ASML公司的EUV光刻機(jī)全球獨(dú)一份，現(xiàn)在主要是用在7nm及以下的邏輯工藝上，臺積電、三星用它生產(chǎn)CPU、GPU等芯片。馬上內(nèi)存芯片也要跟進(jìn)了，SK海力士宣布明年底量產(chǎn)EUV工藝內(nèi)存。

據(jù)報道，SK海力士總裁李石熙日前表示，該公司計劃將于明年下半年開始在利川廠區(qū)M16采用EUV光刻機(jī)生產(chǎn)第四代（1a nm）DRAM產(chǎn)品。

李石熙表示M16工廠將于今年底建成，明年上半年開始引入制造設(shè)備，目前實驗室正在進(jìn)行準(zhǔn)備工作，預(yù)計明年開始量產(chǎn)。

對內(nèi)存來說，它跟CPU邏輯工藝一樣面臨著需要微縮的問題，EUV光刻機(jī)可以減少多重曝光工藝，提供工藝精度，從而可以減少生產(chǎn)時間、降低成本，并提高性能。

當(dāng)然，上EUV工藝的代價也不是沒有，EUV光刻機(jī)單價10億元以上，產(chǎn)量還是不如傳統(tǒng)DUV光刻機(jī)，意味著初期成本會比較高。

在SK海力士之前，三星也宣布使用EUV工藝生產(chǎn)內(nèi)存，前不久發(fā)布的16Gb容量LPDDR5內(nèi)存已經(jīng)用上了，帶寬速度為6400Mbps（等價6400MHz），比現(xiàn)款12Gb LPDDR5-5500快了16%。

在16GB的總?cè)萘肯?，允許一秒內(nèi)傳輸10部5GB高清電影（51.2GB）。

三大內(nèi)存原廠中，只有美光對EUV工藝不太熱心，不過隨著前兩大廠商上馬EUV工藝，美光后續(xù)的想法或許也會改變了。
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