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首款國產(chǎn)LPDDR5存儲(chǔ)芯片來了!已在小米、傳音等品牌機(jī)型上完成驗(yàn)證

微云疏影 ? 來源:EDN電子技術(shù)設(shè)計(jì) ? 作者:EDN電子技術(shù)設(shè)計(jì) ? 2023-12-06 16:30 ? 次閱讀
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日前,長鑫存儲(chǔ)面向中高端移動(dòng)設(shè)備市場,正式推出LPDDR5系列產(chǎn)品,成為國內(nèi)首家推出自主研發(fā)生產(chǎn)的LPDDR5產(chǎn)品的品牌,不僅進(jìn)一步完善長鑫存儲(chǔ)DRAM芯片的產(chǎn)品布局,更實(shí)現(xiàn)了國內(nèi)市場LPDDR5產(chǎn)品零的突破。

據(jù)介紹,長鑫的LPDDR5系列產(chǎn)品包括12Gb的LPDDR5顆粒,POP封裝的12GB LPDDR5芯片及DSC封裝的6GB LPDDR5芯片。

其中,12GB LPDDR5芯片目前已在國內(nèi)主流手機(jī)廠商小米、傳音等品牌機(jī)型上完成驗(yàn)證。

LPDDR5芯片是第五代超低功耗雙倍速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。與上一代LPDDR4X相比,長鑫存儲(chǔ)LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%,分別達(dá)到12Gb和6400Mbps,同時(shí)功耗降低30%。

長鑫存儲(chǔ)LPDDR5芯片加入了強(qiáng)大的RAS功能,通過內(nèi)置糾錯(cuò)碼(On-die ECC)等技術(shù),實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)糾錯(cuò),減少系統(tǒng)故障,確保數(shù)據(jù)安全,增強(qiáng)穩(wěn)定性。

據(jù)悉,長鑫存儲(chǔ)LPDDR5芯片將面向筆記本電腦、智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備應(yīng)用。

LPDDR全稱為Lwo Power Double Data Rate,簡稱“低功耗內(nèi)存”,是美國JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)面向低功耗內(nèi)存所指定的通信標(biāo)準(zhǔn),以低功耗和小體積著稱,專門用于移動(dòng)式電子產(chǎn)品。

而LPDDR5就是最新的標(biāo)準(zhǔn)。美國固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)把LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)命名為JESD209-5,規(guī)定了LPDDR5將以6400MT/S的速度運(yùn)行,是LPDDR4速度的兩倍,比LPDDR4X的4266MT/S快了50%。

LPDDR5有三大優(yōu)勢,分別是多Bank Group架構(gòu),速率跨越式升級(jí)最多可達(dá)50%性能優(yōu)勢提升和超低功耗。

相比之下,LPDDR4X只支持Single Bank Group,而LPDDR5支持多Bank Group模式,這里可以理解為數(shù)據(jù)可以多通道傳輸,從而進(jìn)一步提升了傳輸數(shù)據(jù)帶寬。也正是因?yàn)锽ank Group模式,從LPDDR4X的4226MT/S的傳輸速率提升至了5500MT/S,傳輸帶寬從34GB/S提升至了44GB/S。

同時(shí)LPDDR5內(nèi)部有三組電壓,VDD1/VDD2/VDDQ,其中VDD2又分為VDD2H和VDD2L,相比LPDDR4X,LPDDR5的VDD2H由1.1V降至1.05V,VDDQ由0.6V降至0.5V,另外還有新加入的DVFSC和DVFSQ功能,可在低速工作時(shí)切換至更低的0.9V和0.3V電壓,因此,LPDDR5的功耗會(huì)更低。正是因?yàn)檫@樣,所以功耗相比前一代產(chǎn)品,功耗下降了2成以上。

SK海力士近日表示,存儲(chǔ)行業(yè)正邁入全面復(fù)蘇階段,預(yù)計(jì)所有應(yīng)用的出貨量都有望實(shí)現(xiàn)增長。

其中智能手機(jī)方面,伴隨部分換機(jī)周期來臨,2024年智能手機(jī)出貨量預(yù)計(jì)增長5%。由于今年下半年新機(jī)發(fā)售加上旗艦產(chǎn)品組合增加,LPDDR5需求會(huì)持續(xù)加速。

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