
• 氣體選擇：
  • 氧氣（O?）等離子體：氧化有機殘留（如光刻膠）。
  • 氟化氣體（CF?/NF?）等離子體：去除氟化蝕刻產(chǎn)物（如SiF?）。
  • 氬氣（Ar）等離子體：物理轟擊去除顆粒，適用于金屬層清洗。
• 工藝：低壓（10-1000 mTorr）、射頻（RF）或微波激勵，時間從幾秒到分鐘。

2. 紫外（UV）臭氧清洗

• 原理：UV光（185/254 nm）分解臭氧（O?）產(chǎn)生氧自由基，氧化有機物。
• 適用場景：去除光刻膠殘留，低溫（<100℃）避免熱損傷。

3. 氣相清洗（Vapor Cleaning）

• 原理：利用高揮發(fā)性化學試劑（如三氟乙酸、全氟戊酮）的蒸汽與污染物反應。
• 工藝：將晶圓暴露于蒸汽環(huán)境中，反應后冷凝回收化學品。

三、復合清洗工藝

1. RCA標準清洗

• 流程：
  1. SC-1液（去離子污染）→ DI水沖洗
  2. SC-2液（去金屬污染）→ DI水沖洗
  3. BOE（去氧化層）→ DI水沖洗
• 適用性：廣泛用于硅片清洗，但對納米結(jié)構(gòu)可能過于劇烈。

2. 兆聲波（Megasonic）清洗

• 原理：高頻（>1 MHz）聲波產(chǎn)生微小氣泡爆破，剝離亞微米顆粒。
• 優(yōu)勢：不依賴化學腐蝕，適用于敏感結(jié)構(gòu)（如淺溝槽隔離TSV）。

四、特殊應用清洗

1. 金屬層蝕刻后清洗

• 挑戰(zhàn)：避免腐蝕金屬線（如Cu、Al）。
• 方案：
  • 弱酸性溶液（如稀HCl）去除Cl?蝕刻殘留。
  • 惰性氣體（N?）吹掃防止氧化。

2. 三維結(jié)構(gòu)清洗（如FinFET、GAA）

• 難點：深槽或孔洞內(nèi)殘留難以去除。
• 方案：
  • 延長等離子體暴露時間或提高功率。
  • 結(jié)合濕法化學（如HF各向同性腐蝕）清除側(cè)壁副產(chǎn)物。

3. 光刻膠灰化（Descum）

• 目的：去除蝕刻后殘留的薄膠層（Scum）。
• 工藝：O?等離子體短時間處理（10-30秒），避免損傷底層結(jié)構(gòu)。

五、清洗后處理與檢測

干燥技術(shù)：

• IPA（異丙醇）脫水：取代表面水分后快速揮發(fā)，減少水痕。
• Marangoni干燥：利用表面張力梯度實現(xiàn)均勻干燥（如旋涂HCPD溶液）。
• 真空干燥：避免顆粒二次污染。

檢測方法：

• 光學顯微鏡：檢查顆粒和殘留物。
• 橢偏儀：測量表面薄膜厚度變化。
• X射線光電子能譜（XPS）：分析化學殘留成分。