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LMG3522R030 650V 30mΩ GaN FET，集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告數(shù)據(jù)手冊(cè)

LMG352xR030 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān) S...

2025-08-06 標(biāo)簽：emi 電感零電壓 750 0

LMG3527R030 650V 30mΩ GaN FET，集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電流檢測(cè)數(shù)據(jù)手冊(cè)

LMG352xR030 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān) ...

2025-08-06 標(biāo)簽：emi 電感 GaN 713 0

TPS7H6101-SEP 耐輻射 200V 10A GaN 功率級(jí)，集成驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

該TPS7H6101是一款耐輻射的 200V e 模式 GaN 功率 FET 半橋，集成柵極驅(qū)動(dòng)器;e模式氮化鎵FET和柵極驅(qū)動(dòng)器的集成簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，減少...

2025-08-06 標(biāo)簽：FET GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器 774 0

德州儀器LMG3526R050 650V GaN FET集成驅(qū)動(dòng)技術(shù)深度解析

Texas Instrument LMG3526R050 650V GaN FET具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，可讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)...

2025-08-06 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器 FET 集成式 646 0

德州儀器LMG3522R050 650V GaN FET集成驅(qū)動(dòng)技術(shù)解析

Texas Instrument LMG3522R050 650V GaN FET具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，可讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)...

2025-08-06 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器電源轉(zhuǎn)換器 FET 677 0

Texas Instruments UCC27444/UCC27444-Q1 4A低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instrument UCC27444/UCC27444-Q1 4A低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器是一款有效驅(qū)動(dòng)MOSFET和GaN電源開關(guān)的高速、雙通道、...

2025-08-05 標(biāo)簽：MOSFET 電源開關(guān)GaN 747 0

Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級(jí)是一款90V連續(xù)、100V脈沖、35A半橋功率級(jí)，集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)模式...

2025-08-04 標(biāo)簽：FET 半橋 GaN 691 0

德州儀器技術(shù)干貨 GaN 如何改進(jìn)光伏充電控制器

本應(yīng)用簡(jiǎn)報(bào)介紹 TI GaN 器件如何改進(jìn)光伏充電控制器。與 MOSFET 相比，使用 TI GaN 器件可提高效率并減小 PCB 尺寸，而且不會(huì)增加 ...

2025-07-28 標(biāo)簽：德州儀器電源轉(zhuǎn)換器 GaN 3.5k 0

氮化鎵快充芯片U8725AHE的工作原理

氮化鎵充電器的高功率密度，能在很小的體積里給出更高的功率，所以氮化鎵充電器個(gè)頭更小，重量也更輕。且能把電能轉(zhuǎn)換得更有效，能量損失也少，充電速度就能變得更...

2025-07-18 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 快充芯片 2.7k 0

基于板級(jí)封裝的異構(gòu)集成詳解

基于板級(jí)封裝的異構(gòu)集成作為彌合微電子與應(yīng)用差距的關(guān)鍵方法，結(jié)合“延續(xù)摩爾”與“超越摩爾”理念，通過SiP技術(shù)集成多材料（如Si、GaN、光子器件等）裸片...

2025-07-18 標(biāo)簽：晶圓封裝 GaN 2.1k 0

基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器設(shè)計(jì)

鑒于對(duì)能源可持續(xù)性和能源安全的擔(dān)憂，當(dāng)前對(duì)儲(chǔ)能系統(tǒng)的需求不斷加速增長(zhǎng)，尤其是在住宅太陽(yáng)能裝置領(lǐng)域。市面上有一些功率高達(dá) 2kW 且?guī)в屑墒絻?chǔ)能系統(tǒng)的微...

2025-07-16 標(biāo)簽：ti 逆變器晶體管 2.8k 0

氮化鎵快充IC U8733L的工作原理

通常來(lái)講，充電器輸出功率的增加，充電器的體積也要相應(yīng)擴(kuò)大。因?yàn)閮?nèi)置GaN芯片的使用，快充充電器擁有小體積、高性能、協(xié)議多、節(jié)能高等特點(diǎn)，所以快充充電器比...

2025-07-15 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 GaN 2.3k 0

Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級(jí)集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管。93V連續(xù)、100V脈...

2025-07-11 標(biāo)簽：半橋場(chǎng)效應(yīng)晶體管 GaN 499 0

GAN功率器件在機(jī)器人上的應(yīng)用實(shí)踐

GaN器件當(dāng)前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管)，此類高電子遷移率的晶體管應(yīng)用于諸多電子設(shè)備中，如全控型電力開關(guān)、高頻放大器或振蕩器。與傳統(tǒng)的硅金屬氧...

2025-07-09 標(biāo)簽：機(jī)器人晶體管 SiC 2.9k 0

Texas Instruments LMG3650EVM子卡評(píng)估模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments LMG3650EVM子卡評(píng)估模塊支持兩個(gè)LMG3650R025 650V GaN FET，具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，...

2025-07-08 標(biāo)簽：FET GaN 評(píng)估模塊 457 0

PD快充IC U8726AHE的工作原理

準(zhǔn)諧振芯片廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備、快充產(chǎn)品、USB-PD充電器等領(lǐng)域，特別是在高功率密度、低功耗的設(shè)計(jì)中表現(xiàn)出色?。許多準(zhǔn)諧振芯片集成了驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路...

2025-07-04 標(biāo)簽：充電器 FET GaN 1.4k 0

方案介紹 | 東科24W集成GAN器件高PF低THD的恒壓LED方案分享

本文將為大家介紹以DK8924AN為核心的一款24WLED方案，具有恒壓精度高，待機(jī)功耗低，啟動(dòng)迅速等特點(diǎn)，適用于LED燈帶電源，智能照明等多種應(yīng)用場(chǎng)景...

2025-07-01 標(biāo)簽：GaN 恒壓東科 531 0

同步整流芯片U7116W/U7110W產(chǎn)品介紹

同步整流芯片U7116W/U7110W是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關(guān)，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U711XW內(nèi)置有...

2025-06-27 標(biāo)簽：GaN 快充同步整流芯片 586 0

E-GaN電源芯片U8733L集成外置溫度檢測(cè)和恒功率功能

E-GaN電源芯片U8733L集成外置溫度檢測(cè)和恒功率功能Yinlianbao開關(guān)電源NTC傳感器能夠感知微小的溫度變化，一旦溫度超過預(yù)設(shè)的安全閾值，便...

2025-06-19 標(biāo)簽：檢測(cè)GaN 電源芯片 540 0

氧化鎵射頻器件研究進(jìn)展

氧化鎵（Ga2O3 ）是性能優(yōu)異的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，不僅臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、飽和速度高，而且具有極高的巴利加優(yōu)值和約翰遜優(yōu)值，在功率和射頻器件領(lǐng)域具有重...

2025-06-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 GaN 射頻器件 1.6k 0

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藍(lán)牙5

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藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來(lái)?yè)碛懈斓膫鬏斔俣?，更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
Qorvo

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5G手機(jī)

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對(duì)4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時(shí)延，通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
TWS

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自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場(chǎng)得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無(wú)線藍(lán)牙耳機(jī)開始大行其道。
智慧家庭

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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
智能工業(yè)

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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類終端、基于泛在技術(shù)的計(jì)算模式、移動(dòng)通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
Keysight

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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司，通過在無(wú)線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
AD9361

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nRF52832

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無(wú)線收發(fā)模塊

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無(wú)線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ?。JF24D的傳輸速率為1M，具有81個(gè)通道可任意設(shè)置而互不干擾。可在擁擠的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
太赫茲

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太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個(gè)非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國(guó)家安全提供了一個(gè)非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
三星公司

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三星集團(tuán)是韓國(guó)最大的企業(yè)集團(tuán)，包括85個(gè)下屬公司及若干其他法人機(jī)構(gòu)，在近70個(gè)國(guó)家和地區(qū)建立了近300個(gè)法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬(wàn)人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機(jī)械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
藍(lán)牙5.0

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藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對(duì)低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對(duì)室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
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樂鑫

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樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專業(yè)的無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級(jí)芯片，提供移動(dòng)通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
WiGig

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WiGig（Wireless Gigabit，無(wú)線千兆比特）是一種更快的短距離無(wú)線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
lorawan

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LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來(lái)說(shuō)LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
KeyStone

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5G毫米波

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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長(zhǎng)為1毫米到10毫米，波動(dòng)頻率為30GHz-300GHz。相對(duì)于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時(shí)延和靈活彈性空口配置等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，可滿足未來(lái)無(wú)線通信對(duì)系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
JN5168

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802.11ax

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ZigBee3.0

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貼片天線

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射頻元件

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無(wú)線設(shè)備

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無(wú)線設(shè)備一般指無(wú)線電通信設(shè)備艦艇上利用無(wú)線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對(duì)外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
LoRa技術(shù)

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LoRa是一種線性調(diào)頻擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱為遠(yuǎn)距離無(wú)線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢(shì)特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個(gè)垂直行業(yè)中。
LTE-Advanced

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超外差接收機(jī)

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　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號(hào)混頻，將輸入信號(hào)頻率變換為某個(gè)預(yù)先確定的頻率的方法。
藍(lán)牙m(xù)esh

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藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無(wú)中心、無(wú)路由的對(duì)等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對(duì)多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。
HBT

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　hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺(tái)網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡(jiǎn)稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。

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