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?基于TI LMG34XX-BB-EVM評估板的GaN功率器件技術解析
Texas Instruments LMG34XX-BB-EVM GaN系統(tǒng)評估板是一款簡單易用的分線板,用于將任何LMG341x半橋板(例如LMG34...
TPS7H6025-SP 抗輻射QMLP 22V半橋GaN柵極驅動器技術手冊
TPS7H60x5 系列輻射硬度保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 柵極驅動器專為高頻、高效率和大電流應用而設計。該系列包括...
突破功率密度邊界:TI LMG342xR030 GaN FET技術解析與應用
Texas Instruments LMG342xR030 GaN場效應晶體管(FET)集成了驅動器和保護功能,可使設計人員在電子設備系統(tǒng)中實現(xiàn)新的功率...
無需鉗位電路,精準測量GaN動態(tài)導通電阻Rds(on)
導言在追求更高效率、更高功率密度的電源轉換器設計中,寬禁帶半導體(GaN、SiC)器件扮演著越來越關鍵的角色。然而,理解這些器件在高速開關過程中的真實性...
基于LMG3422EVM-041半橋子卡的GaN功率模塊設計與應用
Texas Instruments LMG3422EVM-041半橋子卡在半橋中配置兩個LMG3422R050 GaN FET。它具有鎖存過流保護功能和...
ADI LT8418半橋GaN驅動器的PCB布局優(yōu)化指南
近年來,氮化鎵(GaN)技術憑借其相較于傳統(tǒng)硅MOSFET的優(yōu)勢,包括更低的寄生電容、無體二極管、出色的熱效率和緊湊的尺寸,極大地改變了半導體行業(yè)。Ga...
Texas Instruments LMG2610 GaN半橋IC技術解析
Texas Instruments LMG2610 GaN半橋IC是一款650V GaN電源FET半橋,適用于開關電源應用中 < 75w的有源鉗位...
產品拆解 | 綠聯(lián) 65W GaN 三口快充充電頭
從GaN快充到多協(xié)議功率管理,綠聯(lián)如何在小體積中實現(xiàn)65W輸出?從反激初級到同步整流,從協(xié)議主控到功率分配,其電路設計體現(xiàn)了怎樣的多口快充兼容性與動態(tài)功...
金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)丨助力 LED 緩沖層性能優(yōu)化
在現(xiàn)代生活中,氮化鎵(GaN)基LED應用廣泛,其性能受GaN緩沖層厚度顯著影響??蒲腥藛T通過HVPE與MOCVD結合技術,在藍寶石襯底上制備了不同緩沖...
LMG3612 650V GaN功率FET技術解析與應用指南
Texas Instruments LMG3612單通道GaN FET提供650V漏源電壓和120mΩ漏源電阻,以及專為開關模式電源應用設計的集成驅動...
LMG3616 650V GaN功率FET技術解析與應用指南
Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的電阻以及集成式驅動器和保護,適用于開關模式電源應用。 ...
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