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氮化硼納米管在芯片熱界面領(lǐng)域?qū)嵝阅芸商嵘?0-20%,成本僅增加1-2%

義邦新材料 ? 2025-04-03 13:55 ? 次閱讀
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芯片級(jí)封裝是集成電路(IC)制造中至關(guān)重要的環(huán)節(jié),它直接影響著IC的性能、可靠性和成本。隨著電子設(shè)備不斷追求更小型化、更高性能和更低功耗,芯片級(jí)封裝技術(shù)也在不斷演進(jìn)。

氮化硼納米管在TIM中的應(yīng)用

隨著電子設(shè)備的性能不斷提升,芯片的散熱問(wèn)題日益突出。傳統(tǒng)的熱界面材料(TIM)如熱環(huán)氧和硅樹(shù)脂雖成本低,但導(dǎo)熱性能有限,已在散熱效率上已逐漸接近極限,因此需要新的材料來(lái)進(jìn)一步提升散熱性能。氮化硼納米管(BNNT)作為一種新型的高導(dǎo)熱填料,正在成為優(yōu)化芯片散熱的關(guān)鍵材料。

芯片封裝中,TIM1和TIM2是關(guān)鍵的散熱材料。TIM1通常用于芯片與散熱器之間的界面,而TIM2則用于散熱器與熱沉之間的界面。通過(guò)在TIM中添加氮化硼納米管粉末,可以顯著提升導(dǎo)熱性能。

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氮化硼納米管的加入,徹底改變了這一局面

●在TIM中添加大連義邦氮化硼納米管,導(dǎo)熱性能可提升10-20%,而成本僅增加1-2%。這意味著,只需極小的成本投入,就能顯著提升處理器的散熱效率,延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。

●高性價(jià)比:相比其他導(dǎo)熱填料,氮化硼納米管的添加比例極低(通常為0.5%-5%),卻能帶來(lái)顯著的導(dǎo)熱性能提升。而其他填料如氧化鋁、氮化鋁等,添加比例往往高達(dá)20-40%,不僅成本大幅增加,還可能改變材料的物理性質(zhì),影響散熱效果。

●穩(wěn)定性與兼容性:氮化硼納米管具有優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定的導(dǎo)熱性能,且不會(huì)與其他材料發(fā)生不良反應(yīng),確保散熱系統(tǒng)的長(zhǎng)期可靠性。

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大連義邦氮化硼納米管的優(yōu)勢(shì)

●超高導(dǎo)熱系數(shù):氮化硼納米管的導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)2400 W/m·K,是銅的6倍,鉆石的3倍。這種卓越的導(dǎo)熱性能,使其成為芯片散熱材料的理想選擇。

●電絕緣性:氮化硼納米管具有極高的電阻率(>10? Ω·cm),且?guī)稙?.5 eV,是一種優(yōu)異的電絕緣體。這使得它在高密度集成電路中能夠有效避免短路風(fēng)險(xiǎn),確保設(shè)備的安全運(yùn)行。

●化學(xué)穩(wěn)定性:氮化硼納米管在高溫環(huán)境下表現(xiàn)出優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性,能夠在850-900°C的高溫下保持穩(wěn)定,遠(yuǎn)高于碳材料的350-550°C。這種特性使其在高溫工作環(huán)境中具有更長(zhǎng)的使用壽命。

大連義邦氮化硼納米管憑借領(lǐng)先的導(dǎo)熱性能、輕量化特性和電絕緣性,正在成為芯片散熱領(lǐng)域的理想材料之一。無(wú)論是作為熱界面材料的添加劑,還是封裝材料的增強(qiáng)劑,氮化硼納米管都能顯著提升散熱性能,延長(zhǎng)設(shè)備壽命,同時(shí)降低生產(chǎn)成本。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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