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　　EEPROM （Electrically Erasable Programmable read only memory）是指帶電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)芯片。 EEPROM 可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。

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eeprom技術(shù)

密碼算法實(shí)現(xiàn)的FIA防護(hù)

安全控制器中的密碼算法實(shí)現(xiàn)模塊同樣能有效抵御各種故障注入攻擊(FIA)，目前主要的防護(hù)手段包括檢錯(cuò)技術(shù)和容錯(cuò)技術(shù)。

2023-10-12 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 EEPROM 緩存器 1.2k 0

基于MM32F0140的SPI與W25Q80通信

查看MM32F0140的MiniBoard原理圖，SPI掛載了W25Q80。

2023-09-21 標(biāo)簽：解碼器 FlaSh EEPROM 2.6k 0

如何使用Flash模擬EEPROM存儲(chǔ)參數(shù)？

在MCU的使用中，經(jīng)常遇到需要存儲(chǔ)參數(shù)或掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)等功能。其中，F(xiàn)lash和EEPROM是常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器

2023-09-21 標(biāo)簽：FlaSh EEPROM 非易失性存儲(chǔ)器 2.2k 0

I2C讀寫EEPROM基礎(chǔ)原理介紹

真正實(shí)際做過(guò)項(xiàng)目的人都知道，好的底層驅(qū)動(dòng)，會(huì)給上層應(yīng)用開(kāi)發(fā)帶來(lái)很大便利，節(jié)省開(kāi)發(fā)時(shí)間，以及減少bug發(fā)生率。

2023-09-20 標(biāo)簽：操作系統(tǒng)STM32 EEPROM 1k 0

使用MCU Flash模擬EEPROM

2023-10-18 標(biāo)簽：mcu 控制器 FlaSh 1.1k 0

單片機(jī)常有Flash，而不常有EEPROM原因

2023-10-24 標(biāo)簽：單片機(jī)FlaSh EEPROM 1.3k 0

軟件循環(huán)延時(shí)不穩(wěn)定解決方案-HK32F030M應(yīng)用筆記（二十二）

2023-09-18 標(biāo)簽：mcu 芯片設(shè)計(jì)EEPROM 1.2k 0

FLASH擦寫操作非法操作解決方案-HK32F030M應(yīng)用筆記（二十四）

2023-09-18 標(biāo)簽：mcu FlaSh EEPROM 1.3k 0

CW32單片機(jī)I2C接口讀寫EEPROM芯片介紹

2023-11-09 標(biāo)簽：單片機(jī)EEPROM I2C接口 2.1k 0

使用ATSHA204A和PIC16單片機(jī)對(duì)消耗品進(jìn)行身份驗(yàn)證

2023-09-18 標(biāo)簽：單片機(jī)microchip EEPROM 2.5k 0

Data flash在CS+的應(yīng)用

Data flash，直譯數(shù)據(jù)閃存，閃存有可執(zhí)行程序的“代碼閃存”和數(shù)據(jù)保存區(qū)的“數(shù)據(jù)閃存”，這里講的數(shù)據(jù)閃存，其實(shí)就是單片機(jī)留給用戶存儲(chǔ)自己數(shù)據(jù)的地方...

2023-09-13 標(biāo)簽：單片機(jī)閃存 FlaSh 3.4k 0

基于51單片機(jī)的I2C-EEPROM實(shí)驗(yàn)

1. I2C介紹 I2C ( Inter—Integrated Circuit)總線是由PHILIPS公司開(kāi)發(fā)的兩線式串行總線，用于連接微控制器及其外圍...

2023-09-11 標(biāo)簽：微控制器 51單片機(jī)總線 2.3k 0

基于51單片機(jī)的按鍵控制喇叭報(bào)警設(shè)計(jì)

51單片是一種低功耗、高性能CMOS-8位微控制器，具有8K可編程Flash存儲(chǔ)器，使得其為眾多嵌入式控制應(yīng)用系統(tǒng)提供高靈活、超有效的解決方案。

2023-09-11 標(biāo)簽：振蕩器 51單片機(jī)EEPROM 1.3k 0

怎樣解決at24cxx庫(kù)寫入慢的問(wèn)題？

在項(xiàng)目中用到了 AT24C512 EEPROM，實(shí)際操作發(fā)現(xiàn)在寫入稍多寫的數(shù)據(jù)時(shí) 出現(xiàn)非常慢的情況

2023-09-06 標(biāo)簽：EEPROM AT24C512 1.6k 0

求一種基于51單片機(jī)的倒車?yán)走_(dá)設(shè)計(jì)方案

基于51單片機(jī)的倒車?yán)走_(dá)的主板設(shè)計(jì)，采用四探頭多路同步探測(cè)，確保返回值的準(zhǔn)確性。

2023-08-29 標(biāo)簽：寄存器 51單片機(jī)倒車?yán)走_(dá) 1.1k 0

單片機(jī)獨(dú)立按鍵控制4個(gè)LED燈亮滅

單片機(jī)四個(gè)按鍵分別控制四個(gè)LED的亮滅！

2023-08-29 標(biāo)簽：單片機(jī)led燈 EEPROM 6k 0

磁鐵的激勵(lì)方式及磁編產(chǎn)品簡(jiǎn)介

在位置感測(cè)應(yīng)用中有許多應(yīng)用霍爾效應(yīng)的方法下面介紹最為普遍的方法。

2023-08-28 標(biāo)簽：傳感器 EEPROM SPI總線 1.7k 0

曲軸傳感器ATS16951介紹

Allegro 針對(duì)完全和輕度混合動(dòng)力發(fā)動(dòng)機(jī)設(shè)計(jì)推出的巨磁阻（GMR）曲軸和凸輪軸傳感器ATS16951（曲軸）和 ATS16351（凸輪軸)，可為制造...

2023-08-25 標(biāo)簽：EEPROM 動(dòng)力汽車霍爾效應(yīng)傳感器 1.2k 0

基于51單片機(jī)的溫度濕度采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)

對(duì)溫度、濕度進(jìn)行采集2、可以警報(bào)提示、修改溫度、濕度上下限值3、lcd顯示相關(guān)信息

2023-08-25 標(biāo)簽：51單片機(jī)EEPROM LCD顯示 2k 0

以CW32L083VXTX板為對(duì)象進(jìn)行低功耗測(cè)試系列實(shí)驗(yàn)講解（4）

CW32L083VxTx StartKit 評(píng)估板為用戶提供一種經(jīng)濟(jì)且靈活的方式使用 CW32L083VxTx 芯片構(gòu)建系統(tǒng)原型，可進(jìn)行性能、功耗、功能...

2023-08-25 標(biāo)簽：微控制器 EEPROM 蜂鳴器 2k 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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