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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

使用碳化硅進行雙向車載充電機設計

電動汽車（EV）車載充電機（OBC）可以根據(jù)功率水平和功能采取多種形式，充電功率從電動機車等應用中的不到2kW，到高端電動汽車中的22kW不等。傳統(tǒng)上，...

2023-08-30 標簽：電動汽車 SiC 碳化硅 1.8k 0

新能源汽車高壓充電系統(tǒng)有哪些

截至2023 年6月末，全國充電樁保有量為665.2萬臺，同比增加 69.8%。其中，公共充電樁占比 32.3%，私人充電樁占比 67.7%。近年來車樁...

2023-08-29 標簽：動力電池新能源汽車 IGBT 1.1k 0

EV充電站的類型和使用方法

在全世界都致力于實現(xiàn)碳中和的同時，電動汽車 (EV) 也在迅速搶占內(nèi)燃機汽車的市場份額。然而，電動汽車存在里程焦慮的問題，用戶會擔心在不充電的情況下E...

2023-08-28 標簽：電動汽車 SiC LLC 2.6k 0

聊一聊關于碳化硅雙脈沖測試中遇到的串擾問題

碳化硅具有更快的切換速度（更短的切換時間），較低的損耗，更高的開關頻率，更高的耐壓能力以及更好的溫度特性，相應地帶來效率的替身，系統(tǒng)磁性元器件減小，功率...

2023-08-27 標簽：二極管 IGBT SiC 5.7k 0

功率半導體迎來SiC時代？碳化硅（SiC）的需求快速增長

在新能源汽車終端市場中，隨著SiC材料價格下降，碳化硅（SiC）的需求快速增長，來自于車載充電、驅(qū)動逆變和DC-DC轉(zhuǎn)換。

2023-08-27 標簽：新能源汽車 DC-DC轉(zhuǎn)換器 IGBT 4.8k 0

氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理功率器件氮化鎵焊接方法有哪些

氮化鎵功率器件具有較低的導通阻抗和較高的開關速度，使其適用于高功率和高頻率應用，如電源轉(zhuǎn)換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵...

2023-08-24 標簽：功率器件 SiC 氮化鎵 4.3k 0

SiC與Si它們兩者本身有什么不同呢？

始于19世紀初期半導體材料的研究至今已經(jīng)由第一代半導體材料發(fā)展到了第四代半導體材料，其中較為矚目的莫過于第一代半導體材料si和第三代半導體材料sic了。

2023-08-23 標簽：MOSFET 電阻器 IGBT 1.7k 0

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別

率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，對其改良可以實現(xiàn)低損耗與應用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導體具有低損耗、高速開關、高溫工作等優(yōu)勢。

2023-08-23 標簽：MOSFET IGBT SiC 3.1k 0

碳化硅的性能和應用場景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導體材料物理限制，是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和...

2023-08-19 標簽：半導體功率器件 SiC 4.5k 0

功率模塊納米銀燒結(jié)技術(shù)研究進展

以SiC、GaN為主的寬禁帶半導體材料具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點，非常適合制作應用于高頻、...

2023-08-18 標簽：芯片半導體材料 SiC 3.7k 0

SiC外延片制備技術(shù)解析

碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。

2023-08-15 標簽：晶圓功率器件 SiC 2.9k 0

為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣

在高功率應用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關性能。但是，與硅快速恢復二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的...

2023-08-14 標簽：二極管 SiC MPS 1.6k 0

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傳統(tǒng)模塊封裝使用的敷銅陶瓷板(direct bonded copper-DBC)限定了芯片只能在二維平面上布局，電流回路面積大，雜散電感參數(shù)大。CPES...

2023-08-14 標簽：pcb 功率器件 SiC 1.2k 0

碳化硅的主要特性是什么？為什么碳化硅在高頻下的性能優(yōu)于IGBT？

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2023-08-12 標簽：MOSFET 電源模塊 SiC 2k 0

SiC基微型核電池研究進展

隨著微機電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)的迅速發(fā)展，體積更小，功能更多，集成度更高的MEMS器件已經(jīng)成為新的發(fā)展方向和研究熱點。

2023-08-10 標簽：半導體機器人 SiC 1.6k 0

功率半導體在光伏領域的應用

光伏逆變器按技術(shù)路線及功率水平可分為集中式、組串式和微型逆變器等。

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功率器件的材料演進之路

如今，我們已經(jīng)無法想象沒有電的生活了。我們生活的各個方面越來越依賴于電力。而在電力的生產(chǎn)、分發(fā)和使用過程中，功率轉(zhuǎn)換起著至關重要的作用。

2023-08-10 標簽：半導體功率器件 SiC 864 0

高耐壓氧化鎵功率器件研制進展與思考

以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導體禁帶寬度、化學穩(wěn)定性、擊穿場強等優(yōu)勢，是國際半導體領域的研究熱點。

2023-08-09 標簽：二極管 MOSFET 電阻器 1.3k 0

GaN與SiC功率器件的特點 GaN和SiC的技術(shù)挑戰(zhàn)

　SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為...

2023-08-09 標簽：驅(qū)動器 SiC 氮化鎵 1.8k 0

變頻器的分類和發(fā)展趨勢

變頻器的分類方法有多種，按照主電路工作方式分類，可以分為電壓型變頻器和電流型變頻器；按照開關方式分類，可以分為PAM控制變頻器、PWM控制變頻器和高載頻...

2023-08-09 標簽：控制系統(tǒng)變頻器運動控制 2.3k 0

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