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標簽 > pmos
PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動運送電流的MOS管。金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導,源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時,柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。
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電路設(shè)計時,不同的子系統(tǒng)之間無可避免的需要數(shù)字信號傳遞,不同的系統(tǒng)之間或者設(shè)備之間,數(shù)字接口電平經(jīng)常不一致,故需要用到電平轉(zhuǎn)換電路;
NMOS與PMOS經(jīng)典電源開關(guān)電路的深入解析
NMOS低邊開關(guān)電路切換的是對地的導通,PMOS作為高邊開關(guān)電路切換的是對電源的導通。
2024-04-10 標簽:NMOS電源開關(guān)PMOS 1.2萬 0
NMOS和PMOS都是MOS(金屬氧化物半導體)晶體管的重要類型,它們在結(jié)構(gòu)和功能上有一些關(guān)鍵的區(qū)別。
2024-04-09 標簽:NMOS電源開關(guān)場效應晶體管 1.3萬 0
當控制信號PWR_EN為高時,三極管Q1導通,R2下端等于接GND。由于R1和R2的分壓作用,MOS管M1的Vgs會有壓差Vgs=-Vin*R1/(R ...
2024-04-07 標簽:開關(guān)電路濾波電容波形 4.8k 0
PMOS LDO線性穩(wěn)壓器內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖
當輸出電壓增大時,F(xiàn)B增大,放大器輸出電壓增加,PMOS管的G極電壓增大,Usg減小,PMOS的輸出電流和電壓較小,形成了一個負反饋系統(tǒng)。
合科泰推出一款采用SOT-23封裝的P溝道MOS管IRLML6402
PMOS是指N型襯底、P溝道,靠空穴的流動運送電流的MOS管,因為PMOS是N型硅襯底,多數(shù)載流子是電子,少數(shù)載流子是空穴,源漏區(qū)的摻雜類型是P型,所以...
當控制信號PWR_EN為高時,三極管Q1導通,R2下端等于接GND。由于R1和R2的分壓作用,MOS管M1的Vgs會有壓差Vgs=-Vin*R1/(R ...
2024-02-26 標簽:開關(guān)電路濾波電容電源控制 1.9萬 6
讓我們看看當LDO的輸出出現(xiàn)下沖現(xiàn)象時,其內(nèi)部會發(fā)生什么。圖1顯示了LDO的內(nèi)部結(jié)構(gòu),輸出電壓為1V時,瞬態(tài)響應下沖電壓為0.02V,導致輸出電壓下降到...
NMOS和PMOS是常見的MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)的兩種類型,它們在電子器件中起到不同的作用。NMOS和PMOS的符號和電路結(jié)構(gòu)差異...
今天看到一張TI的一個40V~400V非隔離型的高端電流檢測方案的一個原理框圖,這個圖里,比較有意思的一點就是巧妙的利用了穩(wěn)壓二極管改變了運算放大器的共...
2023-12-08 標簽:運算放大器穩(wěn)壓二極管電流檢測 5.6k 0
PMOS和NMOS是金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)的兩種類型。 PMOS和NMOS是MOSFET的兩種互補型式,也稱為CMOS技術(shù),其...
今天在群里看到了一張圖,是TI的一個40V~400V非隔離型的高端電流檢測方案的一個原理框圖,這個圖里,比較有意思的一點就是巧妙的利用了穩(wěn)壓二極管改...
2023-12-06 標簽:二極管運算放大器穩(wěn)壓二極管 2.6k 0
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