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隨機(jī)存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。

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ram技術(shù)

PLC模擬量常用的輸入濾波方法

相當(dāng)于“中位值濾波法”+“算術(shù)平均濾波法”，連續(xù)采樣N個數(shù)據(jù)，去掉一個最大值和一個最小值，然后計算N-2個數(shù)據(jù)的算術(shù)平均值，N值的選取：3~14

2022-10-14 標(biāo)簽：濾波 RAM 濾波法 3.5k 0

Vivado中設(shè)計鎖定與增量編譯方法簡析

增量實現(xiàn)由兩個流程構(gòu)成：原始流程和增量流程，如圖所示。其中，原始流程提供網(wǎng)表。

2022-10-10 標(biāo)簽：FPGA設(shè)計 RAM DCP 2.6k 0

室內(nèi)照明天花板頂燈模擬示例

只有通過物體4光線才能到物體3（物體3是相機(jī)外殼），為設(shè)置光線不直接進(jìn)入探測器，物體3屬性為吸收。

2022-10-09 標(biāo)簽：探測器 RAM 777 0

嵌入式開發(fā)出現(xiàn)Bug該如何去解決呢

程序長時間運(yùn)行后出現(xiàn)異常，問題難以復(fù)現(xiàn)，可以搭建測試環(huán)境多套設(shè)備同時進(jìn)行測試。

2022-10-09 標(biāo)簽：寄存器 RAM 嵌入式開發(fā) 1.5k 0

STC8H8K64U單片機(jī)存儲器總結(jié)

本文對STC8H8K64U單片機(jī)存儲器進(jìn)行了總結(jié)(它的內(nèi)存構(gòu)造和其他單片機(jī)并無太大差別)，并發(fā)表了本人的一些看法，存儲器是單片機(jī)、微機(jī)的關(guān)鍵，理解這一部...

2022-09-30 標(biāo)簽：單片機(jī)存儲器 RAM 1.4萬 0

兩種存儲器的介紹

Flash Memory（閃速存儲器）是一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電不丟失等一系列優(yōu)點，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。

2022-09-28 標(biāo)簽：FlaSh 存儲器 RAM 2.9k 0

SWM32S單片機(jī)的SDRAM和LCD控制器的用法

SWM32S單片機(jī)內(nèi)部集成了8MB的SDRAM以及LCD控制器，非常適合用于屏幕驅(qū)動。其中LCD控制器支持RGB565格式的接口，最大支持1024*76...

2022-09-26 標(biāo)簽：單片機(jī)控制器 SDRAM 2.8k 0

設(shè)計中存儲資源的使用

不同的用戶可能需要不同容量的RAM來構(gòu)建他們的特定應(yīng)用。所以FGPA底層的RAM基塊大小就是一個有意思的話題。如果太大，則不夠靈活，難以滿足小容量的應(yīng)用...

2022-09-16 標(biāo)簽：fpga 存儲器 RAM 1.2k 0

基于FGPA底層的RAM基塊大小

不同的用戶可能需要不同容量的RAM來構(gòu)建他們的特定應(yīng)用。所以FGPA底層的RAM基塊大小就是一個有意思的話題。

2022-09-16 標(biāo)簽：fpga 存儲器 RAM 1.1k 0

新興存儲將改變行業(yè)，對不同新興存儲的看法

當(dāng)前的存儲器技術(shù)，包括閃存（NAND 和 NOR）、DRAM 和 SRAM，在其持續(xù)改進(jìn)方面面臨潛在的技術(shù)限制。因此，人們努力開發(fā)新的存儲技術(shù)。這些新技...

2022-09-14 標(biāo)簽：DRAM 存儲器 RAM 846 0

SDRAM和RAM對MSC的實現(xiàn)

昨天FAE同事報了一個客戶需求過來，需要雙大容量存儲設(shè)備(MSC device)，一個安裝在SD卡上，另一個安裝到SDRAM上面。

2022-08-18 標(biāo)簽：SDRAM msc RAM 1.5k 0

有幾種方式供大家更好的管理標(biāo)志位

其主要的功能就是通過宏替換和代碼拼接符號，自動的生成通用的代碼片段，這樣做的好處就是不再需要我們在代碼中定義一大堆setflag、clrflag、get...

2022-08-11 標(biāo)簽：單片機(jī)RAM 嵌入式開發(fā) 2.2k 0

51單片機(jī)的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器

　　單片機(jī)內(nèi)部的程序存儲器用于存儲單片機(jī)工作時候的程序，單片機(jī)內(nèi)部專門設(shè)置一個16位的程序計數(shù)器(PC)，用于知識下一時刻單片機(jī)要執(zhí)行的程序在ROM空間...

2022-08-02 標(biāo)簽：單片機(jī)存儲器 ROM 1.5萬 0

一種在線修改Xilinx FPGA嵌入式RAM比特流的方法

今天給大家推薦今年FCCM2021上的一篇文章，介紹了一種可以在線Xilinx FPGA內(nèi)部RAM內(nèi)容的工作，重點是論文相關(guān)的工作還是開源的。

2022-08-02 標(biāo)簽：fpga 嵌入式 RAM 2.8k 0

如何使用ModelSim在VHDL中實現(xiàn)RAM

在本教程中，我們將探索如何使用 ModelSim 在 VHDL 中實現(xiàn) RAM。

2022-07-29 標(biāo)簽：RAM vhdl ModelSim 3.3k 0

RAM——單口、雙口、簡單雙口、真雙口的區(qū)別

在 WE = 0 時，兩個口均為讀出口，A 口的地址線 ADDR[3:0] 的地址為 0，在 SPO[7:0] 上讀出數(shù)據(jù) 17，B 口的地址線 DPR...

2022-07-26 標(biāo)簽：RAM Xilinx 1.1萬 0

單口、雙口、簡單雙口、真雙口RAM的區(qū)別

單口 RAM（Single RAM）、雙口 RAM（Dual RAM）、簡單雙口 RAM（Simple-Dual RAM）、真雙口 RAM（True-D...

2022-07-03 標(biāo)簽：fpga RAM Xilinx 6.5k 0

使用memheap內(nèi)存管理算法對片內(nèi)RAM和片外SDRAM進(jìn)行管理的方法

??在開發(fā)中由于單片機(jī)自帶的 RAM 空間比較小，有時候需要擴(kuò)展片外的 RAM 以供使用，RT-Thread 提供了 memheap 管理算法來管理多塊...

2022-06-17 標(biāo)簽：SDRAM RAM 內(nèi)存管理 4.7k 0

在FPGA設(shè)計中可以用LUT組建分布式的RAM

舉一個簡單的例子，如果要實現(xiàn)一個6*1的mux可以用一個6輸入的LUT或者是2個4輸入的LUT來實現(xiàn)，6輸入的LUT相當(dāng)于是6位地址線一位數(shù)據(jù)位，能夠存...

2022-05-13 標(biāo)簽：FPGA設(shè)計 RAM 分布式 6.3k 0

詳解ROM和RAM的區(qū)別與相關(guān)知識點

內(nèi)存是計算系統(tǒng)最重要的元素，因為沒有它，計算機(jī)就無法執(zhí)行簡單的任務(wù)。計算機(jī)內(nèi)存有兩種基本類型 -?主內(nèi)存（RAM 和 ROM）和輔助內(nèi)存（硬盤驅(qū)動器、...

2022-04-05 標(biāo)簽：存儲 ROM RAM 4.5萬 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
江波龍

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點。
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