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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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mos場效應(yīng)管焊接方法_場效應(yīng)管型號命名含義
mos管焊接的方法步驟如下： 1、焊接前，認(rèn)清mos場效應(yīng)管的三個(gè)引腳，電烙鐵的外表要可靠的接地。 2、先用烙鐵固定G.S極，然后從...
2023-02-11 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管 1.2萬 0
在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，...
PDN阻抗是從負(fù)載端看過去的電源分配網(wǎng)絡(luò)的阻抗，PDN阻抗要小于目標(biāo)阻抗，這些概念對于做電源完整性的人來說再熟悉不過了，網(wǎng)上也有大量的文檔介紹，但是很多...
如下圖所示，左邊為NMOS，右邊為PMOS，由MOS管的結(jié)構(gòu)可以看出，其襯底B與漏極D整好構(gòu)成一個(gè)PN結(jié)，這個(gè)PN是由于MOS結(jié)構(gòu)天然而成的，如果將...
在一些實(shí)際應(yīng)用中，我們時(shí)常會(huì)用到需要提供負(fù)壓的場合。針對負(fù)壓的設(shè)計(jì)，小白之前就講述過一種方式，即采用charge pump的方法。然而呢，由于其帶負(fù)...
2022-11-08 標(biāo)簽：MOS管DCDCBuck-Boost 1.2萬 0
上周討論了MOS管的Rdson和Vgs、Vds有怎樣的關(guān)系？，這個(gè)屬于比較細(xì)節(jié)的問題，在面試中基本不會(huì)遇到，但是今天討論的這個(gè)問題還是很有可能碰到的。
主要有因在柵極和源極之間如果存在電壓浪涌和靜電而引起的破壞，即柵極過電壓破壞和由上電狀態(tài)中靜電在GS兩端（包括安裝和和測定設(shè)備的帶電）而導(dǎo)致的柵極破壞
常用的mos管驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)如圖1所示，驅(qū)動(dòng)信號經(jīng)過圖騰柱放大后，經(jīng)過一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg給mos管驅(qū)動(dòng)。其中Lk是驅(qū)動(dòng)回路的感抗，一般包含mos管引腳的感抗...
大家可以參考這個(gè)電路的原理，但是實(shí)際上這樣的電路由于結(jié)構(gòu)復(fù)雜，非常不適合實(shí)際使用，同時(shí)由于放大器也具有可觀的延遲，所以最終還是破壞了我們得到高速隔離mo...
MOS管的構(gòu)造,工作原理,特性,電壓極性和符號規(guī)則的詳細(xì)資料概述
隨著社會(huì)的進(jìn)步和發(fā)展，MOS管在電子行業(yè)的應(yīng)用越來越廣泛，薩科微電子SLKOR作為能夠研發(fā)生產(chǎn)碳化硅SiC產(chǎn)品的“碳化硅專家”，必須來科普一下這方面的知識。
NMOS/PMOS防反接電路原理圖 基于MOS管的防反接電路設(shè)計(jì)
電子元件大都是使用直流工作，電源線反接就有可能就會(huì)燒壞，那電路如何防反接？首當(dāng)其沖我們想到的就是二極管了，運(yùn)用其單向?qū)ㄌ匦钥捎行Х乐闺娫捶唇佣鴵p壞電路...
離子注入是一種向襯底中引入可控制數(shù)量的雜質(zhì)，以改變其電學(xué)性能的方法。它是一個(gè)物理過程，不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。
首先說一下電源IC直接驅(qū)動(dòng)，下圖是我們最常用的直接驅(qū)動(dòng)方式，在這類方式中，我們由于驅(qū)動(dòng)電路未做過多處理，因此我們進(jìn)行PCB LAYOUT時(shí)要盡量進(jìn)行優(yōu)化...
在時(shí)鐘系統(tǒng)部分主要介紹時(shí)鐘源選擇，PLL倍頻配置，時(shí)鐘分發(fā)等內(nèi)容。在看門狗模塊部分主要介紹了開門狗復(fù)位的觸發(fā)路徑，看門狗模塊的工作原理，CPU EndI...
場效應(yīng)管FET（Field Effect Transistor），是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，分為結(jié)型（JFET）和絕緣...
2023-11-17 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 1.1萬 0
在上一篇文章中我們聊了“Rdson對應(yīng)MOS管的哪個(gè)工作區(qū)？”這個(gè)問題，并得出Rdson對應(yīng)的是可變電阻區(qū)的結(jié)論。在討論的過程中，提到了Vgs對MOS管...
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