NVSRAM的工作原理基于將SRAM部分的數(shù)據(jù)在斷電前復制到NVM單元中，并在重新上電時將數(shù)據(jù)從NVM恢復到SRAM。

當寫入數(shù)據(jù)時，數(shù)據(jù)首先存儲在SRAM中。同時，數(shù)據(jù)也被復制到NVM單元中，以實現(xiàn)非易失性的保存。這通常涉及到將數(shù)據(jù)寫入閃存或EEPROM等NVM技術。

在正常的讀取操作中，數(shù)據(jù)直接從SRAM中讀取。SRAM提供了快速的讀取速度和低延遲。

當斷電發(fā)生時，SRAM中的數(shù)據(jù)會失去電源供應，而NVM單元中的數(shù)據(jù)仍然保持，這使得在斷電期間，NVSRAM能夠保持數(shù)據(jù)的完整性，而不需要外部電源的持續(xù)供電，在重新上電后，NVM單元中的數(shù)據(jù)被傳輸回SRAM中，以恢復最新的數(shù)據(jù)狀態(tài)，這樣NVSRAM可以在重新上電后立即提供準確的數(shù)據(jù)訪問。

NVSRAM的架構由三個主要組件組成：SRAM、NVM和控制電路：

SRAM提供了快速的讀寫訪問，用于臨時存儲數(shù)據(jù)。它由一組存儲單元組成，每個單元通常由多個存儲器單元構成，SRAM的高速性能使得數(shù)據(jù)能夠以較低的延遲進行讀取和寫入操作。

NVM單元用于存儲數(shù)據(jù)的非易失性保存，常用的NVM技術包括閃存和EEPROM。閃存具有較高的存儲密度和較低的功耗，適用于大容量的非易失性存儲，EEPROM則提供了更高的可編程性和數(shù)據(jù)擦除能力，適用于頻繁數(shù)據(jù)更新和更靈活的編程操作。

控制電路負責管理數(shù)據(jù)的傳輸和控制。它包括時序生成器、地址和數(shù)據(jù)線路的控制、寫入和讀取操作的管理等。控制電路確保數(shù)據(jù)的正確傳輸和保持，并實現(xiàn)SRAM和NVM之間的數(shù)據(jù)復制和恢復。

通過工作原理和架構的分析，NVSRAM的非易失性存儲能力是通過將SRAM部分的數(shù)據(jù)復制到NVM單元中實現(xiàn)的。

NVSRAM在斷電時能夠保持數(shù)據(jù)，不需要外部電源的持續(xù)供電。這使得NVSRAM在需要快速數(shù)據(jù)訪問和斷電保持的應用場景中具備重要的優(yōu)勢。

通過合理的架構設計和NVM技術選擇，NVSRAM實現(xiàn)了高速、可靠的數(shù)據(jù)存儲和恢復能力。