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MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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電機(jī)控制器中的MOS驅(qū)動(dòng),你懂了嗎?
通用MCU或DSP的IO電壓通常是5V3.3V,IO的電流輸出能力在20MA以下,不足以直接驅(qū)動(dòng)功率MOSFET。所以使用通用MCU或DSP來(lái)設(shè)計(jì)電機(jī)驅(qū)...
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧...
2023-03-02 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管IGBT 1.9k 0
MOS管通常是指MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的簡(jiǎn)稱。MOSFET是一種常用的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,它的核心部件是氧化物門(mén)介質(zhì),能夠通過(guò)改變柵極電...
首先我們介紹增強(qiáng)型MOS管,也是以NMOS管為例。 為什么要叫增強(qiáng)型,我們下面都會(huì)介紹到。
2023-02-22 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管MOS 5k 0
制的區(qū)別:首選,要清楚的是:三極管是電流驅(qū)動(dòng)的,較低的電壓就可以驅(qū)動(dòng)三極管,但是三極管需要較大的控制電流; 而MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)的,驅(qū)動(dòng)電壓較高,但是驅(qū)...
在上期的芝識(shí)課堂中,我們和大家簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)了邏輯IC的基本知識(shí)和分類,并且特別提到CMOS邏輯IC因成本、系統(tǒng)復(fù)雜度和功耗的平衡性最好,因此得到了最廣泛應(yīng)用...
場(chǎng)效應(yīng)管的分類 基本共源放大電路的組成及工作原理
場(chǎng)效應(yīng)管的分類 基本共源放大電路的組成及工作原理
2023-02-20 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管MOS 2.8k 0
關(guān)乎電源安全的吹風(fēng)機(jī)電源管理芯片應(yīng)該如何選擇呢?
吹風(fēng)機(jī)是人們最為日常的一款家用電器。對(duì)于注重頭發(fā)發(fā)質(zhì)的消費(fèi)者來(lái)說(shuō),一款吹風(fēng)機(jī)的錯(cuò)誤選擇,可能會(huì)釀成心頭之痛。
相信很多工程師在使用電子測(cè)量?jī)x器的時(shí)候大家都了解MOS管,下面一起看看MOS管究竟是什么?
功率IC是一種重要的電子器件,它具有高效、集成度高、穩(wěn)定性好、靈活性強(qiáng)、適應(yīng)范圍廣等特點(diǎn)。 MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種三端半...
功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān),驅(qū)動(dòng)電壓升高,該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系...
MOS,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Fi...
MOS,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor ...
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)...
2023-02-16 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管IGBT 2.3k 0
什么原因?qū)е滦」β薀o(wú)刷直流電機(jī)的MOS管被燒壞
什么原因?qū)е驴刂菩」β薀o(wú)刷直流電機(jī)的MOS管被燒壞呢?若能夠提供詳細(xì)電路圖及各元器件的型號(hào)(比如MOS管型號(hào)等)更好,由于沒(méi)電路圖,下面對(duì)這部分設(shè)計(jì)MO...
2023-02-15 標(biāo)簽:小功率MOS無(wú)刷直流電機(jī) 2.3k 0
AIN/AIGaN/GaN MIS異質(zhì)結(jié)構(gòu)C-V分析
C-V測(cè)試是研究絕緣柵HEMT器件性能的重要方法,采用Keithley 4200半導(dǎo)體表征系統(tǒng)的CVU模塊測(cè)量了肖特基柵和絕緣柵異質(zhì)結(jié)構(gòu)的C-V特性。
外延工藝是指在襯底上生長(zhǎng)完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來(lái)講,外延工藝是在單晶襯底上生長(zhǎng)一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導(dǎo)體制造,...
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