·推出LPDDR5X后，僅隔兩個(gè)月成功開發(fā)出速度提高13%的新產(chǎn)品，兼具高速度和低功耗

·采用HKMG工藝實(shí)現(xiàn)性能的極大化

·“不斷加緊超前的技術(shù)開發(fā)，將成為IT領(lǐng)域的游戲規(guī)則改變者”

1月25日， SK海力士宣布，公司成功開發(fā)出當(dāng)前速度最快的移動(dòng)DRAM（內(nèi)存）“LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)”，并已向客戶提供了樣品。

繼SK海力士在去年11月推出的移動(dòng)DRAM LPDDR5X*，將其性能提升成功開發(fā)出了LPDDR5T。本次產(chǎn)品的速度比現(xiàn)有產(chǎn)品快13%，運(yùn)行速度高達(dá)9.6Gbps（Gb/s）。公司為了強(qiáng)調(diào)其超高速度特性，命名時(shí)在規(guī)格名稱“LPDDR5”上加以“Turbo（渦輪增壓）”作為了后綴。

* LPDDR（低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率）：是用于智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)端產(chǎn)品的DRAM規(guī)格，因以耗電量最小化為目的，具有低電壓運(yùn)行特征。規(guī)格名稱附有“LP（Low Power，低功耗）”，最新規(guī)格為第七代LPDDR（5X），按1-2-3-4-4X-5-5X的順序開發(fā)而成。LPDDR5T是SK海力士業(yè)界首次開發(fā)的產(chǎn)品，是第八代LPDDR6正式問世之前，將第七代LPDDR（5X）性能進(jìn)一步升級(jí)的產(chǎn)品。

同時(shí)，LPDDR5T在國(guó)際半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)化組織(JEDEC)規(guī)定的最低電壓1.01~1.12V（伏特）下運(yùn)行。公司強(qiáng)調(diào)本次產(chǎn)品兼具了高速度和低功耗的特性。

SK海力士表示：“公司推出每秒8.5Gb速度的LPDDR5X后，僅隔兩個(gè)月再次突破了技術(shù)局限。今后將供應(yīng)客戶所需求的多種容量產(chǎn)品，進(jìn)一步鞏固移動(dòng)DRAM市場(chǎng)的主導(dǎo)權(quán)?！?/p>

公司近期向客戶提供了將LPDDR5T芯片組合為16GB(千兆)容量的封裝樣品。該樣品的數(shù)據(jù)處理速度可達(dá)每秒77GB，相當(dāng)于每秒處理15部全高清（Full-HD）電影。

SK海力士計(jì)劃采用第4代10納米級(jí)（1a）精細(xì)工藝，將于今年下半年推進(jìn)本次產(chǎn)品的量產(chǎn)。

另外，SK海力士在本次產(chǎn)品中也采用了“HKMG（High-K Metal Gate）”*工藝。公司表示：“本次產(chǎn)品通過采用HKMG工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)了最佳性能表現(xiàn)。堅(jiān)信在下一代LPDDR6問世之前，大幅拉開技術(shù)差距的LPDDR5T將主導(dǎo)該市場(chǎng)?！?/p>

* HKMG（High-K Metal Gate）：在DRAM晶體管內(nèi)的絕緣膜上采用高K柵電介質(zhì)，在防止漏電的同時(shí)還可改善電容（Capacitance）的新一代工藝。不僅可以提高內(nèi)存速度，還可降低功耗。SK海力士去年11月在移動(dòng)DRAM上全球首次采用了HKMG工藝。

IT行業(yè)預(yù)測(cè)，今后在智能手機(jī)5G時(shí)代，能夠滿足高速度、高容量、低功耗等所有配置的高性能存儲(chǔ)器需求將會(huì)增長(zhǎng)。在這種趨勢(shì)下，SK海力士期待LPDDR5T的應(yīng)用范圍不僅限于智能手機(jī)，還將擴(kuò)展到人工智能(AI)、機(jī)器學(xué)習(xí)(Machine Learning)、增強(qiáng)/虛擬現(xiàn)實(shí)(AR/VR)。

SK海力士DRAM商品企劃擔(dān)當(dāng)副社長(zhǎng)柳成洙表示：“公司通過本次新產(chǎn)品的開發(fā)，提前滿足了客戶對(duì)高速度產(chǎn)品的需求。今后也將致力于開發(fā)引領(lǐng)新一代半導(dǎo)體市場(chǎng)的超前技術(shù)，成為IT領(lǐng)域的游戲規(guī)則改變者。”

審核編輯 ：李倩