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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實驗室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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漏極電流的下降時間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成,而總的關(guān)斷時間可以稱為toff=td(off)+trv十t(f),td(off)+trv之...
N溝道MOSFET的基本概念、應(yīng)用電路及主要類型
眾所周知,MOSFET是晶體管的一種,也稱為IGFET(絕緣柵場效應(yīng)晶體管)或MIFET(金屬絕緣體場效應(yīng)晶體管)。在MOSFET中,通道和柵極通過薄的...
晶體管二次擊穿的現(xiàn)象和產(chǎn)生原因_晶體管防護(hù)措施
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展和新型元器件的問世, 開關(guān)電源以其體積小、重量輕、效率高、對電網(wǎng)電壓適應(yīng)范圍寬等優(yōu)勢, 越來越受到大家的青睞, 在絕大多數(shù)領(lǐng)域中取...
優(yōu)點是不同公共點之間可帶不同的交、直流負(fù)載,且電壓也可不同,帶負(fù)載電流可達(dá)2A/點;但繼電器輸出方式不適用于高頻動作的負(fù)載,這是由繼電器的壽命決 定的。...
產(chǎn)生零點漂移的原因很多,任何元件參數(shù)的變化(包括電壓源電壓的波動),都將造成輸出電壓漂移。實踐證明,溫度變化是產(chǎn)生零點漂移的主要原因,也是最難克服的因素...
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor ...
2023-02-27 標(biāo)簽:MOSFET應(yīng)用電路MOS管 2.4萬 0
在N型半導(dǎo)體中,自由電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子;在P型半導(dǎo)體中,空穴為多數(shù)載流子,自由電子為少數(shù)載流子。
2020-05-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管本征半導(dǎo)體 2.4萬 3
一.晶體管包括雙極結(jié)型晶體管(BJT)、場效應(yīng)管(FET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。通常說的三極管是指雙極結(jié)型晶體管,其按PN結(jié)結(jié)構(gòu)分為NPN型和...
晶體管是一種電子器件,它有三個電極:基極、集電極和發(fā)射極。 基極是晶體管的輸入端,也稱為“正向基極”,是一個半導(dǎo)體金屬片,通常是一個鍍錫或鍍銀...
第三個特性,當(dāng)E極接地,如果足夠大,那么就更加的大,這就預(yù)示著之間的電阻就更加的小。因為電流越大,電阻就越小。小到我們近似的認(rèn)為CE之間是短路的。電流大...
柵極驅(qū)動器(Gate Driver)是一種電路,主要用于增強(qiáng)場效應(yīng)晶體管(MOSFET)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的柵極信號,以便控制器能夠更好地...
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