今日，三星電子宣布推出了業(yè)內最大容量的HBMDRAM——HBM3E 12H，該系列產品首次采用了12層堆疊技術。

HBM3E 12H的全天候帶寬可達驚人的1280GB/s，并且擁有高達36GB的容量。相較于原有的8層堆疊HBM3 8H，此次升級的HBM3E 12HT不僅在帶寬上提升了近50%，而且在容量方面也有了顯著增長。

“隨著AI行業(yè)對大容量HBM的需求日益增大，我們的新產品HBM3E 12H應運而生，”三星電子內存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道，“這個存儲方案是我們在人人工智能時代所推崇的HBM核心技術、以及創(chuàng)新堆疊技術的成果展示?！?/p>

據悉，HBM3E 12H運用了熱壓非導電薄膜（TC NCF）技術，使得12層與8層堆疊產品能夠保持相同的高度，適應現行的HBM封裝標準。該技術在更高層次的堆疊中優(yōu)勢明顯，可以有效地防止芯片彎曲現象，三星一直致力于減薄非導電薄膜（NCF）材料厚度，并成功縮小芯片間的間距至7微米（μm），同時消除了層與層之間的空隙，從而大幅提升了HBM3E 12H產品的垂直密度。

此外，三星的熱壓非導電薄膜（TC NCF）技術還優(yōu)化了HBM的熱量管理功能，通過在芯片之間使用不同尺寸的凸點（bump）提高效率。這種技術在芯片鍵合（chip bonding）過程中的互補效應尤為突出，能夠有效提升產品良率。

據三星電子稱，與HBM3 8H相比，HBM3E 12H在大數據處理上將帶來34%的效率提升，同時客戶規(guī)模也能因性能增強提升超過11.5倍。

據報道，三星已經開始為客戶提供HBM3E 12H樣品，預計在下半年全面投入大規(guī)模生產。