12月28日，阿里巴巴達摩院發(fā)布2021十大科技趨勢，為后疫情時代基礎(chǔ)技術(shù)及科技產(chǎn)業(yè)將如何發(fā)展提供了全新預(yù)測。

“以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體迎來應(yīng)用大爆發(fā)”位列趨勢之首。

阿里巴巴達摩院認為：以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體，具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等優(yōu)異特性，但受工藝、成本等因素限制，多年來僅限于小范圍應(yīng)用。

近年來，隨著材料生長、器件制備等技術(shù)的不斷突破，第三代半導(dǎo)體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)，并正在打開應(yīng)用市場：SiC元件已用作汽車逆變器，GaN快速充電器也大量上市。

未來五年，基于第三代半導(dǎo)體材料的電子器件將廣泛應(yīng)用于5G基站、新能源汽車、特高壓、數(shù)據(jù)中心等場景。

關(guān)于晶能

晶能光電專注于硅襯底氮化鎵技術(shù)近二十年，在全球率先實現(xiàn)了硅襯底GaN基LED的產(chǎn)業(yè)化，開創(chuàng)了GaN基LED第三條技術(shù)路線，獲得2015年度國家技術(shù)發(fā)明獎一等獎。在移動照明、手機閃光燈、紫外工業(yè)固化、汽車照明等高端應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了核心器件進口替代。晶能光電正在將具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的硅襯底氮化鎵技術(shù)優(yōu)勢延伸至第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率和射頻器件領(lǐng)域，在國家“863”計劃等項目的支持下，晶能光電突破了8英寸硅襯底高質(zhì)量的GaN材料和器件結(jié)構(gòu)生長，技術(shù)水平在氮化鎵材料領(lǐng)域處于領(lǐng)跑位置。

晶能光電簡介

晶能光電成立于2006年2月，是由金沙江創(chuàng)投、淡馬錫、亞太資源、順風(fēng)國際等知名投資商共同投資，專注于高端LED技術(shù)和產(chǎn)品開發(fā)與生產(chǎn)的高科技企業(yè)，是全球硅襯底氮化鎵LED技術(shù)的主導(dǎo)者。公司自主創(chuàng)新的硅襯底氮化鎵藍光LED技術(shù)在全球申請或擁有370多項專利，獲得2015年度國家技術(shù)發(fā)明獎一等獎，是全球第三條藍光LED技術(shù)路線。公司致力于為全球消費者提供全方位的高端LED照明、微顯示和GaN器件產(chǎn)品和解決方案。（了解更多，請關(guān)注微信公眾號）

原文標(biāo)題：阿里達摩院發(fā)布2021十大科技趨勢，GaN列趨勢之首

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