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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的G極(柵極...
2024-09-18 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻MOS管振蕩電路 1.8k 0
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛使用的半導(dǎo)體器件,它在電子電路中扮演著開(kāi)關(guān)和放大器的角色。MOSFET由四個(gè)主要部分組成:源極(S...
2024-09-18 標(biāo)簽:MOS管電子電路半導(dǎo)體器件 3k 0
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的連續(xù)漏極電...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛使用的半導(dǎo)體器件,它利用電場(chǎng)來(lái)控制電流的流動(dòng)。在MOSFET中,漏極電壓(Vd)是指漏極和源極之間...
2024-09-18 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管漏極電壓 3.5k 0
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的柵極電壓控制是MOS管工作中的一個(gè)關(guān)鍵參...
MOS管的線性區(qū)是指MOS管在特定工作條件下,其導(dǎo)電性能隨輸入電壓(通常是柵源電壓Vgs)和輸出電壓(漏源電壓Vds)的變化而保持近似線性的區(qū)域。
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是電子電路...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化層半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為電子工...
電力場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和特性
電力場(chǎng)效應(yīng)管,特別是指電力MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),是一種重要...
2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.8k 0
在我們現(xiàn)實(shí)生活中,能用到MOS管的地方太多了。MOS管也有NMOS和PMOS之分,特點(diǎn)和應(yīng)用有些許差異。N溝道MOSFET具有許多優(yōu)點(diǎn),如電流驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)...
MOS管是非常常用的分立器件產(chǎn)品,通常它有三個(gè)腳,為G、D、S,通過(guò)G、S間加控制信號(hào)時(shí)可以改變D、S間的導(dǎo)通和截止。PMOS和NMOS在結(jié)構(gòu)上完全相像...
晶揚(yáng)電子2N7002KX N溝道MOSFET晶體管的主要應(yīng)用
靜電放電,應(yīng)該是造成所有電子元器件或集成電路系統(tǒng)的過(guò)度電應(yīng)力破壞的主要元兇。因?yàn)殪o電通常瞬間電壓非常高(>幾千伏),所以這種損傷是毀滅性和永久性的...
MOS管的敏感性使其容易受到靜電放電(ESD)的損害,這可能導(dǎo)致器件性能下降甚至完全失效。本文將深入探討MOS管被擊穿的原因,并提出相應(yīng)的解決方案,以幫...
MOS管的一個(gè)顯著特點(diǎn)是其高輸入電阻和小的柵-源極間電容。這種結(jié)構(gòu)使得MOS管極易受到外部電磁場(chǎng)或靜電的影響,從而帶電。在靜電較強(qiáng)的環(huán)境下,電荷難以泄放...
飛虹半導(dǎo)體FHA3N150A MOS管在智能電表的應(yīng)用
根據(jù)海關(guān)總署2023最新數(shù)據(jù)顯示:?jiǎn)蜗嚯姸缺?、三相電度表、高壓開(kāi)關(guān)、變壓器等相關(guān)產(chǎn)品出口額分別為7.7/5.8/33.08/52.94/億美元,同比分別...
2024-09-04 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)MOS管智能電表 1.4k 0
飛虹半導(dǎo)體MOS管在MPPT控制器的應(yīng)用
對(duì)于從事MPPT控制器研發(fā)的工程師來(lái)說(shuō),在眾多場(chǎng)效應(yīng)管中選出最佳搭檔無(wú)疑是一大難題。選型不當(dāng),不僅會(huì)影響控制器效率,還可能拖累整個(gè)項(xiàng)目進(jìn)度。面對(duì)成千上萬(wàn)...
2024-09-04 標(biāo)簽:控制器場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 983 0
MOS管驅(qū)動(dòng)芯片的基本概念和技術(shù)參數(shù)
MOS管驅(qū)動(dòng)芯片是一種在電子系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用的功率放大器,其主要功能是通過(guò)控制MOS管(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的導(dǎo)通和截止,實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的高效控制。
2024-08-23 標(biāo)簽:功率放大器MOS管驅(qū)動(dòng)芯片 3.8k 0
MOS管的雪崩是一個(gè)涉及半導(dǎo)體物理和器件特性的復(fù)雜現(xiàn)象,主要發(fā)生在高壓、高電場(chǎng)強(qiáng)度條件下。以下是對(duì)MOS管雪崩的詳細(xì)解析,包括其定義、原理、影響、預(yù)防措...
推挽式開(kāi)關(guān)電源MOS管的耐壓值并不是一個(gè)固定的數(shù)值,而是需要根據(jù)具體的工作電壓和設(shè)計(jì)要求來(lái)確定。一般來(lái)說(shuō),推挽式開(kāi)關(guān)電源的MOS管耐壓值需要大于工作電壓...
2024-08-15 標(biāo)簽:MOS管參數(shù)電壓波動(dòng) 3.2k 0
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的引腳主要包...
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