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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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TMS320F280036-Q1微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...
TMS320F280039C-Q1 微控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...
2025-09-30 標(biāo)簽:微控制器SiC開關(guān)頻率 851 0
TMS320F28P650DK實(shí)時(shí)微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28P65x (F28P65x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...
?TMS320F28P55x系列微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28P55x (F28P55x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列可擴(kuò)展、超低延遲器件專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包括但不...
?UCC27624V 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
UCC27624V是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC 功率開關(guān)。UCC27624V具有 5A 的典型峰值...
2025-09-26 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)電源開關(guān) 567 0
UCC218200-Q1 是一款電隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,專為工作電壓高達(dá) 1500V 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì),具有先進(jìn)的保護(hù)功能...
三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計(jì)
鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件,正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器件,但是Si...
浮思特 | 高壓高效,SiC新力量——至信微SMD600HB200EDA1功率模塊
在新能源、電動(dòng)汽車、光伏儲(chǔ)能以及工業(yè)電源等領(lǐng)域,功率器件正在迎來一場(chǎng)深刻變革。硅基器件逐漸向碳化硅(SiC)過渡,而如何在高壓、大電流環(huán)境下兼顧效率、可...
【新啟航】大尺寸碳化硅(150mm+)TTV 厚度均勻性提升技術(shù)
一、引言 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,碳化硅(SiC)作為關(guān)鍵的寬禁帶半導(dǎo)體材料,其應(yīng)用愈發(fā)廣泛。大尺寸碳化硅(150mm+)晶圓在提高芯片生產(chǎn)效率、降...
面對(duì)電力電子應(yīng)用與日俱增的需求,高電壓系統(tǒng)研發(fā)工程師正更多地轉(zhuǎn)向采用碳化硅 (SiC) 方案,借助其固有的溫度特性和開關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。工程師們常常面臨多方面...
優(yōu)化碳化硅(SiC)清洗工藝需要綜合考慮材料特性、污染物類型及設(shè)備兼容性,以下是系統(tǒng)性的技術(shù)路徑和實(shí)施策略:1.精準(zhǔn)匹配化學(xué)配方與反應(yīng)動(dòng)力學(xué)選擇性蝕刻控...
芯干線SiC功率模塊的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
碳化硅(SiC)的禁帶寬度約為3.3eV,顯著大于硅(Si)的1.1eV。禁帶寬度大的材料,需更多能量才能將電子從價(jià)帶激發(fā)至導(dǎo)帶,這使得 SiC 能在更...
傾佳電子三電平拓?fù)渲兄悬c(diǎn)電位不平衡的根本原因、解決對(duì)策及SiC MOSFET功率模塊的作用深度分析
傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚...
浮思特|SiC MOSFET與普通MOSFET的區(qū)別及應(yīng)用分析
在現(xiàn)代功率電子技術(shù)中,MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是不可或缺的關(guān)鍵組件。它廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、逆變器、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域。而隨著功率需求和系統(tǒng)效率的不斷提高...
2025-09-04 標(biāo)簽:MOSFETSiCSiC MOSFET 394 0
高性能隔離式DC/DC電源模塊UCC14240-Q1技術(shù)解析
Texas Instruments UCC14240-Q1穩(wěn)壓汽車直流-直流模塊是一款高隔離電壓 (3kV ~RMS~ ) 直流/直流模塊,設(shè)計(jì)用于為I...
薄膜電容器助力SiC和IGBT技術(shù)高速推進(jìn):永銘電容應(yīng)用方案
近年來,光儲(chǔ)充和電動(dòng)汽車(EV)等新能源產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,導(dǎo)致了直流支撐(DC-Link)電容需求的急劇增長(zhǎng)。簡(jiǎn)而言之,DC-Link電容在電路中扮演著至...
SiC MOSFET器件的短路耐受能力,在高壓和低壓應(yīng)用是有所不同的,在耐受時(shí)間上通常在?2-7μs?范圍內(nèi)。多數(shù)規(guī)格書標(biāo)稱的短路時(shí)間是供應(yīng)商在評(píng)估器件...
浮思特 | 為什么新能源離不開碳化硅?聊聊至信微的 SiC MOSFET 模塊
大家可能經(jīng)常聽到這樣一句話:“碳化硅(SiC)正在改變電力電子行業(yè)?!蹦敲?,為什么一塊小小的半導(dǎo)體器件,能讓電動(dòng)車跑得更遠(yuǎn),光伏逆變器更高效,甚至讓充電...
2025-08-29 標(biāo)簽:SiC碳化硅SiC MOSFET 374 0
超景深顯微鏡航天領(lǐng)域應(yīng)用:織構(gòu)化超分子復(fù)合材料摩擦性能三維表征
超高分子量聚乙烯(UHMWPE)具優(yōu)異自潤(rùn)滑性、耐腐蝕性與抗沖擊性,在航空航天、精密機(jī)械領(lǐng)域應(yīng)用前景廣,但低硬度、抗磨粒磨損差的缺陷限制極端工況適配。表...
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