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標(biāo)簽 > 肖特基二極管
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD)的簡(jiǎn)稱(chēng)。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。
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SS510是什么二極管?是用在開(kāi)關(guān)電源的輸出二極管嗎?
SS510是肖特基二極管,由硅材料制成,具有較低的反向漏電流和快速的開(kāi)關(guān)速度,通常被用于高速開(kāi)關(guān)電路和高效能量轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用中。
2023-02-25 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路轉(zhuǎn)換器肖特基二極管 1.0萬(wàn) 0
貼片封裝的肖特基二極管是一種小型、高速、高效的半導(dǎo)體器件,通常由硅材料制成。
2023-02-25 標(biāo)簽:整流二極管肖特基二極管半導(dǎo)體器件 2.7k 0
在享受露營(yíng)帶來(lái)快樂(lè)的同時(shí),對(duì)于便攜式戶(hù)外電源的穩(wěn)定性、安全性以及兼容性的用電標(biāo)準(zhǔn)必不可少的安全考察
升壓型(Boost or Step-up)開(kāi)關(guān)電源及電路圖解析
實(shí)際應(yīng)用中圖中的開(kāi)關(guān)一般是場(chǎng)效應(yīng)管,但為了簡(jiǎn)單和好理解起見(jiàn),我們用通用開(kāi)關(guān)符號(hào)替代。
2023-02-23 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源電容場(chǎng)效應(yīng)管 5.3k 0
電力二極管的主要類(lèi)型包括標(biāo)準(zhǔn)或慢速恢復(fù)二極管、快速恢復(fù)二極管、肖特基二極管。
2023-02-22 標(biāo)簽:肖特基二極管恢復(fù)二極管快速恢復(fù)二極管 4.4k 0
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD)的簡(jiǎn)稱(chēng)。...
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD)的簡(jiǎn)稱(chēng)。
肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極,以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極,利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)...
一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開(kāi)關(guān)
同步整流芯片U7710 &U7711就是一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開(kāi)關(guān),內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。
今天給大家分享19 個(gè)常見(jiàn)的二極管應(yīng)用電路,都是一些常用到并且典型的電路。
2023-02-10 標(biāo)簽:二極管應(yīng)用電路整流電路 6.3k 0
二極管反極性保護(hù)電路 肖特基二極管常用于保護(hù)電路,如反極性電路,因?yàn)樗恼驂航档?,下圖為常見(jiàn)的反極性電路。
在基極限流電阻并聯(lián)小容量的電容(一般pF級(jí)別),當(dāng)輸入信號(hào)上升、下降時(shí)候能夠使限流電阻瞬間被旁路并提供基極電流,所以在晶體管由導(dǎo)通狀態(tài)變化到截止?fàn)顟B(tài)時(shí)能...
碳化硅二極管在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用
碳化硅(SiC)是一種高性能的半導(dǎo)體材料,基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限,成為新能...
2023-02-03 標(biāo)簽:肖特基二極管半導(dǎo)體材料SiC 810 0
需要注意的是,無(wú)論N型半導(dǎo)體、P型半導(dǎo)體還是二極管,均為電中性,原因很簡(jiǎn)單,在生產(chǎn)過(guò)程中加入的所有元素均為電中性,產(chǎn)物自然不會(huì)帶電。
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD)的簡(jiǎn)稱(chēng)。...
在升壓電源模塊中,會(huì)用到肖特基二極管,但常規(guī)硅二極管一般耐壓低、損耗大。要想實(shí)現(xiàn)更高的380V電壓,硅二極管就不是很合適了。
正向傳導(dǎo): P+網(wǎng)格的設(shè)計(jì)使得耗盡 V>0的區(qū)域不受擠壓。 肖特基的多個(gè)導(dǎo)電通道 形成屏障
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