亚洲精品久久久久久久久久久,亚洲国产精品一区二区制服,亚洲精品午夜精品,国产成人精品综合在线观看,最近2019中文字幕一页二页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Intel明年將推出第三代至強可擴展處理器

lhl545545 ? 來源:快科技 ? 作者:上方文Q ? 2020-12-08 09:40 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

在跳票多次之后,明年第一季度,Intel將推出代號Ice Lake-SP的單/雙路第三代至強可擴展處理器,首次用上10nm工藝,并有全新的Sunny Cove CPU架構(gòu)。

之前已經(jīng)見識過Ice Lake-SP的多個不同樣品曝光,包括6核心、14核心、16核心、24核心、28核心、32核心,傳聞中最高能到38核心。

Intel明年將推出第三代至強可擴展處理器

現(xiàn)在,GeekBench 5數(shù)據(jù)庫里出現(xiàn)了一款36核心72線程的Intel處理器,具體身份沒有識別出來,只顯示“Intel $0000%”,但必然屬于Ice Lake-SP。

驚喜的是,這顆36核心72線程的基準頻率就有3.6GHz,加速有望摸到甚至超過4.0GHz。

相比之下,現(xiàn)有的14nm工藝可擴展至強最多才28核心(不考慮雙芯整合封裝的56核心),基準頻率最高2.9GHz,加速頻率最高4.3GHz。10nm能在增加8個核心的情況下將基準頻率再提升700MHz,終于雄起了!

另外,一級指令緩存每核心32KB,一級數(shù)據(jù)緩存每核心48KB,二級緩存每核心1.25MB,三級緩存共享54MB,平均每核心1.5MB,比現(xiàn)在增加約9%。

本次曝光的還是一套雙路系統(tǒng),合計72核心144線程。
責任編輯:pj

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 處理器
    +關注

    關注

    68

    文章

    20118

    瀏覽量

    244933
  • cpu
    cpu
    +關注

    關注

    68

    文章

    11202

    瀏覽量

    222193
  • intel
    +關注

    關注

    19

    文章

    3504

    瀏覽量

    190334
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    開啟連接新紀元——芯科科技第三代無線SoC現(xiàn)已全面供貨

    搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術率先通過PSA 4級認證
    的頭像 發(fā)表于 10-09 15:57 ?3.9w次閱讀

    基本半導體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用

    基礎,將其定位為平面柵碳化硅(SiC)MOSFET技術的一次重要演進,其目標不僅在于追趕,更在于在特定性能維度上超越市場現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代(B3M)平臺概述 B3M系列是基本半導體推出第三代
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?266次閱讀
    基本半導體B3M平臺深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術與應用

    上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準電壓源

    BLR3XX系列是上海貝嶺推出第三代高精度基準電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
    的頭像 發(fā)表于 07-10 17:48 ?725次閱讀
    上海貝嶺發(fā)布<b class='flag-5'>第三代</b>高精度基準電壓源

    第三代半導體的優(yōu)勢和應用領域

    )和碳化硅(SiC),它們在電力電子、射頻和光電子等領域展現(xiàn)出卓越的性能。本文詳細探討第三代半導體的基本特性、優(yōu)勢、應用領域以及其發(fā)展前景。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?1523次閱讀

    瑞能半導體第三代超結(jié)MOSFET技術解析(1)

    隨著AI技術井噴式快速發(fā)展,進一步推動算力需求,服務電源效率需達97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇,瑞能半導體先發(fā)制人,推出第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?481次閱讀
    瑞能半導體<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術解析(1)

    能量密度提升15%!TDK第三代電池量產(chǎn)在即

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道?消息人士指出,日本 TDK 公司正加速推進第三代硅陽極電池的量產(chǎn)進程,將出貨時間從原計劃的第三季度提前至 6 月底。 ? 這款電池的核心技術在于負極材料由傳統(tǒng)石墨替換為硅材料
    的頭像 發(fā)表于 05-19 03:02 ?2743次閱讀

    恩智浦推出第三代成像雷達處理器S32R47系列

    恩智浦半導體發(fā)布采用16納米FinFET技術的新一S32R47成像雷達處理器,進一步鞏固公司在成像雷達領域的專業(yè)實力。S32R47系列是第三代成像雷達處理器,性能比前代產(chǎn)品提升高達兩
    的頭像 發(fā)表于 05-12 15:06 ?1.8w次閱讀

    第三代半導體器件封裝:挑戰(zhàn)與機遇并存

    成為行業(yè)內(nèi)的研究熱點。本文重點探討第三代寬禁帶功率半導體器件的封裝技術及其應用。二、第三代寬禁帶功率半導體器件概述(一)定義與分類第三代寬禁帶功率半導體器件是指以碳化
    的頭像 發(fā)表于 02-15 11:15 ?1349次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b>半導體器件封裝:挑戰(zhàn)與機遇并存

    EE-230:第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-230:第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 01-08 14:43 ?0次下載
    EE-230:<b class='flag-5'>第三代</b>SHARC系列<b class='flag-5'>處理器</b>上的代碼疊加

    EE-220:外部存儲第三代SHARC處理器和并行端口配合使用

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-220:外部存儲第三代SHARC處理器和并行端口配合使用.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 01-06 16:12 ?0次下載
    EE-220:<b class='flag-5'>將</b>外部存儲<b class='flag-5'>器</b>與<b class='flag-5'>第三代</b>SHARC<b class='flag-5'>處理器</b>和并行端口配合使用

    第三代半導體廠商加速出海

    近年來,在消費電子需求帶動下,加上新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏、風電、工業(yè)控制等產(chǎn)業(yè)的興起,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體廠商發(fā)展迅速。
    的頭像 發(fā)表于 01-04 09:43 ?1099次閱讀

    第三代半導體對防震基座需求前景?

    隨著科技的發(fā)展,第三代半導體產(chǎn)業(yè)正處于快速擴張階段。在全球范圍內(nèi),各國都在加大對第三代半導體的投入,建設了眾多新的晶圓廠和生產(chǎn)線。如中國,多地都有相關大型項目規(guī)劃與建設,像蘇州的國家第三代半導體
    的頭像 發(fā)表于 12-27 16:15 ?898次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b>半導體對防震基座需求前景?

    第三代半導體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展

    當前,第三代半導體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中,新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代半導體技術推進的重要動力之一,新能源汽車需要高效、高密度的功率器件來實現(xiàn)更長的續(xù)航里程和更優(yōu)的能量管理。
    的頭像 發(fā)表于 12-16 14:19 ?1184次閱讀

    第三代寬禁帶半導體:碳化硅和氮化鎵介紹

    ? 第三代寬禁帶功率半導體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢,且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領域中有著重要應用。本文對其進行簡單介紹。 以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶化合物半導體
    的頭像 發(fā)表于 12-05 09:37 ?2381次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b>寬禁帶半導體:碳化硅和氮化鎵介紹

    晶科能源第三代Tiger Neo系列產(chǎn)品的問題解答

    近期發(fā)布了采用N型TOPCon技術的第三代Tiger Neo系列產(chǎn)品后, 關于這款極具競爭力的產(chǎn)品,小編挑選了大家最為關心的10個問題進行解答。
    的頭像 發(fā)表于 11-12 10:19 ?1253次閱讀