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開關(guān)損耗

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開關(guān)損耗技術(shù)

幾種典型的軟開關(guān)電路分享

目前電力電子設備的發(fā)展趨勢都是小型化，同時對裝置的效率和電磁兼容性有著很高的要求。設備向著高頻化的方向發(fā)展，這樣可以減小濾波器、變壓器等器件的體積和重...

2023-04-11 標簽：變壓器開關(guān)電路濾波器 1.6萬 0

MOSFET選型注意事項及應用實例

MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于：首先驅(qū)動電路比較簡單。MOSFET需要的驅(qū)動電流比 BJT則小...

2023-04-10 標簽：led MOSFET 晶圓 1k 0

全橋LLC電路移相發(fā)波原理詳解

在調(diào)寬狀態(tài)當占空比較小的時候，由圖 2可知調(diào)寬橋臂MOS管Sa和Sb的驅(qū)動信號有很長一段時間處于低電平，諧振電流只能流過MOS管的體二極管。一旦諧振電流...

2023-03-30 標簽：MOS管 LLC 功率電路 1.1萬 0

MOSFET開關(guān)損耗的計算方法

MOS管在電源應用中作為開關(guān)用時將會導致一些不可避免的損耗，這些損耗可以分為兩類。

2023-03-26 標簽：電源 MOSFET 電容 1.1萬 0

IGBT損耗和溫度估算

為獲得絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)在工作過程中準確的功率損耗,基于數(shù)學模型及測試,建立了一種準確計算功率逆變器損耗模型的方法。通過雙脈沖測試對影響...

2023-03-06 標簽：IGBT 晶體管損耗 4k 0

IGBT7模塊如何連續(xù)工作在175℃

近幾年主流芯片制造廠商，包括Infineon, Fuji, Mitsubishi等都相繼問世了第七代芯片，在芯片大小，芯片厚度，飽和壓降，開關(guān)損耗等權(quán)衡...

2023-03-08 標簽：芯片模塊半導體 3.6k 0

探討高輸出電流應用時的注意事項其1

上一篇文章介紹了輸入電壓升高時損耗增加的部分、注意事項及相應的對策。本文將介紹在探討輸出電流較大的應用時應該注意的兩個事項之一。探討高輸出電流應用時的注...

2023-02-23 標簽：MOSFET 輸出電流開關(guān)損耗 1.3k 0

DC/DC評估篇損耗探討-同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的開關(guān)損耗

上一篇文章中探討了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的功率開關(guān)--輸出端MOSFET的傳導損耗。本文將探討開關(guān)節(jié)點產(chǎn)生的開關(guān)損耗。開關(guān)損耗：見文識意，開關(guān)損耗就是開關(guān)工...

2023-02-23 標簽：MOSFET 降壓轉(zhuǎn)換器開關(guān)損耗 1.7k 0

通過驅(qū)動器源極引腳將開關(guān)損耗降低約35%

－接下來，請您介紹一下驅(qū)動器源極引腳是如何降低開關(guān)損耗的。首先，能否請您對使用了驅(qū)動器源極引腳的電路及其工作進行說明？Figure 4是具有驅(qū)動器源極引...

2023-02-16 標簽：驅(qū)動器引腳開關(guān)損耗 1.1k 0

通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗-電路板布線布局相關(guān)的注意事項

本文的關(guān)鍵要點?由于具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L封裝和不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝的引腳分配不同，因此在圖案布局時需要注意。

2023-02-09 標簽：驅(qū)動器電路板布線 1.1k 0

通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗-有無驅(qū)動器源極引腳的差異及其效果

本文的關(guān)鍵要點?具備驅(qū)動器源極引腳，可以消除VLSOURCE對VGS_INT的影響。?具備驅(qū)動器源極引腳，可以提高導通速度。

2023-02-09 標簽：MOSFET 驅(qū)動器引腳 1.1k 0

通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗-傳統(tǒng)的MOSFET驅(qū)動方法

MOSFET和IGBT等電源開關(guān)器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關(guān)器件產(chǎn)生的開關(guān)損耗和傳導損耗，但不同的應用其降低損耗的...

2023-02-09 標簽：MOSFET 驅(qū)動器 IGBT 1.6k 0

全SiC功率模塊的開關(guān)損耗

全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著這兩大優(yōu)勢。

2023-02-08 標簽：IGBT SiC 功率模塊 1.4k 0

深度剖析開關(guān)電源內(nèi)部的各種損耗

開關(guān)電源內(nèi)部主要損耗要提高開關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個方面：開關(guān)損耗、導通損耗、附加損耗和電阻損耗。這...

2023-01-29 標簽：開關(guān)電源開關(guān)損耗導通損耗 1.3k 0

MOS管怎么用？從認識米勒效應、開關(guān)損耗、參數(shù)匹配及選型入手

要比喻的話，三極管像綠皮車，MOS管像高鐵。

2022-10-25 標簽：三極管 MOSFET MOS管 2.6k 0

PFC MOSFET的開關(guān)損耗測試方案

MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關(guān)損耗...

2022-10-19 標簽：MOSFET MOS管 PFC 2.6k 0

IGBT管的功耗講解

通態(tài)損耗Ps。大體來講，通態(tài)損耗等于集電極電流和IGBT管飽和壓降的乘積即：Ps=Ic*Uces。

2022-10-13 標簽：IGBT 續(xù)流二極管開關(guān)損耗 3.3k 0

有源鉗位反激轉(zhuǎn)換器如何比傳統(tǒng)QRF運行得更快

QRF 功率轉(zhuǎn)換器是 150W 或更低輸出功率范圍內(nèi)的低功率離線應用的熱門選擇，原因有很多

2022-08-10 標簽：轉(zhuǎn)換器電源轉(zhuǎn)換器開關(guān)損耗 6.4k 0

終端區(qū)域?qū)﹂_關(guān)損耗的物理分析

盡管硅是電子產(chǎn)品中使用最廣泛的半導體，但最近的研究表明它有一些局限性，特別是在高功率應用中。帶隙是基于半導體的電路的一個相關(guān)因素，因為高帶隙在高溫、電壓...

2022-07-29 標簽：MOSFET 開關(guān)損耗 1.9k 0

IGBT開關(guān)損耗產(chǎn)生的原因與PiN二極管的正向恢復特性

大家好，這期我們再聊一下IGBT的開關(guān)損耗，我們都知道IGBT開關(guān)損耗產(chǎn)生的原因是開關(guān)暫態(tài)過程中的電壓、電流存在交疊部分，由于兩者都為正，這樣就會釋放功...

2022-04-19 標簽：二極管 IGBT 開關(guān)損耗 5.9k 0

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