近日，德州儀器旗下LM25149和LMG3525R030-Q1兩款芯片分別獲得由 21ic 電子網評選頒發(fā)的 2021 年度（第十九屆）TOP10 Power 產品獎和優(yōu)化開發(fā)獎。

TOP10 Power 電源產品獎是由 21ic 主導策劃的，至今已經成功舉辦了 18 年。今年，經過全網數千次的工程師投票和 21ic 編輯緊張的審評，2021 年度第十九屆 Top10 Power 電源產品獎結果出爐。

TOP10 Power 產品獎是備受中國電源行業(yè)內認同的行業(yè)基準之一，綜合自技術、應用、設計、創(chuàng)新、能效比多項技術指標嚴格評選得出。該獎項的參選范圍包括所有電源類產品，獲得該殊榮則代表著該產品在本年度具有極高的產品力和技術創(chuàng)新。

優(yōu)化開發(fā)獎則更趨向于工程師開發(fā)，獲得該殊榮代表著該產品具有完備開發(fā)套件，易于工程師迅速掌握進行二次開發(fā)。

LM25149：首款具有集成式有源EMI濾波器的先進直流/直流控制器

LM25149 同步直流/直流降壓控制器是業(yè)界具有集成式有源 EMI 濾波器的先進直流/直流控制器，支持工程師實現超小的低 EMI 電源設計。設計人員可以使用該器件來減小工業(yè)和汽車電子產品中電源的尺寸并降低 EMI。

通過集成式有源 EMI 濾波器，LM25149 使工程師能夠滿足 EMI 標準，同時提高設計的功率密度。工程師可將外部 EMI 濾波器的面積減半，將電源設計中多個頻帶上的傳導EMI 降低多達 55dBμV，或者同時縮減濾波器尺寸和降低 EMI。

在開關電源設計中，實現低 EMI 電源和小尺寸解決方案通常是相互矛盾的。但是，LM25149 支持工程師滿足具有挑戰(zhàn)性的 EMI 標準，并通過減小無源 EMI 濾波器的面積和體積來縮減解決方案尺寸。

與同類競爭解決方案相比，在 440kHz 頻率下，工程師最多可以將前端 EMI 濾波器的面積和體積分別縮減近 50% 和 75% 以上。通過減小無源元件的濾波負載，集成式有源 EMI 濾波器可減小無源元件的尺寸、體積和成本，從而使工程師實現尺寸更小、EMI 更低的電源設計。

LM25149 控制器通過實現交錯式雙相操作以及集成自舉二極管、環(huán)路補償和輸出電壓反饋元件，進一步提高了功率密度，進而降低設計復雜度和成本。工程師還可以利用外部反饋和環(huán)路補償進一步優(yōu)化其設計。

專家點評

評委組認為：“近年來，電源管理 IC 企業(yè)除了讓功率密度越做越高，EMI 也是廠商關注的焦點。LM25149 遠低于同類競品的 EMI 濾波器面積和體積，為工業(yè)和汽車電子產品帶來更多設計可能性。作為首款具有集成式有源 EMI 濾波器的先進直流/直流控制器，其在各項指標上都頗具優(yōu)勢，該項產品才得以脫穎而出?！?/p>

LMG3525R030-Q1：首款帶集成驅動器、內部保護和有源電源管理的車用GaN FET

全新的 LMG3525R030-Q1 是業(yè)界首款具有集成驅動器、保護和主動電源管理功能的先進汽車 GaN FET。在高電壓、高密度應用中，更大限度地減小布板空間是一個重要的設計考量因素。隨著電子系統(tǒng)越來越小，其中的各種元件也必須縮減尺寸和間距。

TI 的新型 GaN FET 集成了快速開關驅動器以及內部保護和溫度感應功能，使工程師能夠在實現高性能的同時減小電源管理設計的布板空間。

這種集成加上 TI GaN 技術的高功率密度，使工程師不再需要分立式解決方案中通常所需的 10 多個元件。此外，當應用于半橋配置時，每個全新的 30mΩ FET 都可以支持高達 4kW 的功率轉換。

新型 GaN FET 采用 TI 的理想二極管模式來降低功耗。例如，在功率因數校正（PFC）中，與分立式 GaN 和 SiC 金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）相比，理想二極管模式可將第三象限損耗降低多達 66%。

理想二極管模式還消除了對自適應死區(qū)時間控制的需要，從而降低了固件復雜性和開發(fā)時間。TI GaN FET 封裝的熱阻抗比同類封裝產品低 23%，因此，工程師能夠使用更小的散熱器，同時簡化熱設計。

專家點評

評委組認為：“GaN 在近幾年發(fā)展迅猛，由于 TI 在 GaN 技術的多年耕耘，才使得 LMG3525R030-Q1 產品能夠兼具高性能和更小的布板空間。另外，理想二極管模式大大降低了固件復雜性和開發(fā)時間。加上 TI 為工程師提供完備的設計資源和設計服務，該項產品才得以在優(yōu)化開發(fā)方面脫穎而出?！?/p>

責任編輯：haq