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標簽 > 半導體器件
半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。
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TI優(yōu)化用于子系統(tǒng)控制和電源時序等負載開關封裝技術
從智能手機到汽車,消費者要求將更多功能封裝到越來越小的產品中。為了幫助實現(xiàn)這一目標,TI 優(yōu)化了其半導體器件(包括用于子系統(tǒng)控制和電源時序的負載開關)的...
首先,讓我們先來看一下SiC MOSFET開關暫態(tài)的幾個關鍵參數(shù),圖片來源于Cree官網(wǎng)SiC MOS功率模塊的datasheet。開通暫態(tài)的幾個關鍵參...
然而,在實際應用中,工程師們都會遇到一個相同的困惑:器件的選型著實令人頭疼。對此,小編感同身受。今天,我們就一起來看看MOSFET和IGBT之間的有哪些...
【技術大咖測試筆記系列】之十:在當今高壓半導體器件上執(zhí)行擊穿電壓和漏流測量
準確的電源和測量測試對表征這些高壓器件非常關鍵,以便能夠及時制訂正確的設計決策。提高設計裕量和過度設計只會推動成本上升,導致性能下降。
功率MOSFET及其雪崩擊穿額定值背后的理論和設計過程中的局限性
一些功率半導體器件設計為在有限時間內承受一定量的雪崩電流,因此可以達到雪崩額定值。其他人會在雪崩開始后很快失敗。性能差異源于特定的設備物理、設計和制造。
GaN-HEMT器件的動態(tài)R DSon值測量實驗分析
GaN(氮化鎵)器件由于具有諸如高開關速度,更高的功率密度和效率之類的能力而在設計電源轉換器時變得越來越流行[2],[3],但是GaN器件的一個缺點是電...
高級封裝技術:創(chuàng)建接近單片互連性能的封裝上互連
在過去的幾年中,已經發(fā)布了許多涉及用于半導體器件的高級封裝體系結構的公告。這些架構為產品設計人員提供了極大的靈活性,使其能夠異構集成在封裝上不同硅工藝上...
2021-04-01 標簽:信號完整性系統(tǒng)設計半導體器件 5.3k 0
本文介紹了一種新穎的測量電路,以測量用于測量SiC MOSFET的實時或實際結溫??梢钥闯?,出于訂購和處理數(shù)據(jù)或電流傳感器的目的,不需要本質上復雜的任何算法。
2021-04-23 標簽:MOSFET監(jiān)控電路SiC 6.7k 0
安森美半導體進入汽車半導體領域已有20多年的歷史了確切地說是半個多世紀!在這段時間里,汽車發(fā)生了不可估量的變化,而且,在大多數(shù)領域,變化的步伐正在加快,...
固態(tài)電路基礎大分析:二極管/晶體管/整流器/壓敏電阻
電容器上電動機和壓縮機中使用具有比在固態(tài)電路中使用的電容器不同的功能。單相電動機或壓縮機上使用的電容器有助于啟動電動機旋轉(啟動蓋)或減少運行安培(運行蓋)。
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