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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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sram技術(shù)

借助高度集成的 Arm? Cortex? MCU 更有效地滿(mǎn)足應(yīng)用要求

作者：Stephen Evanczuk 投稿人：DigiKey 北美編輯 2024-06-04 消費(fèi)品、工業(yè)、智慧城市和醫(yī)療保健等應(yīng)用領(lǐng)域?qū)χ悄墚a(chǎn)品的要...

2024-10-02 標(biāo)簽：處理器 mcu 存儲(chǔ)器 7.6k 0

FPGA如何估算分析功耗

FPGA的功耗由4部分組成：上電功耗、配置功耗、靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗。一般的FPGA都具有這4種功耗，但是Actel Flash FPGA由于掉電數(shù)據(jù)不丟...

2024-07-18 標(biāo)簽：FPGA sram 晶體管 3k 0

【GD32F303紅楓派開(kāi)發(fā)板使用手冊(cè)】第二十五講 EXMC-外部SRAM讀寫(xiě)實(shí)驗(yàn)

MCU的片內(nèi)SRAM空間有限，在做一些大量數(shù)據(jù)處理、GUI顯示等應(yīng)用中片內(nèi)SRAM容量無(wú)法滿(mǎn)足應(yīng)用需求，而外部SRAM器件讀寫(xiě)速度快，不需要自刷新，工作...

2024-06-25 標(biāo)簽：單片機(jī)sram 開(kāi)發(fā)板 2.1k 0

C語(yǔ)言指針存在SRAM里面嗎

應(yīng)該有可以回答的上來(lái)的，但是大部分應(yīng)該是回答不上來(lái)。標(biāo)題的回答也不對(duì)。計(jì)算機(jī)內(nèi)存里面分這么幾種數(shù)據(jù) 存在SRAM里面，嗯？?jī)?nèi)存？對(duì)也不對(duì)，大家覺(jué)得內(nèi)存...

2024-06-04 標(biāo)簽：sram 計(jì)算機(jī)內(nèi)存 1.1k 0

思瑞浦推出TPS32 MCU開(kāi)發(fā)生態(tài)以簡(jiǎn)化MCU的開(kāi)發(fā)過(guò)程

隨著MCU片上資源越來(lái)越豐富和復(fù)雜，如今的MCU能實(shí)現(xiàn)的應(yīng)用也更加多樣化。

2024-05-31 標(biāo)簽：微控制器 sram 仿真器 1.6k 0

論基于電壓域的SRAM存內(nèi)計(jì)算技術(shù)的嶄新前景

這篇文章總結(jié)了馮·諾伊曼架構(gòu)及其在處理數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用中所面臨的性能和能耗問(wèn)題。為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，文章介紹了存內(nèi)計(jì)算技術(shù)，其中重點(diǎn)討論了基于電壓域的SRA...

2024-05-17 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)傳輸 sram 1.7k 0

探索存內(nèi)計(jì)算—基于 SRAM 的存內(nèi)計(jì)算與基于 MRAM 的存算一體的探究

本文深入探討了基于SRAM和MRAM的存算一體技術(shù)在計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用和發(fā)展。首先，介紹了基于SRAM的存內(nèi)邏輯計(jì)算技術(shù)，包括其原理、優(yōu)勢(shì)以及在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域...

2024-05-16 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)sram 4.9k 0

存內(nèi)計(jì)算芯片的基石-存儲(chǔ)介質(zhì)匯總

作為新的計(jì)算架構(gòu)，存內(nèi)計(jì)算（Computing In Memory，CIM）被認(rèn)為是具有潛力的革命性技術(shù)。重點(diǎn)是將存儲(chǔ)與計(jì)算融合，有效克服馮·諾依曼架構(gòu)...

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存內(nèi)計(jì)算芯片研究進(jìn)展及應(yīng)用

在NOR Flash存內(nèi)計(jì)算芯片當(dāng)中，向量-矩陣乘法運(yùn)算基于電流/電壓的跨導(dǎo)與基爾霍夫定律進(jìn)行物理實(shí)現(xiàn)，如圖7(a)所示。因此，其核心是設(shè)計(jì)NOR Fl...

2024-05-16 標(biāo)簽：sram 頻譜存算一體 2.5k 0

先進(jìn)工藝下的SRAM功耗和性能挑戰(zhàn)

隨著AI設(shè)計(jì)對(duì)內(nèi)部存儲(chǔ)器訪(fǎng)問(wèn)的要求越來(lái)越高，SRAM在工藝節(jié)點(diǎn)遷移中進(jìn)一步增加功耗已成為一個(gè)的問(wèn)題。

2024-04-09 標(biāo)簽：CMOS DRAM sram 2k 0

ChatGPT在邊緣設(shè)備的應(yīng)用探索

這要求在更接近數(shù)據(jù)源的地方大幅提高性能，但仍然只能使用非常少的功耗，并且價(jià)格便宜。雖然訓(xùn)練將繼續(xù)在云中進(jìn)行，但長(zhǎng)距離移動(dòng)大量數(shù)據(jù)的成本很高，所以邊緣AI...

2024-04-07 標(biāo)簽：cpu sram AI 969 0

機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）推理主要計(jì)算之存內(nèi)計(jì)算芯片

機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）應(yīng)用已經(jīng)在汽車(chē)、醫(yī)療保健、金融和技術(shù)等各個(gè)領(lǐng)域變得無(wú)處不在。這導(dǎo)致對(duì)高性能、高能效 ML 硬件解決方案的需求不斷增加。

2024-04-07 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)gpu 2.2k 2

深入解析Cache在A(yíng)I處理器設(shè)計(jì)中的作用機(jī)制

最快的存儲(chǔ)器類(lèi)型是SRAM，但每個(gè)SRAM單元需要六個(gè)晶體管，因此SRAM在SoC內(nèi)部很少使用，因?yàn)樗鼤?huì)消耗大量的空間和功率。

2024-03-25 標(biāo)簽：集成電路存儲(chǔ)器 sram 990 0

fpga是什么架構(gòu)

FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列）的架構(gòu)主要由可配置邏輯模塊（CLB）、輸入/輸出模塊（IOB）以及可編程互連資源組成。

2024-03-14 標(biāo)簽：FPGA 存儲(chǔ)器 sram 1.5k 0

GPU CUDA 編程的基本原理是什么

神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)能加速的有很多，當(dāng)然使用硬件加速是最可觀(guān)的了，而目前除了專(zhuān)用的NPU（神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速單元），就屬于GPU對(duì)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速效果最好了

2024-03-05 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)gpu sram 1.5k 0

人工智能與機(jī)器學(xué)習(xí)計(jì)算中的內(nèi)存挑戰(zhàn)

更多帶寬 – 隨著需要移動(dòng)大量數(shù)據(jù)，我們目睹了所有 DRAM 類(lèi)型繼續(xù)競(jìng)相提高數(shù)據(jù)速率以提供更多內(nèi)存帶寬。

2024-03-04 標(biāo)簽：DRAM sram 人工智能 606 0

英特爾Clearwater Forest系列突破高核心數(shù)服務(wù)器CPU

在封裝方面，英特爾表示，對(duì)于Clearwater Forest，將使用其他工藝節(jié)點(diǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)SRAM和I/O，因?yàn)檫@些節(jié)點(diǎn)在較新的工藝上無(wú)法很好地?cái)U(kuò)展。

2024-03-01 標(biāo)簽：英特爾 cpu sram 999 0

電遷移導(dǎo)致半導(dǎo)體失效的機(jī)理探討

SRAM工藝的處理器是通過(guò)CMOS內(nèi)部管道切換的方式工作，其產(chǎn)品處理速度較高，被眾多用戶(hù)接受。但是，CMOS工藝有一個(gè)致命缺陷，由于工藝原因，伴隨CMO...

2024-02-29 標(biāo)簽：處理器 FPGA CMOS 1.5k 0

GD32F4的TCMSRAM（緊耦合SRAM）該如何使用？

如下圖所示，GD32F4系列內(nèi)部SRAM分為通用SRAM空間和TCMSRAM空間，其中通用SRAM為從0x20000000開(kāi)始的空間，TCMSRAM為從...

2024-02-24 標(biāo)簽：單片機(jī)sram GD32 2.8k 0

TSV與異構(gòu)集成技術(shù)的前沿進(jìn)展與趨勢(shì)展望

先進(jìn)封裝是芯片設(shè)計(jì)的必由之路。TSV則是必由之路上的服務(wù)站。世界上各個(gè)主要的IC廠(chǎng)商包括設(shè)計(jì)、晶圓、封測(cè)廠(chǎng)商，開(kāi)發(fā)了一大批專(zhuān)利技術(shù)，使用TSV達(dá)成各種復(fù)...

2024-02-25 標(biāo)簽：sram 芯片設(shè)計(jì)TSV 2.1k 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶(hù)攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性?xún)?nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類(lèi)產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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合肥長(zhǎng)鑫

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱(chēng)非易失性?xún)?nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類(lèi)似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線(xiàn)傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
福建晉華

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3D NAND Flash

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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤(pán)是一種專(zhuān)業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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