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續(xù)流二極管

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　　續(xù)流二極管（flyback diode），有時(shí)也稱為飛輪二極管或是snubber二極管，是一種配合電感性負(fù)載使用的二極管，當(dāng)電感性負(fù)載的電流有突然的變化或減少時(shí)，電感二端會(huì)產(chǎn)生突變電壓，可能會(huì)破壞其他元件。配合續(xù)流二極管時(shí)，其電流可以較平緩地變化，避免突波電壓的發(fā)生。

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續(xù)流二極管技術(shù)

基于高壓同步整流架構(gòu)的AP8505/AP8507

AP8505/AP8507基于高壓同步整流架構(gòu)，集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET，用于外圍元器件極精簡(jiǎn)的小功率非隔離開(kāi)關(guān)電源。

2024-01-09 標(biāo)簽：MOSFET 開(kāi)關(guān)電源續(xù)流二極管 5.5k 0

續(xù)流二極管故障原因分析

續(xù)流二極管作為電子電路中重要的元件之一，其故障可能導(dǎo)致整個(gè)電路的性能下降甚至完全失效。本文將深入探討續(xù)流二極管故障的原因，并詳細(xì)分析這些原因背后的機(jī)理，...

2024-07-26 標(biāo)簽：二極管 PN結(jié)續(xù)流二極管 5.4k 0

續(xù)流二極管作用_續(xù)流二極管工作原理

本文首先介紹了續(xù)流二極管是什么，然后分析了續(xù)流二極管的作用最后解釋了續(xù)流二極管的工作原理。

2019-08-12 標(biāo)簽：二極管續(xù)流二極管 5.4k 0

dcdc開(kāi)關(guān)頻率高低有什么影響 dc/dc電源同步和異步區(qū)別

高開(kāi)關(guān)頻率通?？梢蕴岣逥C-DC轉(zhuǎn)換器的效率。這是因?yàn)楦哳l率開(kāi)關(guān)可以減小開(kāi)關(guān)器件的尺寸，降低開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量損耗，從而提高整體轉(zhuǎn)換效率。

2024-03-11 標(biāo)簽：MOS管 DC-DC 續(xù)流二極管 5.1k 0

新能源汽車(chē)電機(jī)控制器功率損耗的計(jì)算

理論計(jì)算模型：主要介紹介紹電機(jī)控制器各器件功率損耗的計(jì)算過(guò)程，可用于Matlab仿真建模，從而得知電機(jī)控制器的理論效率值和損耗值。

2023-07-10 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)IGBT 電機(jī)控制器 5k 1

探索汽車(chē)?yán)鋯?dòng)5V，5W至15W電源的預(yù)升壓的實(shí)現(xiàn)方式

本文以典型的5V，5W至15W電源為例，討論預(yù)升壓如何完美地解決該問(wèn)題。

2021-03-05 標(biāo)簽：電容器控制器 emi 5k 0

Matlab—Buck電路開(kāi)環(huán)仿真模型搭建

當(dāng)t=[0,Ton]時(shí)，PWM信號(hào)高電平MOS管導(dǎo)通，續(xù)流二極管D截止，向電感L充磁，向電容C充電，同時(shí)給負(fù)載供電；

2023-10-16 標(biāo)簽：續(xù)流二極管 buck電路 MATLAB仿真 4.9k 0

詳解IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程

IGBT的開(kāi)關(guān)過(guò)程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮，因此IGBT的開(kāi)通與關(guān)斷就相當(dāng)于對(duì)CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGB...

2023-01-10 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)MOSFET IGBT 4.7k 0

?IGBT模塊的損耗特性介紹

IGBT元件的損耗總和分為：通態(tài)損耗與開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗分別為開(kāi)通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF)之和。

2024-01-12 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻 IGBT 續(xù)流二極管 4.5k 0

解析單電阻采樣的原理以及注意點(diǎn)

雙電阻和三電阻的采樣方案比較常見(jiàn)了，原理比較簡(jiǎn)單。隨著成本的壓力和技術(shù)的進(jìn)步，現(xiàn)在單電阻采樣的方式越來(lái)越常見(jiàn)。

2023-07-10 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器電阻器續(xù)流二極管 4.5k 0

RC-IGBT電壓折回現(xiàn)象產(chǎn)生機(jī)理及改進(jìn)結(jié)構(gòu)介紹

IGBT同時(shí)集MOSFET易驅(qū)動(dòng)和BJT大電流兩個(gè)顯著特點(diǎn)于一身，因此在新能源、高鐵、智能電網(wǎng)、電動(dòng)汽車(chē)這些綠色產(chǎn)業(yè)中成為不可或缺的核心功率器件。

2023-11-24 標(biāo)簽：MOSFET VDMOS IGBT 4.5k 0

淺析BUCK芯片在電路中的應(yīng)用及特點(diǎn)

隨著信息化時(shí)代的發(fā)展，生活中常見(jiàn)的電子產(chǎn)品，通常用到MCU、DSP、FPGA來(lái)作為產(chǎn)品設(shè)計(jì)的控制系統(tǒng)

2023-10-24 標(biāo)簽：濾波電容 BUCK 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 4.4k 0

基于Simulink永磁同步電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)的仿真

永磁同步電動(dòng)機(jī)（PermanentMagnets Synchronous Motor，PMSM），轉(zhuǎn)子采用永磁材料，定子為短距分布式繞組，采用三相正弦波...

2023-06-28 標(biāo)簽：永磁同步電機(jī)線性調(diào)節(jié)器續(xù)流二極管 4.4k 0

為什么不建議肖特基并聯(lián)使用

正向穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通壓降低肖特基二極管正向壓降非常小，一般為0.2~0.45V，比快恢復(fù)二極管正向壓降低很多，所以自身功耗較小。

2024-03-11 標(biāo)簽：二極管整流二極管肖特基二極管 4.3k 0

H橋電路是如何工作的？H橋電路有何作用？

將兩個(gè)MOS管一上一下的方式放在一條直線上，叫做“半橋”，我們分別叫它上管和下管，而兩個(gè)半橋組合一起，就是H橋電路，正中心就是負(fù)載電機(jī)。

2024-04-29 標(biāo)簽：電機(jī)控制直流電機(jī)MOS管 3.8k 0

聊一聊一種具有雙向阻斷能力的逆阻型IGBT

一般情況下，常見(jiàn)的IGBT主要定義的是其正向阻斷電壓，而反向阻斷電壓一般不會(huì)在Datasheet中被提及到，這是因?yàn)镮GBT通常會(huì)反并聯(lián)續(xù)流二極管

2023-05-25 標(biāo)簽：變換器 IGBT 續(xù)流二極管 3.7k 0

同步降壓轉(zhuǎn)換器的簡(jiǎn)化原理圖

降壓轉(zhuǎn)換器是一個(gè)簡(jiǎn)單的電路。圖 1 是降壓轉(zhuǎn)換器的簡(jiǎn)化原理圖。MOSFET 高壓側(cè) MOSFET 導(dǎo)通和關(guān)斷?？刂?IC（未圖示）使用閉合反饋環(huán)路來(lái)控制...

2024-03-14 標(biāo)簽：MOSFET 低通濾波器輸出電壓 3.6k 0

同步整流和異步整流介紹

一、同步整流同步整流是采用Rdson較低功率MOS，取代了異步整流中續(xù)流二極管以降低續(xù)流損耗的一種類(lèi)型。由于功率MOS屬于電壓型器件。用功率MOS做整...

2023-11-20 標(biāo)簽：電源電容 MOS 3.6k 0

開(kāi)關(guān)電源的PCB布局設(shè)計(jì)方案解析

續(xù)流二極管與IC的開(kāi)關(guān)引腳及GND引腳距離較遠(yuǎn)，這會(huì)導(dǎo)致布線上的寄生電感增加從而導(dǎo)致噪音毛刺變大。為了改善布局不當(dāng)產(chǎn)生的毛刺噪聲，有時(shí)可能會(huì)追加RC緩沖...

2023-07-25 標(biāo)簽：pcb 開(kāi)關(guān)電源 DC-DC 3.4k 0

IGBT管的功耗講解

通態(tài)損耗Ps。大體來(lái)講，通態(tài)損耗等于集電極電流和IGBT管飽和壓降的乘積即：Ps=Ic*Uces。

2022-10-13 標(biāo)簽：IGBT 續(xù)流二極管開(kāi)關(guān)損耗 3.3k 0

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