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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補金屬氧化物半導體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

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cmos技術

數(shù)字電路電平標準與接口設計解析

在高速電路中如何實現(xiàn)高速驅(qū)動輸出呢？要么增大驅(qū)動電流，要么降低電平標準，或者提高晶體管工作速度。顯然前者會帶來非常大的功耗，因此改變電平標準和改進晶體管...

2017-12-17 標簽：cmos 接口 ttl 1.4萬 0

cmos芯片的作用及主要用途

CMOS芯片是一種低耗電存儲器，其主要作用是用來存放BIOS中的設置信息以及系統(tǒng)時間日期。CMOS制造工藝也被應用于制作數(shù)碼影像器材的感光元件。

2017-12-13 標簽：cmos 存儲器 5.6萬 0

基于CMOS和DSA設計方法的數(shù)字步進衰減器設計

采用CMOS技術的數(shù)字步進衰減器能提供較高的抗ESD能力、高線性度、低插入損耗、串聯(lián)及并聯(lián)邏輯接口以及專有的超低噪音負電壓發(fā)生器。本文基于Peregri...

2017-12-13 標簽：cmos 衰減器 5.8k 0

RDA6205芯片基本信息介紹

作為目前在世界上使用最為廣泛的移動通信標準，自從九十年代開始在全球大規(guī)模商用以來，GSM一直展示出強大的生命力。不管是在GSM的發(fā)源地歐洲，還是在移動通...

2017-12-13 標簽：cmos 收發(fā)器射頻 3.3k 0

ccd與cmos傳感技術的原理、作用及其區(qū)別對比詳解

無論是CCD還是CMOS，它們都采用感光元件作為影像捕獲的基本手段，CCD/CMOS感光元件的核心都是一個感光二極管（photodiode），該二極管在...

2017-12-12 標簽：傳感器 cmos ccd 2.2萬 0

基于商用CMOS工藝的RFID標簽電路設計

射頻識別(RFID)市場出現(xiàn)強勁增長，2004年其銷售額高達17億美元，2008年預計將達到59億美元。這種激增的需求受到來自下一代RFID系統(tǒng)的帶動，...

2017-12-11 標簽：cmos rfid 1.6k 0

基于0.35μmCMOS工藝的射頻壓控振蕩器設計

基于0.35μm工藝，考慮低壓和低功耗，設計了一個工作頻率為4.2GHz的VCO,并在該電路中分別采用積累型MOS電容和反型MOS電容進行調(diào)諧。仿真結(jié)果...

2017-12-11 標簽：cmos 射頻 2.2k 0

一文讀懂ccd與cmos傳感技術的聯(lián)系和區(qū)別

無論是CCD還是CMOS，它們都采用感光元件作為影像捕獲的基本手段，CCD/CMOS感光元件的核心都是一個感光二極管（photodiode），該二極管在...

2017-12-11 標簽：CMOS CCD 3.8萬 0

RF 功率 LDMOSFET基本結(jié)構(gòu)和制造工藝特點簡介

RF 功率 MOSFET的最大應用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSF...

2017-12-10 標簽：cmos RF 5.1k 0

基于電流復用技術和本振信號偶次諧的波高增益高線性度混頻器設計

混頻器是無線收發(fā)機中的核心模塊，對整個系統(tǒng)的性能具有很大影響。線性度、轉(zhuǎn)換增益是衡量一個混頻器性能的重要指標。在接收機中，混頻器具有一定的轉(zhuǎn)換增益...

2017-12-10 標簽：cmos 混頻器 3.5k 0

3～5GHz的超寬帶系統(tǒng)的CMOS低噪聲放大器設計

2002年2月,美國聯(lián)邦通信委員會( FCC)為超寬帶無線通信系統(tǒng)規(guī)劃了3.1 - 10.6GHz的頻譜資源,引起了全球性的研究熱潮。超寬帶技術具有低功...

2017-12-10 標簽：cmos 噪聲 lna 2.5k 0

基于CMOS工藝適用于WLAN IEEE802．11a標準的雙模前置分頻器設計

隨著移動通信技術的迅速發(fā)展，對射頻電路的高速、低功耗要求日益增長?；阪i相環(huán)(PLL)結(jié)構(gòu)的頻率合成器是收發(fā)機前端電路的重要組成部分，對為混頻器提供純凈...

2017-12-10 標簽：wlan cmos 分頻器 2.3k 0

全面了解cmos電路中esd保護結(jié)構(gòu)原理及應用

ESD(靜電放電)是CMOS電路中最為嚴重的失效機理之一，嚴重的會造成電路自我燒毀。論述了CMOS集成電路ESD保護的必要性，研究了在CMOS電路中ES...

2017-12-05 標簽：CMOS ESD 1.3萬 0

PMOS集成變?nèi)莨芨哳l簡化模型的設計

根據(jù)半導體表面電場效應，通常按照多子堆積狀態(tài)、多子耗盡狀態(tài)及少子反型狀態(tài)3種彼此孤立的理想情況對MIS結(jié)構(gòu)電容的壓控特性進行理論分析。但實際上，3種情況...

2018-07-03 標簽：cmos 模擬集成電路 4.1k 0

cd4013中文資料匯總（引腳圖及功能_工作原理及方式_功能結(jié)構(gòu)_參數(shù)_應用電路詳解）

CD4013是CMOS雙D觸發(fā)器，內(nèi)部集成了兩個性能相同，引腳獨立（電源共用）的D觸發(fā)器，采用14引腳雙列直插塑料封裝，是目前設計開發(fā)電子電路的一種常用...

2017-12-01 標簽：CMOS 觸發(fā)器 CD4013 17.0萬 0

超低功耗電路的設計原則及設計分析

以手機為代表的電池供電電路的興起,為便攜式儀表開創(chuàng)了一個新的紀元。超低功耗電路系統(tǒng)(包括超低功耗的電源、單片機、放大器、液晶顯示屏等)已經(jīng)對電路設計人員...

2018-07-21 標簽：CMOS 晶體管超低功耗 2.1萬 1

基于電流控制電流傳輸器的電流模式積分電路的設計和分析

介紹了電流模式電路的基本概念和發(fā)展概況，與電壓模式電路相比較，電流模式電路的主要性能特點。并介紹了廣泛應用于各種電流模式電路的第二代電流控制電流傳輸器原...

2017-11-30 標簽：cmos 共源共柵電流傳輸器 2.9k 0

詳細講解cmos反相器的原理及特點

CMOS(cornplementary MOS)由成對的互補p溝道與n溝道MOSFET所組成．CMoS邏輯成為目前集成電路設計最常用技術的緣由，在于其有...

2017-11-30 標簽：CMOS CMOS反相器 9.3萬 0

集成電路數(shù)模轉(zhuǎn)換器的原理及作用

集成電路數(shù)模轉(zhuǎn)換器都是二進制輸入的，而用運放構(gòu)成的數(shù)模轉(zhuǎn)換器則不受數(shù)制和位數(shù)的限制。它運用了運放的反相加法器原理，如圖1所示。當運放的增益足夠高時，其...

2017-11-28 標簽：CMOS 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 1.9萬 0

低頻和高頻RF無線系統(tǒng)的集成差異

低頻和高頻RF無線系統(tǒng)的集成具有很大差異。在高頻段，由于CMOS工藝能實現(xiàn)的帶寬高于雙極工藝，因而是RF電路首選工藝，通常RF-CMOS不會與數(shù)字CMO...

2017-11-25 標簽：cmos 射頻 4.4k 0

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