此前計算了損耗發(fā)生部分的損耗，本文將介紹匯總這些損耗并作為電源IC的損耗進行計算的例子。

電源IC的功率損耗計算示例（內(nèi)置MOSFET的同步整流型IC）

圖中給出了從“電源IC的損耗”這個角度考慮時相關(guān)的部分。本次以輸出段的MOSFET內(nèi)置型IC為例進行說明。相關(guān)內(nèi)容見圖中藍色所示部分。電感除外（因為電感是外置的）。如果計算此前的說明中使用的控制器型IC的損耗的話，是不包括MOSFET和電感損耗的。

要計算損耗時，需要有單獨計算時公式各項相應(yīng)的值。原則上使用技術(shù)規(guī)格書中給出的值。

一般情況下，技術(shù)規(guī)格書的標準值（即IC參數(shù)的值）中，包括最小值、典型值、最大值。有些參數(shù)只有最小值或最大值，或只有典型值，并非所有的參數(shù)都具備這三種值。

關(guān)于應(yīng)該使用這些值的哪個值，可能會有不同的看法，但我認為應(yīng)該考慮到值的變化/波動，計算最差條件下的損耗。

此次將使用右側(cè)給出的值。這些均是以最差條件為前提的值。計算步驟是先按照每種損耗的公式計算各自的損耗，然后再將損耗結(jié)果相加。

① 高邊MOSFET的傳導(dǎo)損耗

② 低邊MOSFET的傳導(dǎo)損耗

③ 高邊MOSFET的開關(guān)損耗

④ 死區(qū)時間損耗

⑤ IC控制電路的功率損耗

⑥ 柵極電荷損耗

電源IC的功率損耗總和

在本示例中，電源IC的功率損耗約為1W。只要用于計算的數(shù)據(jù)完整，功率損耗計算并不難。

審核編輯：湯梓紅