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柵極驅(qū)動(dòng)

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什么是柵極驅(qū)動(dòng)，說(shuō)白了就是MOSFET的G極的驅(qū)動(dòng)，柵極用PWM方波驅(qū)動(dòng)，但是會(huì)形成RLC振蕩電路，原因是電容是寄生的，電感受布線影響較大，但是也屬于寄生電感的范疇，這樣輸入會(huì)形成LC振蕩，導(dǎo)致MOSFET各種打開(kāi)關(guān)閉，很容易燒毀MOSFET。

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柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)電路案例分析

在 MOSFET 的柵極和源極之間添加一個(gè)外部齊納二極管，可以有效防止發(fā)生靜電放電和柵極尖峰電壓。但要注意，齊納二極管的電容可能有輕微的不良影響。

2023-01-02 標(biāo)簽：MOSFET 齊納二極管柵極驅(qū)動(dòng) 1.7k 0

PFC拓?fù)淅霉鐼OSFET的模塊化柵極驅(qū)動(dòng)方法

本文介紹了一種多級(jí)圖騰柱PFC拓?fù)?，該拓?fù)淅霉鐼OSFET的簡(jiǎn)單性和成熟度以及一種新穎的模塊化柵極驅(qū)動(dòng)方法，實(shí)現(xiàn)了與使用寬帶隙半導(dǎo)體的傳統(tǒng)電路相比，通...

2022-10-19 標(biāo)簽：MOSFET PFC 柵極驅(qū)動(dòng) 2k 0

淺談柵極驅(qū)動(dòng)器和電源環(huán)路的布線

并聯(lián)MOSFET可實(shí)現(xiàn)高功率設(shè)計(jì)（如交錯(cuò)式升壓轉(zhuǎn)換器），并且可以在多個(gè)級(jí)別完成。在為并聯(lián)MOSFET實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)器時(shí)，其柵極不應(yīng)直接連接在一起，而應(yīng)將柵極電...

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高頻逆變器后級(jí)電路圖

高頻逆變器后級(jí)電路圖一：　　中C1，C2分別是Q1，Q2的GD結(jié)電容，左邊上下兩個(gè)波形分別是Q1，Q2的柵極驅(qū)動(dòng)波形。我們先從t1-t2死區(qū)時(shí)刻開(kāi)始分...

2022-08-15 標(biāo)簽：示波器逆變器柵極驅(qū)動(dòng) 5.6k 0

恩智浦GD3160高級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)確保功率轉(zhuǎn)換器安全、高效運(yùn)行

RoadPak SiC MOSFET 1.2kV模塊完美滿足上述要求，其采用半橋配置，每側(cè)可并聯(lián)多達(dá)10個(gè)SiC MOSFET芯片，支持大電流。

2022-08-12 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器恩智浦柵極驅(qū)動(dòng) 4.7k 0

全新高集成三相電機(jī)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)芯片

TMC6140 是一款完全集成的通用三相 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于 PMSM 伺服或 BLDC 電機(jī)。支持高達(dá) 100 A 電機(jī)電流的外部MOS...

2022-03-23 標(biāo)簽：芯片三相電機(jī)柵極驅(qū)動(dòng) 5.4k 0

數(shù)字 SCALE?-2 的特征

1SP0350V SCALE?-2 單通道即插即用柵極驅(qū)動(dòng)器可靠、安全地驅(qū)動(dòng) 4500 V 壓裝 IEGT 和 IGBT 以及其他 IEGT 和 IGB...

2021-06-26 標(biāo)簽：柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)光纖接口 3.2k 0

獨(dú)特的柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用支持高功率放大器快速開(kāi)啟/關(guān)閉

通過(guò)漏極控制開(kāi)關(guān)HPA的典型配置如圖1所示。一個(gè)串聯(lián)FET開(kāi)啟輸入HPA的高電壓?？刂齐娐沸枰獙⑦壿嬰娖矫}沖轉(zhuǎn)換為更高電壓以使串聯(lián)FET導(dǎo)通。

2021-06-02 標(biāo)簽：功率放大器 RF 柵極驅(qū)動(dòng) 1.6k 0

電機(jī)驅(qū)動(dòng)中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景

通過(guò)采用電子馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器或“電壓源逆變器”可實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的增強(qiáng)型控制，此類驅(qū)動(dòng)器通常會(huì)產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來(lái)控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動(dòng)器采用...

2021-04-28 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率器件氮化鎵 2.8k 0

在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化

650V SiC MOSFET的擁護(hù)者可能會(huì)指出，他們發(fā)現(xiàn)其他類似器件在Tj =125°C下的該數(shù)值通常為+20-25%。這能說(shuō)明SiC MOSFET比...

2021-01-08 標(biāo)簽：MOSFET SiC 柵極驅(qū)動(dòng) 3.7k 0

簡(jiǎn)化汽車車身電機(jī)控制器設(shè)計(jì)，快速實(shí)現(xiàn)輕量化

本文中，我們將討論可幫助應(yīng)對(duì)這些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)、集成到電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路中的特定模擬功能。

2020-12-14 標(biāo)簽：德州儀器場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極驅(qū)動(dòng) 1.5k 0

ACPL-302J智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器技術(shù)分析

新型ACPL-302J是一款智能柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器，可改善隔離式電源并簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。

2021-05-24 標(biāo)簽：光耦合器 DC-DC轉(zhuǎn)換器柵極驅(qū)動(dòng) 4k 0

功率開(kāi)關(guān)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)相關(guān)的損耗

損耗是MOSFET的Qg乘以驅(qū)動(dòng)器電壓和開(kāi)關(guān)頻率的值。Qg請(qǐng)參考所使用的MOSFET的技術(shù)規(guī)格書(shū)。驅(qū)動(dòng)器電壓或者實(shí)測(cè)，或者參考IC的技術(shù)規(guī)格書(shū)。

2020-04-05 標(biāo)簽：MOSFET 功率開(kāi)關(guān)柵極驅(qū)動(dòng) 4.6k 0

如何理解PCB板線徑的載流能力

三角波調(diào)制可控制器RT引腳的電流，實(shí)現(xiàn)PWM振蕩器的抖動(dòng)。串聯(lián)的電阻器用于設(shè)置調(diào)制抖動(dòng)百分比。低頻三角波通過(guò)耦合電容器改變?cè)陔娮杵麟妷骸?/p>

2020-03-15 標(biāo)簽：pcb 電阻器振蕩器 5.6k 0

基于UCC21225A隔離雙路柵極驅(qū)動(dòng)和參考設(shè)計(jì)

TI公司的ucc21225A是隔離雙路柵極驅(qū)動(dòng)器，具有源電流4A和沉峰值電流6A，封裝為5-mm x 5-mm LGA-13.可以驅(qū)動(dòng)高達(dá)5MHz的功率...

2019-08-04 標(biāo)簽：晶體管柵極驅(qū)動(dòng) 5.5k 0

更換老化的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器

光電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的CMTI額定值僅為35 V/ns至50 V/ns，這限制了功率FET的切換速度。這導(dǎo)致功率FET的功耗更高、效率更低、尺寸更大、系統(tǒng)...

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如何設(shè)計(jì)MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電阻

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2018-11-05 標(biāo)簽：MOS管柵極驅(qū)動(dòng)張飛電子 2.4萬(wàn) 0

柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用領(lǐng)域介紹及如何優(yōu)化驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)？

熟練掌握高壓MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

2018-08-16 標(biāo)簽：pcb 驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng) 5.2k 0

超級(jí)結(jié)MOSFET開(kāi)關(guān)速度和導(dǎo)通損耗問(wèn)題

利用仿真技術(shù)驗(yàn)證了由于源極LSource生成反電動(dòng)勢(shì)VLS，通過(guò)MOSFET的電壓并不等于全部的驅(qū)動(dòng)電壓VDRV。MOSFET導(dǎo)通時(shí)3引腳封裝的反電動(dòng)勢(shì)...

2018-03-30 標(biāo)簽：MOSFET 封裝柵極驅(qū)動(dòng) 1.2萬(wàn) 0

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在脈沖雷達(dá)應(yīng)用中，從發(fā)射到接收操作的過(guò)渡期間需要快速開(kāi)啟/關(guān)閉高功率放大器 (HPA)。典型的轉(zhuǎn)換時(shí)間目標(biāo)可

2018-03-05 標(biāo)簽：adi 柵極驅(qū)動(dòng) 1.2萬(wàn) 0

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IoT是Internet of Things的縮寫(xiě)，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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　　SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包，軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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802.11ac與11基站測(cè)試（base station tests）在基站設(shè)備安裝完畢后，對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別，802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。

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