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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。
合成方法
1、即使在1000℃氮與鎵也不直接反應(yīng)。在氨氣流中于1050～1100℃下加熱金屬鎵30min可制得疏松的灰色粉末狀氮化鎵GaN。加入碳酸銨可提供氣體以攪動(dòng)液態(tài)金屬，并促使與氮化劑的接觸。
2、在干燥的氨氣流中焙燒磨細(xì)的GaP或GaAs也可制得GaN。
德州儀器集成驅(qū)動(dòng)器的GaN功率級(jí)產(chǎn)品介紹
今天，在功率電子領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）正在取代硅（Si）器件，成為越來越多大功率密度、高能效應(yīng)用場(chǎng)景中的主角。
透射電鏡在氮化鎵器件研發(fā)中的關(guān)鍵作用分析
在半導(dǎo)體材料的研究領(lǐng)域中，透射電子顯微鏡（TEM）已成為一種不可或缺的分析工具。它能夠讓我們直接觀察到氮化鎵（GaN）外延片中原子級(jí)別的排列細(xì)節(jié)——這種...
2025-10-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵透射電鏡 544 0
?TPS7H60x5系列輻射硬化保證型GaN FET柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔摘要
TPS7H60x5 系列抗輻射性 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括TP...
2025-09-26 標(biāo)簽：FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 3k 0
?TPS7H60x5-SP/SEP系列輻射強(qiáng)化GaN FET柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
TPS7H60x5 系列抗輻射性 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括TP...
2025-09-26 標(biāo)簽：ldoFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.7k 0
TPS7H6025-SP 抗輻射QMLP 22V半橋GaN柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)
TPS7H60x5 系列輻射硬度保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括...
2025-09-26 標(biāo)簽：FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 2.7k 0
納微雙向氮化鎵開關(guān)和IsoFast高速驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)單級(jí)變換新范式
如今，超過70%的高壓功率變換器采用 “兩級(jí)” 硅基拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。例如，典型的AC-DC電動(dòng)汽車車載充電機(jī)（OBC）會(huì)先配置PFC級(jí)，再串聯(lián)DC-DC級(jí)，中...
2025-09-26 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 7.2k 0
33W氮化鎵電源芯片U8733L布局合理減少干擾散熱優(yōu)化
33W氮化鎵電源芯片U8733L布局合理減少干擾散熱優(yōu)化電源芯片的引腳在布局布線時(shí)，應(yīng)當(dāng)避免與其他信號(hào)線路平行敷設(shè)，以降低電磁干擾。根據(jù)芯片引腳功能和信...
氮化鎵電源芯片U8727AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路...
氮化鎵（GaN）技術(shù) | 電源領(lǐng)域的革命性突破
氮化鎵（GaN）技術(shù)為電源行業(yè)提供了進(jìn)一步改進(jìn)電源轉(zhuǎn)換的機(jī)會(huì)，從而能夠減小電源的整體尺寸。70多年來，硅基半導(dǎo)體一直主導(dǎo)著電子行業(yè)。它的成本效益、豐富性...
磁芯飽和會(huì)導(dǎo)致變壓器線圈感抗變小，回路電流大增，從而引起開關(guān)管的損壞。想要避免這些后果，就必須確保開關(guān)電源主變壓器在工作過程中不會(huì)進(jìn)入磁飽和狀態(tài)。氮化鎵...
Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的高級(jí)SPICE模型立即下載
類別：電子資料 2025-02-13 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵Nexperia
CG2H80015D氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)規(guī)格書立即下載
類別：IC datasheet pdf 2024-09-04 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵HEMT
DK065G高性能AC-DC氮化鎵電源管理芯片規(guī)格書V1.1立即下載
類別：IC中文資料 2024-07-10 標(biāo)簽：功率開關(guān)氮化鎵AC-DC
納微半導(dǎo)體公布2025年第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績
加利福尼亞州托倫斯——2025年11月3日訊：下一代GaNFast氮化鎵與高壓碳化硅 (GeneSiC) 功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克...
2025-11-07 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 239 0
英飛凌推出首款100V車規(guī)級(jí)晶體管，推動(dòng)汽車領(lǐng)域氮化鎵（GaN）技術(shù)創(chuàng)新
【2025年11月5日, 德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布推出其首款符合汽車電子委員會(huì)（AE...
新品 | 第五代CoolGaN? 650-700V氮化鎵功率晶體管G5
新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實(shí)現(xiàn)高頻工況下的效率提升，并滿足最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，...
隨著全球能源需求因 AI 數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車以及其他高能耗應(yīng)用而激增，安森美（onsemi）推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導(dǎo)體，為相關(guān)應(yīng)用的功率密度、...
芯干線GaN器件在電源系統(tǒng)的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
自從氮化鎵（GaN）器件問世以來，憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的多項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)，GaN 被廣泛認(rèn)為是快速充電與工業(yè)電源應(yīng)用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。
2025-10-21 標(biāo)簽：氮化鎵GaN電源系統(tǒng) 1.3k 0
廣電計(jì)量出席半導(dǎo)體功率器件標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)
當(dāng)前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于技術(shù)迭代與格局重塑的關(guān)鍵時(shí)期，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體在新能源汽車、服務(wù)器電源、光伏儲(chǔ)能、高密...
高功率密度65W氮化鎵快充方案：仁懋MOS 1145G開啟快充新紀(jì)元
在快充技術(shù)飛速發(fā)展的今天，65W功率檔位已成為市場(chǎng)主流，而氮化鎵技術(shù)的出現(xiàn)，正在重新定義充電器的尺寸與效能邊界。仁懋電子推出的MOT1145GMOSFE...
納微半導(dǎo)體助力英偉達(dá)打造800 VDC電源架構(gòu)
納微半導(dǎo)體正式發(fā)布專為英偉達(dá)800 VDC AI工廠電源架構(gòu)打造的全新100V氮化鎵，650V氮化鎵和高壓碳化硅功率器件，以實(shí)現(xiàn)突破性效率、功率密度與性能表現(xiàn)。
2025-10-15 標(biāo)簽：氮化鎵英偉達(dá)納微半導(dǎo)體 1.7k 0
納芯微與聯(lián)合電子、英諾賽科簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
近日，蘇州納芯微電子股份有限公司（以下簡稱：納芯微）、聯(lián)合汽車電子有限公司（以下簡稱：聯(lián)合電子）與英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱：英諾賽科）...
隨著AI算力需求爆發(fā)式增長，數(shù)據(jù)中心正經(jīng)歷"電力革命"。宏微科技作為功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，模塊產(chǎn)品已批量應(yīng)用于AI數(shù)據(jù)中心電...
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