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• 基于連續(xù)時(shí)間、?-Σ高速ADC的寬帶模擬前端可降低功耗

  連續(xù)時(shí)間?-Σ （CTDS） 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 （ADC） 是音頻系統(tǒng)、電話聽筒和移動(dòng)電子產(chǎn)品的首選架構(gòu)。這種ADC架構(gòu)可實(shí)現(xiàn)高效集成、減少信號(hào)鏈和低功耗等優(yōu)勢(shì)。當(dāng)高動(dòng)態(tài)范圍和功率效率是主要要求時(shí)，CTDS ADC的性能優(yōu)于其他類別的ADC，但其他類型的ADC（如流水線ADC）由于其轉(zhuǎn)換寬帶模擬輸入信號(hào)的...

  798次閱讀 · 0評(píng)論 轉(zhuǎn)換器濾波器adc
  

• 晶閘管的特性及工作原理

  晶閘管又叫可控硅，是半導(dǎo)體閘流管的簡(jiǎn)稱。晶閘管是一種大功率的PNPN型4層3端元件，可以把交流電變換成電壓大小可調(diào)的脈動(dòng)直流電，也可把直流電轉(zhuǎn)換成交流電，還可調(diào)節(jié)交流電壓、做無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)等。晶閘管廣泛應(yīng)用于可控整流、直流電動(dòng)機(jī)的調(diào)速及電鍍行業(yè)等。...

  6153次閱讀 · 0評(píng)論 三極管可控硅晶閘管pnp交流電
  

• 高速轉(zhuǎn)換器：概述是什么、為什么以及如何

  寬帶通信和高性能成像應(yīng)用的不斷擴(kuò)展特別強(qiáng)調(diào)高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換：能夠處理帶寬為10 MHz至1 GHz以上的信號(hào)的轉(zhuǎn)換器。各種轉(zhuǎn)換器架構(gòu)被用于達(dá)到這些更高的速度，每種架構(gòu)都有特殊的優(yōu)勢(shì)。高速在模擬域和數(shù)字域之間來(lái)回移動(dòng)也給信號(hào)完整性帶來(lái)了一些特殊的挑戰(zhàn)——不僅對(duì)于模擬信號(hào)，而且對(duì)于時(shí)鐘和數(shù)據(jù)信號(hào)也是如此。了...

  1129次閱讀 · 0評(píng)論 CMOS轉(zhuǎn)換器總線
  

• 揭開JESD204B轉(zhuǎn)換器內(nèi)確定性延遲的神秘面紗

  對(duì)于需要一系列同步模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）的高速信號(hào)采樣和處理應(yīng)用，校正和匹配轉(zhuǎn)換器之間的延遲變化的能力至關(guān)重要。圍繞此功能的系統(tǒng)設(shè)計(jì)至關(guān)重要，因?yàn)閺哪M采樣點(diǎn)到處理模塊的任何延遲不匹配都會(huì)降低性能。交錯(cuò)處理也需要樣本對(duì)齊，其中一個(gè)轉(zhuǎn)換器樣本領(lǐng)先另一個(gè)轉(zhuǎn)換器樣本幾分之一時(shí)鐘周期。...

  3513次閱讀 · 0評(píng)論 FPGA轉(zhuǎn)換器adc
  

• 對(duì)數(shù)字的需求：高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器和雷達(dá)系統(tǒng)的挑戰(zhàn)和解決方案

  對(duì)更多數(shù)字信號(hào)處理的需求正在推動(dòng)雷達(dá)信號(hào)鏈盡早過(guò)渡到數(shù)字信號(hào)鏈，使模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）更靠近天線，這反過(guò)來(lái)又引入了許多具有挑戰(zhàn)性的系統(tǒng)級(jí)考慮因素。為了進(jìn)一步探討這一點(diǎn)，圖1顯示了當(dāng)前典型X波段雷達(dá)系統(tǒng)的高級(jí)概述。在該系統(tǒng)中，通常使用兩個(gè)模擬混頻級(jí)。第一級(jí)將脈沖雷達(dá)回波混合至1 GHz左右的頻率，第二...

  1389次閱讀 · 0評(píng)論 嵌入式adc雷達(dá)
  

• 為給定噪聲預(yù)算選擇最佳數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器

  ACD和DAC數(shù)據(jù)手冊(cè)中的典型值和最大值可用于確定存在噪聲（如數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器量化、時(shí)鐘抖動(dòng)、通道非線性以及輸入和輸出參考噪聲）的系統(tǒng)性能。演示了為給定噪聲預(yù)算選擇最佳數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的分步程序。ENOB計(jì)算器有助于分析這些參數(shù)，并指導(dǎo)我們找到控制和減少其他系統(tǒng)噪聲元素的建設(shè)性方法。...

  1200次閱讀 · 0評(píng)論 轉(zhuǎn)換器dacACD
  

• 將高壓輸入電平處理到低壓ADC中，而不會(huì)損失太多SNR

  使用模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，一個(gè)典型的誤解是，縮小輸入信號(hào)以驅(qū)動(dòng)ADC的滿量程范圍會(huì)顯著降低信噪比（SNR）。對(duì)于使用寬電壓擺幅的系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，這一點(diǎn)尤其值得關(guān)注。使問(wèn)題更加復(fù)雜的是，與高壓電源相比，用于低壓電源（5V或更低）的ADC產(chǎn)品范圍也廣泛得多。更高的電源通常會(huì)導(dǎo)致更高的功耗和電...

  1521次閱讀 · 0評(píng)論 放大器轉(zhuǎn)換器adc
  

• 無(wú)源器件并不是那么無(wú)源：電容器

  晶體管和集成電路被認(rèn)為是有源元件，因?yàn)樗鼈兝脕?lái)自電源的能量改變信號(hào)。同時(shí)，我們將電容器、電阻器、電感器、連接器甚至 PC 板 （PCB） 等組件稱為無(wú)源元件，因?yàn)樗鼈兯坪醪幌墓β?。然而，這些明顯的無(wú)源元件可以并且確實(shí)以意想不到的方式改變信號(hào)，因?yàn)樗鼈兌及纳糠?。因此，事?shí)上，許多所謂的無(wú)源組...

  975次閱讀 · 0評(píng)論 集成電路電容器電阻器
  

• ASIC修復(fù)嘈雜的模擬“哎呀”

  良好的專用集成電路 （ASIC） 可享受 90% >首次硅成功。您可能想知道為什么我們要討論“修復(fù)”此問(wèn)題的方法？畢竟，ASIC幾乎可以工作，沒有時(shí)間旋轉(zhuǎn)它，仍然滿足市場(chǎng)窗口。聽起來(lái)很耳熟？不幸的是，墨菲定律1這句話說(shuō)，“任何可能出錯(cuò)的事情，都會(huì)在最糟糕的時(shí)候出錯(cuò)，”在這里適用。無(wú)論我們?nèi)绾畏?..

  596次閱讀 · 0評(píng)論 fpga集成電路asic
  

• 直接采樣DAC的理論與應(yīng)用

  具有12至14位高分辨率的現(xiàn)代高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）為采用直接調(diào)制方案的新型發(fā)射器設(shè)計(jì)奠定了基礎(chǔ)。在此類設(shè)計(jì)中，調(diào)制后的傳輸信號(hào)直接在基頻上生成。到目前為止，這種方法僅用于生成有線電視系統(tǒng)中正交調(diào)幅（QAM）多載波信號(hào)的傳輸，或雷達(dá)設(shè)備和軍事通信系統(tǒng)采用的微波系統(tǒng)的中頻信號(hào)?，F(xiàn)在，進(jìn)一步發(fā)展使得將...

  4075次閱讀 · 0評(píng)論 轉(zhuǎn)換器dacRF
  

• 分析音頻DAC抖動(dòng)靈敏度

  高性能音頻數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）傳統(tǒng)上需要一個(gè)非常干凈的采樣主時(shí)鐘（MCLK），以避免音頻質(zhì)量下降。時(shí)鐘源通常直接來(lái)自晶體振蕩器，其產(chǎn)生的抖動(dòng)通常小于100ps。在某些系統(tǒng)中，音頻過(guò)采樣頻率（通常是3.072MHz或2.8224MHz的倍數(shù)）不是晶體振蕩器參考頻率的方便部分。...

  2177次閱讀 · 0評(píng)論 放大器振蕩器DAC
  

• 探討負(fù)電壓浪涌的對(duì)策及其效果

  下圖顯示了同步升壓電路中LS關(guān)斷時(shí)柵極－源極電壓的行為，該圖在之前的文章中也使用過(guò)。要想抑制事件（IV），即HS（非開關(guān)側(cè)）的VGS的負(fù)浪涌，采用浪涌抑制電路的米勒鉗位用MOSFET Q2、或鉗位用SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）D3是很有效的方法（參見下面的驗(yàn)證電路）。...

  1170次閱讀 · 0評(píng)論 二極管MOSFET
  

• 探討正電壓浪涌的對(duì)策和其效果

  下圖顯示了同步升壓電路中LS導(dǎo)通時(shí)柵極－源極電壓的行為，該圖在之前的文章中也使用過(guò)。要想抑制事件（II），即HS（非開關(guān)側(cè)）的VGS的正浪涌，正如在上一篇文章的表格中所總結(jié)的，采用浪涌抑制電路的米勒鉗位用MOSFET Q2、或誤導(dǎo)通抑制電容器C1是很有效的方法（參見下面的驗(yàn)證電路）。...

  501次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFETSiC功率元器件
  

• 針對(duì)所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對(duì)策

  只是由于SiC MOSFET的跨導(dǎo)比Si MOSFET的跨導(dǎo)小一個(gè)數(shù)量級(jí)以上，因此不會(huì)立即流過(guò)過(guò)大的直通電流。所以即使流過(guò)了直通電流，也具有足夠的冷卻能力，只要不超過(guò)MOSFET的Tj(max)，基本上沒有問(wèn)題。然而，直通電流畢竟是降低系統(tǒng)整體效率的直接因素，肯定不是希望出現(xiàn)的狀態(tài)，因此就有必要增加...

  456次閱讀 · 0評(píng)論 二極管MOSFETSiC
  

• 什么是柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌

  MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。其中，SiC MOSFET在近年來(lái)的應(yīng)用速度與日俱增，它的工作速度非?？欤灾劣陂_關(guān)時(shí)的電壓和電流的變化已經(jīng)無(wú)法忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC M...

  1347次閱讀 · 0評(píng)論 電源MOSFETIGBT
  

• 如何設(shè)計(jì)時(shí)間可調(diào)的給定積分器電路

  如何設(shè)計(jì)時(shí)間可調(diào)的給定積分器電路？這樣處理積分電路更靈活。...

  4424次閱讀 · 0評(píng)論 二極管運(yùn)算放大器運(yùn)放積分電路積分器
  

• 低邊開關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作

  下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時(shí)的電流動(dòng)作的等效電路和波形示意圖。與導(dǎo)通時(shí)的做法一樣，為各事件進(jìn)行了(IV)、(V)、(VI)編號(hào)。與導(dǎo)通時(shí)相比，只是VDS和ID變化的順序發(fā)生了改變，其他基本動(dòng)作是一樣的。...

  699次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFET等效電路SiC
  

• 低邊開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的Gate-Source間電壓的動(dòng)作

  當(dāng)SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，首先ID會(huì)變化（下述波形示意圖T1）。此時(shí)LS的ID沿增加方向、HS的ID沿減少方向流動(dòng)，受下述等效電路圖中所示的事件(I)影響，在圖中所示的極性產(chǎn)生公式（1）的電動(dòng)勢(shì)。公式（1）與上一篇文章中使用的公式相同。該電動(dòng)勢(shì)引起的電流將源極側(cè)作為正極對(duì)CGS進(jìn)行充電，因...

  927次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFETSiC電動(dòng)勢(shì)
  

• 光控晶閘管適用于什么場(chǎng)合

  光控晶閘管（Optically Controlled Thyristor，簡(jiǎn)稱OCT）是一種集成了光控觸發(fā)元件和晶閘管的半導(dǎo)體器件。它可以通過(guò)光信號(hào)來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)晶閘管的觸發(fā)和控制，具有可靠性高、響應(yīng)速度快、觸發(fā)電流低等優(yōu)點(diǎn)，適用于許多特定的場(chǎng)合...

  1900次閱讀 · 0評(píng)論 晶閘管光控晶閘管OCT

• 光控晶閘管的工作原理_光控晶閘管的特征

  光控晶閘管的工作原理是利用光控電阻效應(yīng)來(lái)控制晶閘管的導(dǎo)通。其內(nèi)部包含了一個(gè)光敏元件和一個(gè)晶閘管，其中光敏元件通常是一個(gè)光控電阻。當(dāng)光線照射到光敏元件時(shí)，光能會(huì)激發(fā)出光生載流子，使得光敏元件的電阻發(fā)生變化，從而影響晶閘管的控制電壓，從而控制晶閘管的導(dǎo)通。...

  2952次閱讀 · 0評(píng)論 晶閘管光控晶閘管
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