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隨機(jī)存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時(shí)讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲媒介。

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ram技術(shù)

RAM分為簡單雙口RAM和真雙口RAM

真雙口RAM給設(shè)計(jì)帶來很多便利。在高速存儲中，需要對連續(xù)的數(shù)據(jù)同時(shí)處理，使用簡單雙口RAM只能讀取一個(gè)數(shù)據(jù)，而使用真雙口RAM可以同時(shí)讀取兩個(gè)數(shù)據(jù)，這樣...

2018-06-29 標(biāo)簽：FPGA RAM 電平 3.5萬 0

關(guān)于FFT硬件實(shí)現(xiàn)，設(shè)計(jì)中RAM輸出端為何沒有使用REG

以2048點(diǎn)為例，根據(jù)理論值計(jì)算，計(jì)算一次2048點(diǎn)的IFFT的時(shí)間應(yīng)為130us。在采用流水線的方式下，實(shí)部計(jì)算和虛部計(jì)算均采用兩塊RAM實(shí)現(xiàn)流水線。

2018-06-20 標(biāo)簽：FPGA RAM FFT 6.7k 0

基于Spansion HyperBus的HyperRAM產(chǎn)品介紹

基于Spansion HyperBus的HyperRAM產(chǎn)品可以極大地改善性能，同時(shí)減少引腳數(shù)量。芯片組廠商通過將HyperFlash?和HyperRA...

2018-06-25 標(biāo)簽：閃存嵌入式 ram 6.1k 0

中國的FPGA處于什么水準(zhǔn)?發(fā)展前景分析

本文首先介紹了fpga突出特點(diǎn)與配置模式，其次介紹了fpga典型應(yīng)用及全球FPGA發(fā)展概況，最后介紹了中國的現(xiàn)狀和機(jī)遇及全球FPGA市場發(fā)展前景展望。

2018-05-31 標(biāo)簽：FPGA RAM 3.7萬 0

手機(jī)運(yùn)行為什么會(huì)縮水6GB的運(yùn)存為什么剩余只3GB的詳細(xì)說明

許多安卓用戶在使用手機(jī)的時(shí)候都有這樣一個(gè)困惑，一款6GB RAM 的手機(jī)，在后臺沒有運(yùn)行任何軟件的情況下，運(yùn)行內(nèi)存也只有3GB左右。那么這些中間縮水掉的...

2018-05-27 標(biāo)簽：RAM 安卓系統(tǒng)手機(jī)內(nèi)存 9.4k 0

51單片機(jī)資源擴(kuò)展：擴(kuò)展片外RAM

以前擴(kuò)展RAM是用匯編語言訪問存儲器，好處是定位精準(zhǔn)，指哪打哪，壞處就是：程序規(guī)模一大就有點(diǎn)難維護(hù)了，所以還得改用C實(shí)現(xiàn)。

2018-05-23 標(biāo)簽：RAM 51單片機(jī) 1.8萬 0

如何利用片內(nèi)RAM單元直接轉(zhuǎn)換BCD 碼與 BIN 數(shù)據(jù)

把二進(jìn)制數(shù)轉(zhuǎn)換成 BCD 碼，是很常見的，做而論道以前也發(fā)表過這樣的程序。但是，過去都是用寄存器，如果要求用片內(nèi)RAM單元，就少見了。當(dāng)然，也可以...

2018-05-19 標(biāo)簽：ram bcd bin 4.2k 0

RAM和SDRAM介紹及有什么區(qū)別

RAM包括SRAM和DRAM，前者是靜態(tài)隨機(jī)存儲器，主要是依靠觸發(fā)器存儲數(shù)據(jù)，無需刷新，而后者是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器，依靠MOSFET中柵電容存儲數(shù)據(jù)，需不斷...

2018-05-09 標(biāo)簽：ARM SDRAM RAM 1.2萬 0

RAM long數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)燒寫到0x1800 Flash中的方法

從RAM地址0x0200開始讀取一個(gè)長度為8的字符數(shù)組，并燒寫至地址為0x1800的Flash中。

2018-05-10 標(biāo)簽：flash ram 燒寫 2.9k 0

一文看懂ARM里的RAM和SDRAM有什么區(qū)別

本文主要介紹的是ARM里的RAM和SDRAM有什么區(qū)別，首先介紹了RAM的類別及特點(diǎn)，其次對SDRAM做了詳細(xì)闡述，最后介紹了RAM和SDRAM的區(qū)別是什么。

2018-04-27 標(biāo)簽：sdram ram 3.5萬 0

單片機(jī)究竟是如何構(gòu)成的呢？

今天，首先學(xué)習(xí)單片機(jī)的基本構(gòu)成和工作原理，以及外圍功能電路，然后，挑戰(zhàn)一個(gè)實(shí)際單片機(jī)的運(yùn)行。

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CPU一級緩存與二級緩存深度分析

CPU緩存：通過優(yōu)化的的讀取機(jī)制，可以使CPU讀取緩存的命中率非常高，也就是說CPU下一次要讀取的數(shù)據(jù)90%都在緩存中，只有大約10%需要從內(nèi)存讀取。

2018-04-16 標(biāo)簽：CPU RAM 緩存 2.0萬 0

關(guān)于DS12C887以外部RAM方式訪問

本文開始介紹了DS12C887基本參數(shù)與器件特性，其次介紹了DS12C887引腳及功能，最后介紹了關(guān)于DS12C887以外部RAM訪問方式。

2018-04-11 標(biāo)簽：RAM DS12C887 5.8k 0

Android系統(tǒng)啟動(dòng)過程從下往上的一個(gè)過程

例如：安全、內(nèi)存管理、進(jìn)程管理、網(wǎng)絡(luò)堆棧、驅(qū)動(dòng)模型。Linux Kernel也作為硬件和軟件之間的抽象層，它隱藏具體硬件細(xì)節(jié)而為上層提供統(tǒng)一的服務(wù)。如果...

2018-04-04 標(biāo)簽：Android RAM 1.7萬 0

技術(shù)控:FPGA中RAM使用技巧探索

FPGA中RAM的使用探索。以4bitX4為例，數(shù)據(jù)位寬為4，深度為4。

2018-03-28 標(biāo)簽：FPGA RAM 1.1萬 0

單片機(jī)ROM,RAM和FLASH的作用

在單片機(jī)中用來存儲程序數(shù)據(jù)及常量數(shù)據(jù)或變量數(shù)據(jù)，凡是c文件及h文件中所有代碼、全局變量、局部變量、’const’限定符定義的常量數(shù)據(jù)、startup.a...

2018-03-16 標(biāo)簽：單片機(jī)ROM RAM 1.1萬 0

多觸點(diǎn)絕緣電阻微機(jī)測試系統(tǒng)軟件

本系統(tǒng)中，8031片內(nèi)RAM和8155片內(nèi)RAM用作監(jiān)控工作單元，外部2K RAM用作采集到的數(shù)據(jù)緩沖區(qū)、打印緩沖區(qū)、鍵盤和顯示緩沖區(qū)。系統(tǒng)軟件按模塊...

2018-03-17 標(biāo)簽：RAM 絕緣電阻 4.7k 0

單片機(jī)軟件系統(tǒng)的可靠性設(shè)計(jì)

在程序存儲器中總會(huì)有一些區(qū)域未使用，如果因干擾導(dǎo)致單片機(jī)的指令計(jì)數(shù)器PC值被錯(cuò)置，程序跳到這些未用的程序存儲空間，系統(tǒng)就會(huì)出錯(cuò)。軟件陷阱是在程序存儲器的...

2018-03-13 標(biāo)簽：單片機(jī)RAM 8.7k 0

cmos掉電電路故障_CMOS電路常見故障解決方法

本文主要介紹了cmos掉電電路故障_CMOS電路常見故障解決方法。CMOS 是主板上的一塊可讀寫的 RAM 芯片，是用來保存 BIOS 的硬件配置和用戶...

2018-03-06 標(biāo)簽：cmos ram 2.6萬 0

單片機(jī)多微機(jī)系統(tǒng)共享RAM電路原理分析

系統(tǒng)共用RAM，用緩沖器隔開，還有問題：如果兩機(jī)同時(shí)使用RAM，則會(huì)發(fā)生沖突，雙機(jī)都發(fā)生故障。解決的辦法是，另外設(shè)置一個(gè)狀態(tài)觸發(fā)器，如圖1- 88所示。...

2018-02-27 標(biāo)簽：單片機(jī)RAM 4k 0

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云存儲是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個(gè)好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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