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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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電池管理系統(tǒng)(BatteryManagement System,BMS)的作用是智能化管理及維護各個電池單元,防止電池出現(xiàn)過放和過充,延長電池的使用壽命...
2023-05-15 標(biāo)簽:電池管理系統(tǒng)MOS硬件設(shè)計 1.0萬 2
適用于LLC變壓器,其特征在于,包括:第一MOS開關(guān)管、第二MOS開關(guān)管、第一電容、電感和至少兩個變壓器;所述變壓器的原邊串聯(lián)、副邊并聯(lián);所述第一MOS...
本節(jié)開始我們將開啟電路與器件的內(nèi)容,主要是看如何通過電路與器件來實現(xiàn)前面的邏輯關(guān)系。本小節(jié)主要會聚焦在MOS管特性,由MOS管搭建的簡單邏輯器件,以及D...
探討筆記本從文字處理工具到錄音室級通信設(shè)備的轉(zhuǎn)型及背后的技術(shù)
將麥克風(fēng)集成到筆記本電腦中,標(biāo)志著這些機器從簡單的文字處理器和數(shù)字運算設(shè)備變成了通信平臺。
本文介紹了MOS晶體管的基礎(chǔ)知識,以期更好地了解此類晶體管中可能發(fā)生的漏電流。 MOS晶體管正在縮小,以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致了...
MOS 場效應(yīng)晶體管部分載流子累積又使得此復(fù)合結(jié)構(gòu)中 BJT 部分的基極驅(qū)動電流顯著增加,二者協(xié)同工作,從而改善了整個器件的特性。
2023-04-24 標(biāo)簽:IGBTMOS場效應(yīng)晶體管 3.6k 0
SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動,相電流監(jiān)測2
開關(guān)元器件的和嚴(yán)格意義并不是相同的。IGBT,MOS并不是理想開關(guān)器件,其開通時間和關(guān)斷時間不是嚴(yán)格一致的,如果兩端有電壓,將導(dǎo)致直流電源短路,損壞橋臂...
SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動,相電流監(jiān)測1
開關(guān)元器件的和嚴(yán)格意義并不是相同的。IGBT,MOS并不是理想開關(guān)器件,其開通時間和關(guān)斷時間不是嚴(yán)格一致的,如果兩端有電壓,將導(dǎo)致直流電源短路,損壞橋臂...
便攜式設(shè)備的開關(guān)機電源電路設(shè)計
便攜式設(shè)備最大的特點是攜帶方便、可以在任何時間、任何場合進行使用,可以脫離電源線供電,使用電池,且大多產(chǎn)品支持電池的自行更換,這個電量問題經(jīng)常也是用戶...
2023-04-24 標(biāo)簽:原理圖電路設(shè)計便攜式設(shè)備 4k 0
NMOS場效應(yīng)管/PMOS場效應(yīng)管防反保護解析
NMOS場效應(yīng)管通過D管腳和S管腳串接于電源和負(fù)載之間,電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置,VR1用于限制VGS間電壓,防止被擊穿。正接時候,R1、R...
2023-04-19 標(biāo)簽:場效應(yīng)管NMOS控制電路 2.7k 0
MOSFET作為功率開關(guān)管,已經(jīng)是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動器件,其驅(qū)動表面上看來是非常簡單,但是詳細(xì)分析起來并不簡單。...
2023-04-18 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源MOS 1.2k 0
自 20 世紀(jì) 80 年代發(fā)展至今,IGBT 芯片經(jīng)歷了 7 代技術(shù)及工藝的升級,從平面穿通型(PT)到微溝槽場截止型,IGBT 從芯片面積、工藝線寬、...
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