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標(biāo)簽 > 封裝技術(shù)
所謂“封裝技術(shù)”是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術(shù)。以CPU為例,實(shí)際看到的體積和外觀并不是真正的CPU內(nèi)核的大小和面貌,而是CPU內(nèi)核等元件經(jīng)過封裝后的產(chǎn)品。
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引線鍵合:特點(diǎn) ●批量、自動; ●鍵合參數(shù)可精密控制,導(dǎo)線機(jī)械性能重復(fù)性高, ●高速焊接: 100- 125ms/互連
前一個步驟完成后,需要用金剛石鋸切掉鑄錠的兩端,再將其切割成一定厚度的薄片。錠薄片直徑?jīng)Q定了晶圓的尺寸,更大更薄的晶圓能被分割成更多的可用單元,有助于降...
深度解讀2.5D/3D及Chiplet封裝技術(shù)和意義
雖然Chiplet異構(gòu)集成技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化剛剛開始,但其已在諸多領(lǐng)域體現(xiàn)出獨(dú)特的優(yōu)勢,應(yīng)用范圍從高端的高性能CPU、FPGA、網(wǎng)絡(luò)芯片到低端的藍(lán)牙、物聯(lián)網(wǎng)及...
長電科技針對QFN后道可以采用沖壓或封裝成品切割方式。沖壓分離是在封裝流程的最后把塑封過的封裝體通過沖壓的方式從整條框架上分離出來,而以陣列式排布的封裝...
先進(jìn)封裝三種技術(shù):IPD/Chiplet/RDL技術(shù)
工藝選擇的靈活性。芯片設(shè)計(jì)中,并不是最新工藝就最合適。目前單硅SoC,成本又高,風(fēng)險還大。像專用加速功能和模擬設(shè)計(jì),采用Chiplet,設(shè)計(jì)時就有更多選擇。
2023-03-08 標(biāo)簽:芯片設(shè)計(jì)封裝技術(shù)晶圓工藝 1.5萬 0
們來看封裝工藝的四項(xiàng)主要功能。第一也是最基本的,保護(hù)半導(dǎo)體芯片免受外部沖擊或損壞。第二,將外部電源傳輸至芯片,以確保芯片的正常運(yùn)行。
2023-03-08 標(biāo)簽:封裝技術(shù)半導(dǎo)體封裝異構(gòu)集成 931 0
目前封裝歷史主要按封裝技(是否焊線)將封裝工藝分為傳統(tǒng)封裝與先進(jìn)封裝。傳統(tǒng)封裝的基本連接系統(tǒng)主要采用引線鍵合工藝,先進(jìn)封裝指主要以凸點(diǎn)(Bumping)...
IGBT功率模塊是指采用lC驅(qū)動,利用最新的封裝技術(shù)將IGBT與驅(qū)動電路、控制電路和保護(hù)電路高度集成在一起的模塊。其類別從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功...
前封裝歷史主要按封裝技(是否焊線)將封裝工藝分為傳統(tǒng)封裝與先進(jìn)封裝。傳統(tǒng)封裝的基本連接系統(tǒng)主要采用引線鍵合工藝,先進(jìn)封裝指主要以凸點(diǎn)(Bumping)方...
開關(guān)電源熱設(shè)計(jì)是指在開關(guān)電源的設(shè)計(jì)過程中,通過合理的熱設(shè)計(jì)技術(shù),使電源能夠在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)正常工作。開關(guān)電源熱設(shè)計(jì)的主要技術(shù)包括熱封裝技術(shù)、冷封裝技術(shù)...
2023-02-16 標(biāo)簽:開關(guān)電源封裝技術(shù)熱設(shè)計(jì) 1.5k 0
SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導(dǎo)電層,且具有高熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù),從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上。SiN是一種極具吸引力的襯底...
射頻芯片和基帶芯片的關(guān)系 發(fā)射電路的結(jié)構(gòu)和工作原理
射頻芯片封裝方面,5G射頻芯片一方面頻率升高導(dǎo)致電路中連接線的對電路性能影響更大,封裝時需要減小信號連接線的長度。
研究團(tuán)隊(duì)?wèi)?yīng)用該液態(tài)金屬密封復(fù)合材料對基于水系電解質(zhì)的可拉伸鋰離子電池進(jìn)行封裝和性能測試(圖2A, B)。測試發(fā)現(xiàn),在自然未拉伸狀態(tài)下,封裝的鋰離子電池可...
無可替代的封裝技術(shù)LTCC——工藝及設(shè)備篇
LTCC工藝流程大致步驟為:粉料制備—漿料配制—流延—切片—通孔成型—通孔填充—印刷—疊層—層壓—排膠—燒結(jié)—檢測。其詳細(xì)工藝流程圖如下
摘要:近些年,在市場應(yīng)用驅(qū)動下,半導(dǎo)體激光器的輸出功率越來越高,器件產(chǎn)生的熱量也在增加,同時封裝結(jié)構(gòu)要求也更加緊湊,這對半導(dǎo)體激光器的熱管理提出了更高的...
二十多年來,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作為一種寬禁帶功率器件,受到人們越來越多的關(guān)注。
SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求,對功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新,包括鍵合...
微電子技術(shù)作為當(dāng)今工業(yè)信息社會發(fā)展最快、最重要的技術(shù)之一,是電子信息產(chǎn)業(yè)的“心臟”。而微電子技術(shù)的重要標(biāo)志,正是半導(dǎo)體集成電路技術(shù)的飛速進(jìn)步和發(fā)展。
半導(dǎo)體制造的工藝過程由晶圓制造(Wafer Fabr ication)、晶圓測試(wafer Probe/Sorting)、芯片封裝(Assemble)...
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