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PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管。金屬氧化物半導體場效應（MOS）晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，源極上加有足夠的正電壓（柵極接地）時，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。

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LDO的定義/特性/應用場景/種類

低壓差線性穩(wěn)壓器也稱為LDO，只適合輸出電壓小于輸入電壓的應用。一般功耗不大，尤其適用于低噪聲、低電流和輸入輸出電壓差小的應用環(huán)境。

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2023-07-23 標簽：電路設計 NMOS MOS 4.3k 0

單鍵電子開關電路圖單鍵電子開關電路原理分析

最近從網(wǎng)上看到一個單鍵電子開關電路，覺得還挺有意思的，比較適合DIY。雖然之前也分析過一個單鍵電子開關電路，但是相對來說，當時的電路還是比較繁瑣的，用的...

2023-07-19 標簽：三極管開關電路電子開關 4k 0

電源之LDO-2. LDO的壓降

低壓差穩(wěn)壓器的相關知識與實際應用

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2023-07-17 標簽：三極管電路分析保護電路 6.7k 0

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從上篇文章，我們可以很明顯的看出STA的兩大因素，一個是延遲計算，一個是約束檢查。

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采用驅(qū)動IC和NMOS的防反電路設計

引言：無論是常規(guī)的低側(cè)NMOS防反接電路還是高側(cè)的PMOS防反接電路均有其局限性。本節(jié)簡述采用驅(qū)動IC加NMOS的方案做防反電路的設計及其優(yōu)點。

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教你如何計算MOS管的開關電路（二）

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MOS的電流方向是唯一的嗎？

在常規(guī)使用中，似乎流經(jīng)NMOS和PMOS的電流只朝一個方向流動，但實際情況是，MOS的電流流向和BJT不一樣，BJT的電流流向已經(jīng)固定，但是MOS并沒有。

2023-06-20 標簽：MOS管 NMOS BJT 9.3k 0

PMOS過壓保護電路設計

適用于24V系統(tǒng)，本文旨在給出24V系統(tǒng)中l(wèi)oaddunp保護電壓小于46V的器件的VBAT供電方案。

2023-06-19 標簽：控制器 PMOS TVS管 3.3k 0

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2023-06-23 標簽：變壓器二極管 PCB 1.2萬 0

LDO的類型及其工作原理

LDO（Low Dropout Regulator），是一種低壓差線性穩(wěn)壓器，所謂低壓差是一個相對的概念，相對于傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器來說輸入輸出壓差小。傳統(tǒng)...

2023-06-14 標簽：三極管穩(wěn)壓器 ldo 9.5k 0

四種晶體管開關電路詳解

“晶體管開關”，是使用晶體管控制電路通斷的開關。根據(jù)實際應用場景，也稱“模擬開關(analog Switch)”或“邏輯開關(Logic Switch)...

2023-06-12 標簽：開關電路 MOS管 NMOS 4.4k 0

MOS開關管的選擇及原理應用

一般情況下普遍用于高端驅(qū)動的MOS，導通時需要是柵極電壓大于源極電壓，而高端驅(qū)動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比V...

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一文詳解MOS的寄生模型

引言：MOSFET是金屬氧化物半導體場效應晶體管（MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor）的縮...

2023-06-08 標簽：MOSFET NMOS 晶體管 4.4k 0

MOS管驅(qū)動電路原理圖

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2023-06-08 標簽：原理圖 MOS管 NMOS 3.8萬 0

LDO的基本構架和工作原理

通過電阻R1、R2對輸出電壓進行采樣，將采集的電壓與基準電壓（期望輸出電壓值）進行比較、放大，再通過PMOS管柵極（PNP三極管基極）反饋給輸入部分，通...

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低壓差線性穩(wěn)壓器LDO如何選型

LDO是Low Dropout Regulator的縮寫，意思是低壓差線性穩(wěn)壓器。

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