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標(biāo)簽 > 測(cè)量

測(cè)量

測(cè)量

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測(cè)量是按照某種規(guī)律,用數(shù)據(jù)來(lái)描述觀察到的現(xiàn)象,即對(duì)事物作出量化描述。測(cè)量是對(duì)非量化實(shí)物的量化過(guò)程。

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測(cè)量技術(shù)

臺(tái)階儀測(cè)試原理及應(yīng)用 | 半導(dǎo)體ZnO薄膜厚度測(cè)量及SERS性能研究

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表面增強(qiáng)拉曼散射SERS技術(shù)在痕量檢測(cè)中具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì),但其性能依賴(lài)于活性基底的形貌精度。ZnO作為一種新型半導(dǎo)體薄膜材料,因其本征微米級(jí)表面粗糙度通過(guò)在...

2025-07-28 標(biāo)簽:測(cè)試半導(dǎo)體測(cè)量 431 0

太陽(yáng)光模擬器光譜匹配度測(cè)量:關(guān)鍵技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)解讀?

太陽(yáng)光模擬器光譜匹配度測(cè)量:關(guān)鍵技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)解讀?

在追求高效、精準(zhǔn)科研與生產(chǎn)的當(dāng)下,太陽(yáng)光模擬器光譜匹配度的重要性愈發(fā)凸顯。Luminbox憑借在精密光學(xué)測(cè)試系統(tǒng)開(kāi)發(fā)領(lǐng)域的深厚積淀,圍繞光譜匹配度開(kāi)展技...

2025-07-24 標(biāo)簽:測(cè)量模擬器太陽(yáng)光 387 0

LEM(萊姆) HLSR系列電流傳感器:精確測(cè)量的工業(yè)利器

LEM(萊姆) HLSR系列電流傳感器:精確測(cè)量的工業(yè)利器

在工業(yè)自動(dòng)化和電力控制領(lǐng)域,傳感器的準(zhǔn)確性和可靠性至關(guān)重要。我們今天來(lái)講講萊姆的HLSR系列傳感器,兼具高精度與高性能的電流傳感器。這款傳感器廣泛應(yīng)用于...

2025-07-24 標(biāo)簽:測(cè)量電流傳感器電力控制 420 0

在使用示波器探測(cè)時(shí),你犯過(guò)這7大錯(cuò)誤嗎?

在使用示波器探測(cè)時(shí),你犯過(guò)這7大錯(cuò)誤嗎?

理想情況下,所有探頭都應(yīng)該是一條不會(huì)對(duì)被測(cè)設(shè)備產(chǎn)生任何干擾的導(dǎo)線,這樣才能精確復(fù)制被測(cè)信號(hào)。但現(xiàn)實(shí)情況是,探頭會(huì)給電路帶來(lái)負(fù)載效應(yīng),探頭上的電阻、電容和...

2025-07-23 標(biāo)簽:示波器測(cè)量 408 0

熱重分析儀品牌有哪些?具備哪些優(yōu)勢(shì)

熱重分析儀品牌有哪些?具備哪些優(yōu)勢(shì)

熱重分析儀是一種通過(guò)程序控溫下測(cè)量樣品質(zhì)量變化的檢測(cè)儀器,其用于測(cè)量材料熱穩(wěn)定性、反應(yīng)動(dòng)力學(xué)、組分分析等特性。熱重分析儀的應(yīng)用領(lǐng)域較多,其中包括:食品工...

2025-07-23 標(biāo)簽:分析儀測(cè)量熱重分析 390 0

熱分析儀:材料科學(xué)研究的“溫度探針”

熱分析儀:材料科學(xué)研究的“溫度探針”

熱分析儀是一類(lèi)通過(guò)測(cè)量材料在溫度變化過(guò)程中的物理或化學(xué)性質(zhì)變化,揭示其熱行為、相變及熱穩(wěn)定性的精密儀器。作為材料科學(xué)、化學(xué)和工程領(lǐng)域的關(guān)鍵工具,熱分析儀...

2025-07-23 標(biāo)簽:測(cè)量熱分析儀 267 0

閃測(cè)儀案例丨輪廓+高度測(cè)量,這個(gè)組合更有性價(jià)比!

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光子精密推出了QM系列閃測(cè)儀?+?CD-5000系列光譜共焦位移傳感器的組合,以高性價(jià)比的解決方案,滿足用戶的多重測(cè)量需求。 這一方案既能助用戶精準(zhǔn)完成...

2025-07-23 標(biāo)簽:測(cè)量影像測(cè)量?jī)x閃測(cè)儀 394 0

半導(dǎo)體薄膜厚度測(cè)量丨基于光學(xué)反射率的厚度測(cè)量技術(shù)

半導(dǎo)體薄膜厚度測(cè)量丨基于光學(xué)反射率的厚度測(cè)量技術(shù)

在半導(dǎo)體制造中,薄膜的沉積和生長(zhǎng)是關(guān)鍵步驟。薄膜的厚度需要精確控制,因?yàn)楹穸绕顣?huì)導(dǎo)致不同的電氣特性。傳統(tǒng)的厚度測(cè)量依賴(lài)于模擬預(yù)測(cè)或后處理設(shè)備,無(wú)法實(shí)時(shí)...

2025-07-22 標(biāo)簽:傳感器半導(dǎo)體測(cè)量 1.2k 0

半導(dǎo)體膜厚測(cè)量丨光譜反射法基于直接相位提取的膜厚測(cè)量技術(shù)

半導(dǎo)體膜厚測(cè)量丨光譜反射法基于直接相位提取的膜厚測(cè)量技術(shù)

在現(xiàn)代半導(dǎo)體和顯示面板制造中,薄膜厚度的精確測(cè)量是確保產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。傳統(tǒng)方法如掃描電子顯微鏡(SEM)雖可靠,但無(wú)法用于在線檢測(cè);橢圓偏振儀和光譜...

2025-07-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體測(cè)量光譜 821 0

DLC薄膜厚度可精準(zhǔn)調(diào)控其結(jié)構(gòu)顏色,耐久性和環(huán)保性協(xié)同提升

DLC薄膜厚度可精準(zhǔn)調(diào)控其結(jié)構(gòu)顏色,耐久性和環(huán)保性協(xié)同提升

類(lèi)金剛石碳(DLC)薄膜因高硬度、耐磨損特性,廣泛應(yīng)用于刀具、模具等工業(yè)領(lǐng)域,其傳統(tǒng)顏色為黑色或灰色。近期,日本研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)等離子體化學(xué)氣相沉積(CVD...

2025-07-22 標(biāo)簽:薄膜測(cè)量 744 0

橢偏儀測(cè)量薄膜厚度的原理與應(yīng)用

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在半導(dǎo)體、光學(xué)鍍膜及新能源材料等領(lǐng)域,精確測(cè)量薄膜厚度和光學(xué)常數(shù)是材料表征的關(guān)鍵步驟。Flexfilm光譜橢偏儀(SpectroscopicEllips...

2025-07-22 標(biāo)簽:測(cè)量薄膜厚度 1.2k 0

聚焦位置對(duì)光譜橢偏儀膜厚測(cè)量精度的影響

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在半導(dǎo)體芯片制造中,薄膜厚度的精確測(cè)量是確保器件性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。隨著工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)入納米級(jí),單顆芯片上可能需要堆疊上百層薄膜,且每層厚度僅幾納米至幾十納米。...

2025-07-22 標(biāo)簽:測(cè)量光譜 573 0

薄膜厚度測(cè)量技術(shù)的綜述:從光譜反射法(SR)到光譜橢偏儀(SE)

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薄膜在半導(dǎo)體、顯示和二次電池等高科技產(chǎn)業(yè)中被廣泛使用,其厚度通常小于一微米。對(duì)于這些薄膜厚度的精確測(cè)量對(duì)于質(zhì)量控制至關(guān)重要。然而,能夠測(cè)量薄膜厚度的技術(shù)...

2025-07-22 標(biāo)簽:薄膜測(cè)量光譜 1.6k 0

基于像散光學(xué)輪廓儀與單點(diǎn)膜厚技術(shù)測(cè)量透明薄膜厚度

基于像散光學(xué)輪廓儀與單點(diǎn)膜厚技術(shù)測(cè)量透明薄膜厚度

透明薄膜在生物醫(yī)學(xué)、半導(dǎo)體及光學(xué)器件等領(lǐng)域中具有重要應(yīng)用,其厚度與光學(xué)特性直接影響器件性能。傳統(tǒng)接觸式測(cè)量方法(如觸針輪廓儀)易損傷樣品,而非接觸式光學(xué)...

2025-07-22 標(biāo)簽:測(cè)量光學(xué)器件表面輪廓儀 400 0

大面積薄膜光學(xué)映射與成像技術(shù)綜述:全光譜橢偏技術(shù)

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在微電子制造與光伏產(chǎn)業(yè)中,大面積薄膜的均勻性與質(zhì)量直接影響產(chǎn)品性能。傳統(tǒng)薄膜表征方法(如濺射深度剖析、橫截面顯微鏡觀察)雖能提供高精度數(shù)據(jù),但測(cè)量范圍有...

2025-07-22 標(biāo)簽:測(cè)量薄膜光伏 788 0

白光色散干涉:實(shí)現(xiàn)薄膜表面輪廓和膜厚的高精度測(cè)量

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薄膜結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體制造中扮演著至關(guān)重要的角色,廣泛應(yīng)用于微電子器件、光學(xué)涂層、傳感器等領(lǐng)域。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步,對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)的檢測(cè)精度和效率提出了更高...

2025-07-22 標(biāo)簽:測(cè)量表面輪廓儀 864 0

臺(tái)階高度的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)丨在臺(tái)階儀校準(zhǔn)下半導(dǎo)體金屬鍍層實(shí)現(xiàn)測(cè)量誤差<1%

臺(tái)階高度的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)丨在臺(tái)階儀校準(zhǔn)下半導(dǎo)體金屬鍍層實(shí)現(xiàn)測(cè)量誤差<1%

在半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中,臺(tái)階結(jié)構(gòu)的精確測(cè)量至關(guān)重要,通常采用白光干涉儀或步進(jìn)儀等非接觸式測(cè)量設(shè)備進(jìn)行監(jiān)控。然而,SiO?/Si臺(tái)階高度標(biāo)準(zhǔn)在測(cè)量中存在的...

2025-07-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體測(cè)量 399 0

薄膜質(zhì)量關(guān)鍵 |?半導(dǎo)體/顯示器件制造中薄膜厚度測(cè)量新方案

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在半導(dǎo)體和顯示器件制造中,薄膜與基底的厚度精度直接影響器件性能?,F(xiàn)有的測(cè)量技術(shù)包括光譜橢偏儀(SE)和光譜反射儀(SR)用于薄膜厚度的測(cè)量,以及低相干干...

2025-07-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體測(cè)量顯示器件 1.2k 0

觸針式輪廓儀 | 臺(tái)階儀 | 納米級(jí)多臺(tái)階高度的精準(zhǔn)測(cè)量

觸針式輪廓儀 | 臺(tái)階儀 | 納米級(jí)多臺(tái)階高度的精準(zhǔn)測(cè)量

臺(tái)階高度作為納米結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵參數(shù),其測(cè)量精度直接影響相關(guān)研究與應(yīng)用。本文利用觸針式輪廓儀對(duì)三臺(tái)階高度樣品進(jìn)行測(cè)量與表征的方法。原始測(cè)量數(shù)據(jù)通過(guò)多項(xiàng)式擬合與...

2025-07-22 標(biāo)簽:高精度測(cè)量表面輪廓儀 371 0

液態(tài)金屬接觸電阻精確測(cè)量:傳輸線法(TLM)的新探索

液態(tài)金屬接觸電阻精確測(cè)量:傳輸線法(TLM)的新探索

液態(tài)金屬(如galinstan)因高導(dǎo)電性、可拉伸性及生物相容性,在柔性電子領(lǐng)域備受關(guān)注。然而,其與金屬電極間的接觸電阻(Rc)測(cè)量存在挑戰(zhàn):傳統(tǒng)傳輸線...

2025-07-22 標(biāo)簽:測(cè)量接觸電阻TLM 843 0

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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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