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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術

串聯(lián)電阻為何放置在MOS管端

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分享一些單片機硬件電路的設計方案和心得

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一文徹底掌握MOS管

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三極管和MOS管的異常現(xiàn)象與根本原因分析

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為什么MOS管柵極串聯(lián)電阻越小越好

在一周前看到在公眾號“電機控制設計加油站”的一篇推文，“Why 100Ω？較真的教授發(fā)現(xiàn)簡單結論背后不簡單的問題”，對MOSFET管柵極為什么放置“一...

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設計驅動電路該使用MOS管還是三極管？（文末領BJT和MOSFET對比資料）

晶體管 BJT 和MOSFET 都適用于放大和開關應用。然而，它們具有顯著不同的特征。 ? 雙極結型晶體管 (BJT) 雙極結型晶體管，通常稱為 BJT...

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貨車等大型車輛作為現(xiàn)今資源運輸?shù)闹匾ぞ咧?，在追求運輸量提高的同時也帶來了諸多的安全隱患，體積大導致出現(xiàn)了越來越多的視線盲區(qū)，質量大導致慣性加大，從而...

2022-06-10 標簽：MOS管語音芯片警報器 1.1k 0

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到VB端的電壓小于VS+12V，導致芯片老是檢測到硬件過流信號，從而不能正常驅動MOS管，后將VCC電壓提升到13.5V后，驅動芯片才正常。

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MOS管和三極管到底有什么區(qū)別

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2022-06-01 標簽：三極管 MOS管 4.4萬 0

MOS管的結構與latchup的形成原因

一般Fabless公司設計的芯片在工程批回來之后，都會做芯片級的ESD測試和latchup等測試，對很多客戶朋友來說，有可能對latchup稍微陌生，本...

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MOS管引起靜電擊穿的原因及解決方法

其實MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，又因在靜電較強的場合難于泄放電荷...

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一文詳解MOS管的技術參數(shù)

在柵源短接，漏-源額定電壓(VDSS)是指漏-源未發(fā)生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。根據(jù)溫度的不同，實際雪崩擊穿電壓可能低于額定VDSS。關于V(BR)...

2022-04-27 標簽：MOSFET MOS管額定電壓 5.4k 0

限流恒流電路設計方案

上圖是一個限流恒流電路，當電流低于閾值時，輸出電流由負載決定，當負載加重，輸出電流達到閾值時，輸出電流穩(wěn)定在閾值保持恒定，負載再加重的話，輸出電流也保持...

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MOS管和IGBT管的區(qū)別

在電子電路中，MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，...

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如何選用低成本MOS管搭建開關電路

　這就是基于瑞納捷半導體的RJGT101D6加密芯片設計的兩線加密煙彈方案，方案在不改變傳統(tǒng)煙彈外觀的情況下，做到了簡單、低成本、易于實施的設計目標，可...

2022-04-22 標簽：開關電路 MOS管瑞納捷半導體 6.1k 0

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MOSFET的柵極驅動過程，可以簡單的理解為驅動源對MOSFET的輸入電容(主要是柵源極電容Cgs)的充放電過程;當Cgs達到門檻電壓之后， MOSFE...

2022-04-19 標簽：MOSFET MOS管米勒平臺 4.6萬 1

MOS管損壞的五大主要原因

MOS是電壓驅動型器件，只要柵極和源級間給一個適當電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為MOS內阻，就是導通電阻。這個內阻大小基本決定了...

2022-04-14 標簽：控制器 MOS管損壞 2.3萬 0

詳解過流保護電路原理以及構成

一般我們用保險來實現(xiàn)過流保護的功能，簡單，成本低，但是保險屬于物理保護，通過自爆的方式達到保護的目的，缺點就是只能保護一次，不可恢復，想要恢復功能就只能...

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在驅動一些較大電流的負載時，有時候由于單個MOS管的通流能力有限，很多人喜歡把幾個MOS管并聯(lián)起來，從而實現(xiàn)更大電流負載的開關，這種應用也比較廣泛了，但...

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