據(jù)《日經(jīng)新聞》獲悉，日本芯片制造商 Rapidus 和東京大學正在與法國研究機構 Leti 合作，共同開發(fā)使用 1 納米范圍技術設計芯片的基礎技術。

合作伙伴最早將于明年開始積極交換人員并共享技術。Leti將貢獻其在芯片組件方面的專業(yè)知識，以構建供應1納米產(chǎn)品的基礎設施。

Rapidus已經(jīng)與IBM和比利時研發(fā)集團Imec合作，實現(xiàn)2027年量產(chǎn)2納米芯片的目標。預計1納米半導體最快將在2030年代進入主流。

與 2 納米相比，1 納米技術可將功效和計算性能提高 10% 至 20%。IBM 也在考慮在 1 納米領域進行合作。

跨越日本、美國和歐洲的跨境合作伙伴關系預計將為下一代芯片帶來穩(wěn)定的供應鏈。

去年，Rapidus、東京大學和其他日本國立大學與日本理化學研究所聯(lián)合成立了尖端半導體技術中心（LSTC）。10 月，LSTC 與 Leti 簽署了一份諒解備忘錄，探討合作。

LSTC 和 Leti 希望建立設計采用 1.4 納米至 1 納米工藝制造的半導體所需的基本技術。制造1納米產(chǎn)品需要不同的晶體管結構，而在該領域，Leti在薄膜沉積和類似技術方面實力雄厚。

Leti牽頭研究新的晶體管結構，LSTC將合作評估和測試原型，以及派遣人員。

對于傳統(tǒng)的芯片元件結構，超過一定程度的小型化會降低功率效率并限制性能提高的范圍。日本在 1 納米范圍內(nèi)的半導體設計開發(fā)方面沒有本土技術。

有鑒于此，Rapidus和其他日本利益相關者設想通過聯(lián)合研究和進口1納米設計技術與海外研究機構和公司建立關系。Rapidus于去年在日本政府的支持下成立，旨在重振國內(nèi)芯片行業(yè)。

2000年代初期，日本啟動了多個旨在開發(fā)小型化技術的國家半導體項目，但均未能取得有意義的成果。由于巨大的成本負擔，日本大型電子制造商退出了先進芯片的開發(fā)。

目前，日本企業(yè)只能生產(chǎn)40納米工藝的半導體。

麥肯錫公司 (McKinsey & Co.) 表示，到 2030 年，全球半導體市場有望達到 1 萬億美元，而 2021 年約為 6000 億美元。各國正在激烈競爭大規(guī)模生產(chǎn)先進芯片。

全球領先的三星電子和臺積電預計將于 2025 年大規(guī)模生產(chǎn)采用 2 納米技術的半導體。生產(chǎn) 4 納米產(chǎn)品的英特爾計劃明年開始采用 1.8 納米工藝制造芯片。

Rapidus 將于 2025 年 4 月啟動一條生產(chǎn) 2 納米產(chǎn)品的試驗生產(chǎn)線。該公司計劃于 2027 年在北海道大規(guī)模生產(chǎn)半導體。

Rapidus 成立于去年 8 月，由豐田汽車和 NTT 等八家日本公司投資 73 億日元（4,850 萬美元）。經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省正在向 Rapidus 提供 3300 億日元的補貼。