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為什么采用多晶硅作為柵極材料

中科院半導(dǎo)體所 ? 來(lái)源:Tom聊芯片智造 ? 2025-02-08 11:22 ? 次閱讀
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本文解釋了為什么采用多晶硅作為柵極材料

柵極材料的變化

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如上圖,gate就是柵極,柵極由最開(kāi)始的鋁柵,到多晶硅柵,再到HKMG工藝中的金屬柵極。 柵極的作用 柵極的主要作用是控制晶體管中的溝道的電流。柵極電壓的變化使得晶體管在導(dǎo)通和關(guān)閉狀態(tài)之間切換。 多晶硅柵的優(yōu)勢(shì) 1. 多晶硅耐高溫。在源漏離子注入后,需要高溫退火。而鋁柵的熔點(diǎn)在六百多攝氏度。而高溫退火過(guò)程中,多晶硅柵能夠保持較好的穩(wěn)定性,不易受到影響。 2. 可以作為離子注入的遮蔽層,實(shí)現(xiàn)多晶硅柵與源漏的自對(duì)準(zhǔn),這樣就不會(huì)出現(xiàn)柵極和源漏套刻不對(duì)齊的問(wèn)題。

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3.可以通過(guò)摻雜來(lái)提高閾值電壓。多晶硅柵通過(guò)控制其摻雜物的種類和濃度,能夠調(diào)節(jié)工作函數(shù),從而精確控制閾值電壓。

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原文標(biāo)題:為什么采用多晶硅作為柵極材料?

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