MOS管典型問(wèn)題分析

上述這三種情況中，如果元件完全破壞，必能在生產(chǎn)及品質(zhì)測(cè)試中被察覺(jué)而排除，影響較少。如果元件輕微受損，在正常測(cè)試中不易被發(fā)現(xiàn)，在這種情形下，常會(huì)因經(jīng)過(guò)多次...

2022-10-09 標(biāo)簽：MOSFETMOS管 5.4k 0

淺談MOS管的輸出特性曲線

恒流區(qū)在輸出特性曲線中間的位置，電流Id基本不隨Uds變化，Id的大小主要決定于電壓Ugs，所以叫做恒流區(qū)，也叫飽和區(qū)。當(dāng)MOS用來(lái)做放大電路時(shí)，就是工...

2022-09-29 標(biāo)簽：三極管MOSFETMOS管 1.1萬(wàn) 0

對(duì)MOS管在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下的Miller效應(yīng)的原因與現(xiàn)象進(jìn)行分析

MOS管的米勒效應(yīng)會(huì)在高頻開(kāi)關(guān)電路中，延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。

2022-09-29 標(biāo)簽：MOS管米勒電容驅(qū)動(dòng)電壓 3.6k 0

一個(gè)能夠改變LED燈亮度的小電路

給大家一個(gè)很有意思的小制作，一個(gè)能夠改變LED燈亮度的小電路，這個(gè)電路效果還挺好，能夠很明顯觀察到LED燈亮度變化的過(guò)程，而且既可以連續(xù)變化又可以間斷變...

2022-09-29 標(biāo)簽：led電路MOS管 4.2k 0

5V過(guò)壓保護(hù)電路設(shè)計(jì)

電路需要增加5V過(guò)壓保護(hù)功能。剛開(kāi)始，我是用穩(wěn)壓二極管組合三極管，MOS管設(shè)計(jì)的電路，結(jié)果功能實(shí)現(xiàn)不了，電壓到了10V都沒(méi)有保護(hù)。

2022-09-28 標(biāo)簽：保護(hù)電路過(guò)壓保護(hù)MOS管 4.2k 0

MOS管柵極電阻的作用詳解

在了解mos管柵極電阻的作用之前，我們先了解一下mos管柵極及其他2個(gè)極的基礎(chǔ)知識(shí)。場(chǎng)效應(yīng)管根據(jù)三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏...

2022-09-27 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管MOS管柵極電阻 1.0萬(wàn) 0

開(kāi)關(guān)模式電源MOS設(shè)計(jì)選型的幾個(gè)基本原則

開(kāi)關(guān)模式電源(Switch Mode Power Supply)，又稱(chēng)交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器，是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，是電源供應(yīng)器的一種。其功能是將一...

2022-09-23 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源MOS管變換器 2.1k 0

選擇合適的MOS管提高電源的工作效率

效率優(yōu)化一直是電源設(shè)計(jì)中的一項(xiàng)重要工作，高效率不僅能夠降低電源轉(zhuǎn)換過(guò)程中的損耗，節(jié)約能源，還能減少發(fā)熱，減小電源的體積。

2022-09-21 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)MOS管 3.3k 0

MOSFET簡(jiǎn)介、主要參數(shù)及驅(qū)動(dòng)技術(shù)

咱們做電子的，幾乎都會(huì)用到MOS管，也遇到過(guò)MOS管炸裂的情況。小功率MOS炸裂時(shí)，沒(méi)什么感覺(jué)，大功率就不一樣，震耳欲聾，感覺(jué)在以命相搏。

2022-09-21 標(biāo)簽：MOSFETMOS管 1.5k 0

一篇非常詳細(xì)的MOSFET基礎(chǔ)介紹

　　電池電壓一般是在12V以下，我們就將其看作12V。19V電源呢，我們也可以當(dāng)作一個(gè)大電池，那么一個(gè)19V的電池和一一個(gè)12V的電池如下相連，導(dǎo)線中電...

2022-09-20 標(biāo)簽：MOSFETMOS管 741 0

MOS管工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下的Miller效應(yīng)的原因與現(xiàn)象分析

簡(jiǎn) 介： 本文對(duì)于 MOS 管工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下的 Miller 效應(yīng)的原因與現(xiàn)象進(jìn)行了分析。巧妙的應(yīng)用 Miller 效應(yīng)可以實(shí)現(xiàn)電源的緩啟動(dòng)。

2022-09-16 標(biāo)簽：振蕩器MOS管仿真 3.8k 0

開(kāi)關(guān)電源MOS管驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)

MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開(kāi)關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開(kāi)關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。

2022-09-15 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源MOS管驅(qū)動(dòng)電路 5.6k 0

PN結(jié)的基礎(chǔ)知識(shí)

為啥說(shuō)PN結(jié)是基礎(chǔ)呢?

2022-09-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體MOS管PN結(jié) 5.8k 0

什么是半橋驅(qū)動(dòng)芯片？與普通芯片區(qū)別點(diǎn)在哪里？

由于低側(cè)MOS管驅(qū)動(dòng)電壓的參考點(diǎn)為地，較容易設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路；而高側(cè)的驅(qū)動(dòng)電壓的參考點(diǎn)是跟隨VS電壓浮動(dòng)的，因此如何很好地驅(qū)動(dòng)高側(cè)MOS管是設(shè)計(jì)能否成功的關(guān)鍵。

2022-09-14 標(biāo)簽：MOS管半橋驅(qū)動(dòng)芯片 1.7萬(wàn) 0

如何選擇MOS管還是三極管？

MOS管屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，相關(guān)文章:MOS管基本認(rèn)識(shí)。具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)...

2022-09-13 標(biāo)簽：三極管MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.2k 0

一種由運(yùn)放組成的恒流源電路

這是一種由運(yùn)放組成的恒流源電路。

2022-09-13 標(biāo)簽：MOS管運(yùn)放恒流源 9k 0

關(guān)于MOS管的工作狀態(tài)

MOS管的工作狀態(tài)一共有兩種：增強(qiáng)型和耗盡型兩類(lèi)又有N溝道和P溝道之分。

2022-09-09 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 7.7k 0

Class-D功放電路如何選擇比較好的國(guó)產(chǎn)廠商進(jìn)行替代

對(duì)于Class-D功放電路的電子元器件使用，在MOS管領(lǐng)域會(huì)有哪一款產(chǎn)品比較適合應(yīng)用于該場(chǎng)景呢？是否有比較好的代換型號(hào)？

2022-09-08 標(biāo)簽：功放功放電路MOS管 2.9k 0

三極管、MOSFET和IGBT的區(qū)別

空穴”帶正電，電子帶負(fù)電，但摻雜后的半導(dǎo)體本身為電中性。

2022-09-08 標(biāo)簽：三極管MOSFETMOS管 5k 0