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標簽 > 存儲技術
當前的磁帶機(庫)支持的備份技術主要有DAT、8mm、DLT、LTO、AIT及VXA等。存儲容量是指在數(shù)據(jù)未被壓縮前磁帶機所能存儲的最大數(shù)據(jù)量。
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隨著AI技術的快速發(fā)展,特別是大規(guī)模語言模型(如ChatGPT和Sora)的出現(xiàn),對數(shù)據(jù)處理能力和存儲技術提出了全新的需求。傳統(tǒng)存儲器架構在能效比和計算...
數(shù)字經濟時代,隨著數(shù)據(jù)中心規(guī)模的不斷擴大和數(shù)據(jù)量的爆發(fā)式增長,存儲技術的重要性日益顯著,?直接關系到數(shù)據(jù)中心的運行性能、效率和安全可靠。?基于平頭哥在存...
在數(shù)字存儲技術的快速發(fā)展中,閃速存儲器(Flash Memory)以其獨特的性能和廣泛的應用領域,成為了連接隨機存取存儲器(RAM)與只讀存儲器(ROM...
鐵電存儲器(Ferroelectric RAM, FRAM)與憶阻器(Memristor)是兩種不同類型的存儲技術,它們在工作原理、性能特點、應用場景以...
鐵電存儲器(Ferroelectric RAM, FRAM)是一種結合了RAM的快速讀寫能力和非易失性存儲特性的存儲技術。其結構特點主要體現(xiàn)在其獨特的材...
NAND閃存,又稱之為“NAND Flash”,是一種基于Flash存儲技術的非易失性閃存芯片。下面將從NAND閃存的定義、工作原理、特點、應用領域以及...
EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,電可擦除可編程只讀存儲器)是一種非...
NAND Flash作為非易失性存儲技術的重要一員,其擦寫次數(shù)是評估其性能和壽命的關鍵因素之一。以下將詳細介紹NAND Flash的擦寫次數(shù),包括其定義...
隨著計算機技術的飛速發(fā)展,存儲器的容量和速度成為了影響計算機性能的關鍵因素。在解決內存容量不足和速度瓶頸的過程中,虛擬存儲器(Virtual Memor...
電阻式內存 (Resistive Random Access Memory, RRAM) 結構為簡單的金屬-絕緣層-金屬 (Metal-Insulato...
2023-12-07 標簽:電阻存儲器物聯(lián)網(wǎng) 2.3k 0
多路徑能使操作系統(tǒng)正確的識別到物理LUN,具體的做法就是生成一個特別的設備文件,操作系統(tǒng)操作這個特殊的設備文件來實現(xiàn)對LUN的控制。告訴操作系統(tǒng)該怎么使...
2023-10-24 標簽:存儲技術操作系統(tǒng)Linux系統(tǒng) 2k 0
監(jiān)測數(shù)據(jù)是煤礦安全監(jiān)控系統(tǒng)的源頭,監(jiān)測數(shù)據(jù)的準確性及完整性是煤礦安全生產的關鍵所在。然而現(xiàn)有監(jiān)控分站數(shù)據(jù)存儲容量有限,且多數(shù)不具備記憶功能,一旦通訊線路...
2023-06-29 標簽:存儲器存儲技術監(jiān)控系統(tǒng) 688 0
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2023-05-22 標簽:存儲技術 346 0
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