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標(biāo)簽 > pmos
PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動運(yùn)送電流的MOS管。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時,柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。
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LU是 Latch Up的簡寫,即閂鎖效應(yīng),也叫可控硅效應(yīng),表征芯片被觸發(fā)低阻抗通路后、電源VDD到GND之間能承受的最大電流。非車規(guī)芯片的規(guī)格書中通常...
低功耗架構(gòu)設(shè)計(jì)需要前后端拉通規(guī)劃,前端設(shè)計(jì)有PMU功耗管理單元,比如A模塊電壓常開,B模塊電壓可關(guān)斷,那么請思考,當(dāng)B模塊關(guān)斷電壓后,B模塊輸出到A模塊...
2023-11-24 標(biāo)簽:模塊NMOS芯片設(shè)計(jì) 2.3k 0
在之前圍繞STM32的GPIO的基本結(jié)構(gòu)進(jìn)行了介紹,圖1為STM32的5V容忍的GPIO口內(nèi)部基本結(jié)構(gòu)圖,圖2為GPIO的基本結(jié)構(gòu)中各個模塊部分的概述。
運(yùn)放的datasheet參數(shù)表格中往往給出的是DC-PSRR,而AC-PSRR往往以圖表的形式給出。
2023-11-02 標(biāo)簽:開關(guān)電源放大電路電源抑制比 2k 0
三極管最典型的應(yīng)用——MOSFET驅(qū)動電路
說實(shí)話,這些電路大多都是在面試或者課本里出現(xiàn),考察一些大家對三極管的理解。但真正在實(shí)際電路中,很少看到三極管工作在放大區(qū)。說到這里,也給在學(xué)校的大學(xué)生們...
2023-05-14 標(biāo)簽:三極管MOSFET場效應(yīng)管 1.9k 0
模擬開關(guān),是利用JFET或MOS的特性實(shí)現(xiàn)控制信號通路的開關(guān),主要用來完成信號鏈路連接或斷開的切換功能。由于它具有功耗低、速度快、無機(jī)械觸點(diǎn)、體積小和使...
2023-02-09 標(biāo)簽:CMOS模擬開關(guān)MOS 1.8k 0
直流電源開關(guān)TMI6240I/6250I——解決分立MOS開關(guān)易失效,安全更可靠
拓爾微自主研發(fā)一款可以應(yīng)用在各種需待機(jī)關(guān)斷功能模塊的PowerSwitch芯片——TMI6240I/6250I,具備高集成度、高穩(wěn)定性、高可靠性的優(yōu)勢。
2023-08-10 標(biāo)簽:芯片開關(guān)電路MOS 1.8k 0
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