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標(biāo)簽 > 場效應(yīng)管
場效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。
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飛虹半導(dǎo)體MOS管FHP230N06V在不間斷電源中的應(yīng)用
不間斷電源在很多工廠的生產(chǎn)線上都是非常重要的存在,依靠不間斷電源可以確保產(chǎn)線的安全,避免損失。因此不間斷電源廠家如何讓其產(chǎn)品性能更優(yōu)才可以確保市場對其產(chǎn)...
2025-01-22 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管不間斷電源 952 0
飛虹半導(dǎo)體MOS管FHP160N06V在工頻逆變器的應(yīng)用
對于工頻逆變器的出口,會受到當(dāng)?shù)仉妰r的影響,比如泰國、越南等國家的電價都在上升,同時鼓勵居民對于光伏的利用。因此2025年這兩個國家對于工頻逆變器的出口...
2025-01-20 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管逆變器 1.3k 0
飛虹半導(dǎo)體MOS管FHP160N06V在車載高頻逆變器的應(yīng)用
近日,美國政府再次針對芯片等先進領(lǐng)域進行限制,說明全球化的時代在不斷收窄。企業(yè)必須要考慮如何將關(guān)鍵的生產(chǎn)器件放在安全且能用得放心的產(chǎn)品上。尤其國內(nèi)企業(yè)現(xiàn)...
2025-01-20 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管逆變器 800 0
飛虹半導(dǎo)體MOS管FHP230N06V在電機驅(qū)動控制器中的應(yīng)用
在24-36V的BLDC電機驅(qū)動控制器中,MOS管作為核心功率開關(guān)元件,負責(zé)高效能量轉(zhuǎn)換、精準(zhǔn)電流控制和系統(tǒng)保護。因此在電路設(shè)計中選擇一款好的MOS管是...
2025-01-13 標(biāo)簽:控制器場效應(yīng)管MOS管 1.3k 0
在現(xiàn)代半導(dǎo)體行業(yè)中的電力電子控制系統(tǒng),MOS管(場效應(yīng)晶體管)因其高效、快速的開關(guān)特性,廣泛應(yīng)用于電機驅(qū)動、電動工具、家電等設(shè)備的電機控制系統(tǒng)中。由于電...
2025-01-03 標(biāo)簽:場效應(yīng)管電機MOS 1.6k 0
電子元件也有壽命,電子元件的壽命除了與它本身的結(jié)構(gòu)、性質(zhì)有關(guān),也和它的使用環(huán)境和在電路中所起作用密切相關(guān)。 冬天快到來時,突來一股寒流,一部分人體格較差...
飛虹MOS管FHP1906V在全橋拓撲電路中的應(yīng)用
全橋拓撲相比于半橋或推挽拓撲,具有更高的功率處理能力、對稱的電壓轉(zhuǎn)換特性以及更好的效率,常常適用于高功率和高效率要求的應(yīng)用場景。比如:不間斷電源(UPS...
2024-12-17 標(biāo)簽:放大器場效應(yīng)管MOS管 1.2k 0
飛虹半導(dǎo)體FHP1906V場效應(yīng)管的特點和應(yīng)用
飛虹半導(dǎo)體針對逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機控制和驅(qū)動的廠商需求,推出國產(chǎn)MOS管新產(chǎn)品:FHP1906V型號。
2024-11-26 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管晶體管 1.2k 0
三極管在電路設(shè)計與維修中無處不在,從簡單的開關(guān)控制到復(fù)雜的信號放大,三極管都有其獨特的應(yīng)用場景。初學(xué)者往往只看到“它有三個腳”,但從實際應(yīng)用來看,不同類...
在現(xiàn)代電子技術(shù)中,三極管和場效應(yīng)管是兩種基本的放大和開關(guān)器件。它們在設(shè)計和應(yīng)用上有著顯著的差異,這些差異影響了它們的性能和適用領(lǐng)域。 工作原理 三極管(...
2024-11-01 標(biāo)簽:三極管場效應(yīng)管pnp 2.3k 0
開關(guān)管,也稱為場效應(yīng)管(FET),是一種半導(dǎo)體器件,其核心工作原理主要基于電場對電荷的控制,從而實現(xiàn)對電路中電流的開關(guān)控制。
2024-10-25 標(biāo)簽:場效應(yīng)管開關(guān)管 4.9k 0
N通道和P通道場效應(yīng)晶體管(FET)之間的區(qū)別是什么?
晶體管是現(xiàn)代電子電路中至關(guān)重要的半導(dǎo)體器件。它們可以執(zhí)行兩種主要功能。首先,作為其真空管前身三極管,晶體管可以放大電信號。其次,晶體管可以作為計算機的信...
2024-10-25 標(biāo)簽:場效應(yīng)管晶體管FET 2.4k 0
場效應(yīng)晶體管以其獨特的電壓控制特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在電子技術(shù)領(lǐng)域中占據(jù)著舉足輕重的地位。它主要分為兩種類型:JFET(結(jié)型)和MOS-FET(金屬-氧...
2024-09-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管電壓 1.4k 0
共源共柵放大器的偏置電壓取值是一個相對復(fù)雜的過程,需要考慮多個因素以確保放大器能夠穩(wěn)定且高效地工作。以下是一個大致的步驟和考慮因素: 一、確定工作點電流...
2024-09-27 標(biāo)簽:放大器電流場效應(yīng)管 1.7k 0
P溝道場效應(yīng)管(P-channel Field-Effect Transistor,簡稱P-FET)的電流方向是半導(dǎo)體器件工作中的一個基本特性,它決定了...
2024-09-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管漏極 3.4k 0
P溝道場效應(yīng)管(P-channel Field-Effect Transistor,簡稱P-FET)的導(dǎo)通條件是其能夠正常工作的關(guān)鍵要素。以下是關(guān)于P溝...
2024-09-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管p溝道 4.7k 0
P溝道增強型場效應(yīng)管(P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...
2024-09-23 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管晶體管 2.3k 0
P溝道增強型場效應(yīng)管,簡稱P-MOSFET(P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor F...
2024-09-23 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管p溝道 3.9k 0
什么是N溝道場效應(yīng)管和P溝道場效應(yīng)管
場效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種通過改變電場來控制半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的電子器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道中載流子的類型,...
2024-09-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管p溝道 5.1k 0
N溝道場效應(yīng)管和P溝道場效應(yīng)管有什么區(qū)別
N溝道場效應(yīng)管(N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET)和P溝道場效應(yīng)管(P-Channel ...
2024-09-23 標(biāo)簽:場效應(yīng)管N溝道p溝道 6.6k 0
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