HMC561LP3有源倍頻器介紹
HMC561LP3(E)是一款使用GaAs PHEMT技術(shù)的x2有源寬帶倍頻器，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳SMT封裝。
由+5 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，該倍頻器在8至21 GHz范圍內(nèi)提供+14 dBm的典型輸出功率，在16 GHz頻率下，F(xiàn)o和3Fo隔離均為15 dBc。
HMC561LP3(E)非常適合在點(diǎn)對(duì)點(diǎn)和VSAT無(wú)線電的LO倍頻鏈中使用，與傳統(tǒng)方法相比，可以減少器件數(shù)量。
100 kHz偏置時(shí)的低加性SSB相位噪聲為-139 dBc/Hz，有助于保持良好的系統(tǒng)噪聲性能。
HMC561LP3(E)采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的封裝，無(wú)需線焊，可以使用表貼制造技術(shù)。
時(shí)鐘生成應(yīng)用：
SONET OC-192和SDH STM-64;
點(diǎn)對(duì)點(diǎn)和VSAT無(wú)線電
測(cè)試儀器儀表
軍事和太空
審核編輯：劉清
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
smt
+關(guān)注
關(guān)注
44文章
3125瀏覽量
74721 -
SDH
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
97瀏覽量
42666 -
有源倍頻器
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
9瀏覽量
6197
原文標(biāo)題：HMC561LP3有源倍頻器SMT，8 - 21 GHz Fout
文章出處：【微信號(hào)：兆億微波，微信公眾號(hào)：兆億微波】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
HMC942LP4E x2有源倍頻器，25-31GHz輸出技術(shù)手冊(cè)
HMC942LP4E是一款x2有源寬帶倍頻器，使用GaAs pHEMT技術(shù)，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳SMT封裝。 由+4 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，該倍頻器在13至24.6 GHz范圍內(nèi)提
HMC598 x2有源倍頻器芯片技術(shù)手冊(cè)
HMC598是一款x2有源寬帶倍頻器芯片，采用GaAs PHEMT技術(shù)。 由+5 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，倍頻器提供+15 dBm典型輸出功率（22 GHz至46 GHz），30 GHz時(shí)的
HMC578LC3B x2有源倍頻器SMT技術(shù)手冊(cè)
HMC578LC3B是一款使用GaAs PHEMT技術(shù)的x2有源寬帶倍頻器，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳SMT封裝。 由+3 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，該倍
HMC578 x2有源倍頻器芯片技術(shù)手冊(cè)
HMC578是一款采用GaAs PHEMT技術(shù)的x2有源寬帶倍頻器芯片。 由+3 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，該倍頻器在24至33 GHz范圍內(nèi)提供+
HMC575LP4/575LP4E x2有源倍頻器，采用SMT封裝技術(shù)手冊(cè)
HMC575LP4(E)是一款x2有源寬帶倍頻器，使用GaAs PHEMT技術(shù)，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳SMT封裝。 由3 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，該
HMC561LP3 x2有源倍頻器SMT技術(shù)手冊(cè)
HMC561LP3(E)是一款使用GaAs PHEMT技術(shù)的x2有源寬帶倍頻器，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳SMT封裝。 由+5 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，該倍頻器在8至21 GHz范圍內(nèi)提供
HMC561 x2有源倍頻器芯片技術(shù)手冊(cè)
HMC561是一款采用GaAs pHEMT技術(shù)的x2有源寬帶倍頻器芯片。 由+5 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，該倍頻器在8至21 GHz范圍內(nèi)提供+17 dBm的典型輸出功率，在16 GHz頻率
HMC448 x2有源倍頻器芯片技術(shù)手冊(cè)
HMC448是一款采用GaAs PHEMT技術(shù)制造而成的x2有源寬帶倍頻器芯片。 由0 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，該倍頻器在19至25 GHz范圍內(nèi)提供+11 dBm的典型輸出功率。 在最高2
HMC444LP4/444LP4E有源x8倍頻器，采用SMT封裝技術(shù)手冊(cè)
HMC444LP4(E)是一款有源微型x8倍頻器，使用InGaP GaAs HBT技術(shù)，采用4x4 mm無(wú)引腳表面貼裝封裝。 功率輸出為+6 dBm（典型值），電源電壓為5V，在不同的輸入功率、溫度和電源電壓下變化很小。
HMC370LP4/370LP4E x4有源倍頻器SMT技術(shù)手冊(cè)
HMC370LP4(E)是一款利用InGaP GaAs HBT技術(shù)制造而成的有源微型x4倍頻器，采用4x4 mm無(wú)鉛表面貼裝封裝。 在5V電源電壓下，功率輸出為0 dBm（典型值）且相對(duì)輸入功率
HMC369LP3/369LP3E x2有源倍頻器SMT技術(shù)手冊(cè)
HMC369LP3(E)是一款采用InGaP GaAs HBT技術(shù)的有源微型x2倍頻器，提供3x3 mm無(wú)引腳QFN表貼封裝。 功率輸出為+4 dBm（典型值），單電源電壓為+5V，在
HMC368LP4/368LP4E x2有源倍頻器SMT技術(shù)手冊(cè)
的典型輸出功率。 Fo和3Fo隔離為18 dB（典型值）。 100 kHz失調(diào)時(shí)，加性SSB相位噪聲低至-140 dBc/Hz，可幫助用戶保持良好的系統(tǒng)噪聲性能。 HMC368LP4(E)非常適合LO倍頻器鏈路，與傳統(tǒng)方法相比可
HMC1096LP3E GaAs pHEMT MMIC x2有源倍頻器，3.8-5.6GHz輸出技術(shù)手冊(cè)
HMC1096LP3E是一款采用GaAs pHEMT技術(shù)制造而成的x2有源寬帶倍頻器，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳低應(yīng)力注射成型塑料SMT封裝。 由0 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，該倍頻器在3.
HMC-C034 x2有源倍頻器模塊技術(shù)手冊(cè)
HMC-C034是一款x2有源寬帶倍頻器，采用GaAs PHEMT技術(shù)，封裝在微型密封模塊中。 由3 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，該倍頻器在32至46
HMC-C032 x2有源倍頻器模塊技術(shù)手冊(cè)
HMC-C032是一款x2有源寬帶倍頻器，采用GaAs PHEMT技術(shù)，封裝在微型密封模塊中。 由+3 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，該倍頻器在18至2
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論