如何計(jì)算電解電容使用壽命

在大量的生產(chǎn)實(shí)踐與理論探討中，當(dāng)開(kāi)關(guān)電源中電容發(fā)生損壞，特別是電解電容冒頂，電解液外溢時(shí)，電源廠家懷疑電容質(zhì)量有問(wèn)題，而電容廠家說(shuō)電源設(shè)計(jì)不當(dāng)，雙方爭(zhēng)執(zhí)...

2018-10-08 標(biāo)簽：電源開(kāi)關(guān)電源電容 3.3萬(wàn) 0

電容電感充放電

L、C元件稱(chēng)為“慣性元件”，即電感中的電流、電容器兩端的電壓，都有一定的“電慣性”，不能突然變化。充放電時(shí)間，不光與L、C的容量有關(guān)，還與充/放電電路中...

2019-11-25 標(biāo)簽：電容電感RC電路 3.3萬(wàn) 0

電容充電電路工作原理以及計(jì)算

與純電阻電路不同，具有電容的電路中的電壓不會(huì)立即進(jìn)入穩(wěn)定狀態(tài)。

2022-05-16 標(biāo)簽：充電電路電路電容 3.2萬(wàn) 0

甲類(lèi)單管功率放大電路原理圖與管耗分析

典型的甲類(lèi)單管功率放大電路如圖 Z0402所示。在圖中Rb1和Rb2組成偏置電路；Cb、Ce為交流旁路電容；Tr1、Tr2是輸入、出變壓器，輸出變壓器T...

2019-09-14 標(biāo)簽：電容放大電路晶體管 3.2萬(wàn) 0

MOSFET電路柵源極GS之間為什么需要并聯(lián)一個(gè)電容？居然能解決MOS誤導(dǎo)通的問(wèn)題？

Part 01 前言 在MOSFET中，dv/dt指的是MOSFET在開(kāi)關(guān)瞬態(tài)期間，其漏源電壓Vds的變化率，即漏極和源極之間電壓隨時(shí)間的變化速度。一般...

2024-11-12 標(biāo)簽：MOSFET電容MOS 3.2萬(wàn) 0

晶振電路中為什么用22pf或30pf的電容

有些用于工控的項(xiàng)目，建議不要用無(wú)源晶振的方法來(lái)起振，而是直接接有源晶振。也是主要由于無(wú)源晶振需要起振的原因，而工控項(xiàng)目要求穩(wěn)定性要好，所以會(huì)直接用有源晶振。

2018-07-05 標(biāo)簽：單片機(jī)電容 3.1萬(wàn) 0

萬(wàn)用表怎樣測(cè)電感值？關(guān)斷電感電容是什么？它們要如何取值

利用式（4-10）可將測(cè)量結(jié)果LX’修正為實(shí)際電感量LX。例如，用DT980型數(shù)字萬(wàn)用表的20μF檔實(shí)測(cè)一只標(biāo)稱(chēng)值為5.6mH的色碼電感，儀表讀數(shù)為7....

2017-06-15 標(biāo)簽：電阻電容電感 3.1萬(wàn) 0

OCL乙類(lèi)互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)電路的工作原理與參數(shù)計(jì)算解析

圖Z0404（a）所示電路由兩個(gè)對(duì)稱(chēng)的工作在乙類(lèi)狀態(tài)的射極輸出器組合而成。T1（NPN型）和T2（PNP型）是兩個(gè)特性一致的互補(bǔ)晶體管；電路采用雙電源供...

2019-09-14 標(biāo)簽：電源變壓器電容 3.1萬(wàn) 0

簡(jiǎn)單解析NPO、X7R、Z5U和Y5V的性能和應(yīng)用

下面我們僅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V來(lái)介紹一下它們的性能和應(yīng)用 以及采購(gòu)中應(yīng)注意的訂貨事項(xiàng)以引起大家的注意。不同的公司對(duì)于上述不同性能的電容...

2018-01-24 標(biāo)簽：電容器電容介質(zhì) 3.1萬(wàn) 0

電容降壓電路原理

電路設(shè)計(jì)時(shí)，應(yīng)先測(cè)定負(fù)載電流的準(zhǔn)確值，然后參考示例來(lái)選擇降壓電容器的容量。因?yàn)橥ㄟ^(guò)降壓電容C1向負(fù)載提供的電流Io，實(shí)際上是流過(guò)C1的充放電電流Ic。C...

2019-06-04 標(biāo)簽：電容降壓電路穩(wěn)壓管 3.1萬(wàn) 0

如何制作一個(gè)電容耐壓測(cè)試儀？

現(xiàn)在劣質(zhì)電容到處橫行霸道，只有做一個(gè)電容耐壓測(cè)試儀，在不損壞電容的情況下測(cè)試其大概的耐壓值。

2018-08-15 標(biāo)簽：電容耐壓測(cè)試儀 3.1萬(wàn) 0

MOSFET電路柵源極GS之間并聯(lián)電容后，MOS管為什么會(huì)炸管？原因分析

MOSFET炸管也有三大原因，電壓，電流，溫度，比如MOSFET漏源極兩端的電壓超過(guò)了最大極限值，或者M(jìn)OSFET的漏源極電流超過(guò)了最大極限值，或者M(jìn)O...

2024-11-15 標(biāo)簽：MOSFET電容電路設(shè)計(jì) 3.0萬(wàn) 1

ST電容式觸摸按鍵的工作原理及應(yīng)用解析

電磁爐是采用磁場(chǎng)感應(yīng)電流的加熱原理對(duì)食物進(jìn)行加熱。加熱時(shí)，通過(guò)面板下方的線圈產(chǎn)生強(qiáng)磁場(chǎng)，磁力線穿過(guò)導(dǎo)磁體做的鍋的底部時(shí)，鍋具切割交變磁力線而在鍋具底部產(chǎn)...

2019-08-04 標(biāo)簽：電容電磁爐觸摸按鍵 3.0萬(wàn) 0